东芝第二财季运营利润增长76% 芯片业务表现强劲

发布者:advancement3最新更新时间:2017-11-10 来源: 电子产品世界关键字:东芝  NAND 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

  11月9日消息,据国外媒体报道,日本东芝公司今天公布财报显示,由于受到旗下内存芯片业务强劲业绩的驱动,该公司本财年第二季度运营利润增长了76%。最近,该公司同意将旗下内存芯片业务以180亿美元对外出售。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。

  处于困境状况的这家日本工业巨头表示,本财年7至9月份这个第二季度运营利润从上年同期的768.8亿日元增长至1250,8亿日元(约合12亿美元)。

  这个业绩好于分析师预期,汤森路透StarMine SmartEstimate此前根据5位分析师预估,东芝本财年第二季度运营利润是1244.7亿日元。

  东芝还表示,该公司将在本财年把对芯片业务的投资额从此前计划的4000亿日元提高至6000亿日元,这主要是加速位于日本本州岛中南岸港市四日市(Yokkaichi)一处内存芯片生产线的安装。

  东芝维持其截至明年3月份的本财年运营利润预期值4300亿日元不变,这一预期低于分析师预期,12位分析师作出的预测值是4800亿日元。

  如同上个月表述的一样,该公司称预计本财年净亏损1100亿日元,这主要是与其内存片业务对外出售所涉及的税额有关。

  不过,这没有反映预计的来自该业务对外出售所获得的2万亿日元收益,因为该交易还没有获得政府监管机构的批准。

  由于急需资金来填补因旗下美国核电业务西屋电气(Westinghouse)的巨额亏损,东芝在9月份晚些时候同意将旗下芯片业务部门——全球第二大NAND闪存片生产商——出售给由贝恩资本(Bain Capital)为首的财团。

    以上是关于手机便携中-东芝第二财季运营利润增长76% 芯片业务表现强劲的相关介绍,如果想要了解更多相关信息,请多多关注eeworld,eeworld电子工程将给大家提供更全、更详细、更新的资讯信息。

