根据 TrendForce 集邦咨询旗下半导体研究处表示,第三季 NAND Flash 产业营收达 145 亿美元,季增 0.3%,其中位元出货季增 9%,平均销售单价则季减 9%。整体市况可归因于第三季随着年底旺季前消费性电子备货增加与智能手机需求回温,其中 PC 市场则因远距教学推升 Chromebook 标案需求不坠,然该产品所需容量较低,对 NAND Flash 位元消耗挹注有限。除上述以外,由于 server 与 data center 客户在第二季为避免供应链中断,提升零组件及半成品库存水位,因此第三季开始着手去化,导致采购动能顿失,需求表现疲弱,故第三季 NAND Flash 各类产品合约价转为下跌。
另外,第三季中华为(Huawei)大量备货,除了针对智能手机所需的 MCP、UFS 产品外,消费性、低容量的 MLC eMMC 以及元件端的 NAND wafer 亦有影响,故推升第三季的位元出货量。
展望第四季,server 端客户仍延续库存去化策略,采购动能持续疲弱,加上华为衍生的备货动能消退,尽管有中国智能手机品牌加大备货力道,及苹果(Apple)新机上市挹注,仍无法摆脱供过于求态势。供给端三星(Samsung)与长江存储(YMTC)持续扩张产出的计划不变,将导致供过于求的状况再度恶化;在价格跌持续走弱的趋势下,预期第四季 NAND Flash 总产值仍将衰退。
三星电子(Samsung)
受到 server 采购端去化库存影响,整体需求表现疲弱导致平均销售单价下跌近 10%。然第三季中受华为禁令影响,刺激最后一波备货动能,加上苹果新机备货挹注,整体位元出货较前一季成长近 20%。第三季 NAND Flash 营收达 48.09 亿美元,季增 5.9%。
产能方面,三星仍维持在西安二期的扩产计划;产品方面,V5(92L)的产出占比仍为大宗,为维持成本竞争力,将致力于协助客户导入 V6(128L)的 SSD、UFS 等产品,预定 2021 年有较明显的移转。
铠侠(Kioxia)
受惠于华为备货需求、苹果新机,以及新游戏机需求挹注,整体位元出货较第二季上升近 25%,然受到整体 NAND Flash 市场需求转弱影响,平均销售单价下跌约 9%。除此之外,本季也计入并购 Liteon SSD 部门后的业务表现,推升其营收至 31.01 亿美元,季增 24.6%。
产能方面,尽管有 K1 厂的新产能加入,但总产能仍维持不变,且至 2021 年都不会有显著的提升。产品方面,目前供给仍以 96 层产品为主,112 层的 BiCS5 产品放量预计要 2021 下半年起才会开始发酵。值得留意的是,铠侠于 10 月 29 日正式宣布明年第一季将在四日市兴建 Fab7,并在 2022 年后产出,主要用以生产 BiCS6 以后的产品。
西数(Western Digital)
受到 PC 及 server 端客户去化库存影响,client 及 enterprise SSD 出货动能显得疲弱。纵使零售端及游戏类销售表现优于原先预期,推升位元出货较前季上升 1%,仍难以抵挡整体营收衰退。此外,受到产品结构转变与市场需求转弱影响,平均销售单价下跌约 9%,第三季 NAND Flash 营收达 20.78 亿美元,季减 7.1%。
产能方面,除了持续往岩手县 K1 厂投入资源,西数也将继续参与铠侠公告的 Fab 7 新厂建设,与其他 NAND Flash 品牌竞争。产品方面,仍预计 2021 年才会大量采用 BiCS5(112)层产品,目前出货仍以 96 层 BiCS4 为主,后续也将推出搭载 BiCS4 的 PCIe 4.0 SSD 产品。
SK 海力士(SK Hynix)
由于产品比重较着重 mobile 类别,受惠于 iPhone 新机、游戏机产品及华为备货的加持,SK 海力士第三季位元出货仍有约 9%的成长。然同样受到 server 端去化库存影响,除了 SSD 出货比重下降至 45%以下,平均销售单价也下跌约 10%,整体 NAND Flash 营收为 16.43 亿美元,季减 3.1%。
产