关键字:东芝  NAND 引用地址:东芝第二财季运营利润增长76% 芯片业务表现强劲

上一篇:苹果首席设计官艾维:设计iPhone X是给软件做个载体
下一篇:苹果宣布大事:iPhone 9/X二代终于完美

推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 17:32

东芝全新高速通信光耦可在2.2V电压下工作并有效减少器件数
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出行业首款 能够在低至2.2V电压下工作的高速通信光耦。这两款器件分别是典型数据传输率为5Mbps的“TLP2312”和20Mbps的“TLP2372”。并将于今日开始出货。 新产品能在低至2.2V的低电压下工作,因此能够适应外围电路的较低电压,甚至能配合2.5V LVCMOS这样的低电平电压电路。这种方法无需使用单独的电源驱动光耦,从而能够减少组件数量。 新型光耦在-40℃至+125℃的工作温度范围内阈值输入电流低至1.6mA(最大值)、供电电流低至0.5mA(最大值),能够直接通过微控制器来驱动,有助于降低功耗。 新型光耦采用5引脚SO6封装,最大封装高度
[电源管理]
<font color='red'>东芝</font>全新高速通信光耦可在2.2V电压下工作并有效减少器件数
英特尔美光计划在新加坡设立第四家闪存工厂
据国外媒体报道,英特尔和美光科技于当地时间本周一发表声明称,双方计划在新加坡成立合资企业,生产用于数字媒体播放器等消费电子产品的闪存芯片。 两家公司当天并未透露新厂具体投资金额,但新加坡经济发展局主席林祥源表示投资将达到数十亿美元。据了解,新加坡工厂将成为英特尔与美光科技合资成立的第四家生产工厂,此前双方曾投资24亿美元成立合资企业IM快闪科技,用于生产NAND闪存芯片。 英特尔发言人查克-穆罗伊表示,考虑到法律和税收方面的原因,新厂将成为单独的合资企业,但仍由IM快闪科技负责管理和运营。目前,IM快闪科技在美国爱达荷州和维基尼亚州设有工厂,位于犹他州的工厂正处于紧张装配当中。 据了解,新厂将于明年上半年动工建设,预计将于20
[焦点新闻]
防止技术外流 东芝芯片业务不打算卖给富士康
据路透社援引知情人士消息称,东芝无意将芯片业务出售给富士康科技集团。 知情人士称,日本政府担心收购芯片业务的企业与中国大陆关系紧密,进而导致关键技术外流。而东芝了解日本政府的担忧,并“将竞标人与中国关系紧密程度纳入考虑范围内”。富士康在中国大陆有多条生产线。 作为三星之后的第二大NAND芯片生产商东芝,正考虑出售其大多数或全部闪存芯片业务,试图弥补核电资产业务63亿美元的减损。目前,东芝将其芯片业务估值为1.5万亿日元(约合131亿美元)。 富士康有可能和韩国海力士联手展开收购。富士康创始人郭台铭透露,对日本东芝的芯片业务非常有信心可以买入。
[半导体设计/制造]
美光科技176层NAND深入解读:电荷捕获、替换栅极和CuA
2020年11月,美光科技宣布,其第五代3D NAND闪存技术达到了176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构,可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储的应用效能。 176层3D NAND闪存是美光第二代替换栅极(Replacement Gate)架构,是目前全球技术最为先进的NAND节点,相较于前代3D NAND相比,美光176层3D NAND闪存在读取及写入延迟方面提升35%。 日前,EEWORLD邀请到美光科技工艺集成技术开发高级总监Kunal Parekh与美光科技NAND组件产品线高级经理Kevin Kilbuck,二位从技术与市场角度,讲解了176层NAND的创新所在
[嵌入式]
美光科技176层<font color='red'>NAND</font>深入解读:电荷捕获、替换栅极和CuA
东芝半导体新公司 股权转让5月落实
1.东芝半导体新公司 股权转让5月落实; eeworld网消息,日媒报道,现正进行重组的日本东芝公司成立接手其半导体业务的新公司「东芝存储器」后,东芝公司最新消息透露,将会在5月选定新公司出售对象,并在今财政年度内完成转让手续。 报道称,东芝的存储媒体的「闪存」业务在全球受好评,半导体业务价值达2万亿日圆(约1,380亿港元)。 在上月底的首轮竞标中,海外竞争对手,基金等约10家公司参与投标,当中盛传有企业提出高达2.5万亿日圆的收购方案。 据了解,有兴趣竞标的海外企业包括美国西部数据、台湾鸿海集团、韩国SK海力士、苹果公司、谷歌以及亚马逊等等。 报道指出,由于东芝公司旗下已经破产的美国核电子公司严重亏损,东芝2016财年净
[半导体设计/制造]
东芝计划每年在芯片业务投资约二千亿日圆
日本东芝社长田中久雄表示, 公司将在今年个财政年度后, 继续维持每年向芯片业务投资约二千亿日圆, 约19亿美元. 他指出 , 提高东芝半导体部门营运收入和利润, 较成为快闪记忆体芯片市场领导地位更优先的要务. 东芝与芯片合作企业 SanDisk 共同组建第五工厂 , 成本各半 , 田中久雄指出 , 今年殳资于芯片业务二千亿日圆资金, 大部分将用于四日市工厂 .
[半导体设计/制造]
NAND架构闹翻?英特尔、美光将分手,研发各走各的路
英特尔(Intel)和美光(Micron)合作研发 NAND Flash 多年,8 日宣布准备拆伙,将在完成第三代 3D NAND 研发之后,正式分道扬镳。 Anandtech、Barronˋs 报导,英特尔和美光 12 年前成立合资公司 IM Flash Technologies,发展 NAND。英特尔资助研发成本,并可分享 NAND 销售收益。不过两家公司 NAND 策略迥异,英特尔的 NAND 几乎全用于企业市场的固态硬盘(SSD)。美光除了销售 SSD、也供应 NAND Flash 芯片。 目前两家公司的 3D NAND 制程,进入第二代,可堆叠 64 层,正在研发第三代,预料可堆叠 96 层,预计在 2018 年底、20
[嵌入式]
拥有更优异抗噪声性能,东芝恒流2相步进电机驱动IC问市
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,面向车载应用推出恒流2相步进电机驱动IC“TB9120AFTG”。新款IC仅使用一个简单的时钟输入接口就能输出正弦波电流,无需功能先进的MCU或专用软件。TB9120AFTG的开发是为了接替东芝于2019年推出的首款车载步进电机驱动IC“TB9120FTG”,它能提供更加优异的抗噪声性能。 TB9120AFTG采用带低导通电阻(上桥臂+下桥臂=0.8Ω(典型值))的DMOS FET,可实现的最大电流为1.5A 。DMOS FET和产生微步正弦波(最高可支持1/32步)的控制器均封于一个小型QFN型封装(6mm×6mm)中。 新款IC的工作温度范围为-40至125℃
[嵌入式]
拥有更优异抗噪声性能,<font color='red'>东芝</font>恒流2相步进电机驱动IC问市
小广播
最新手机便携文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved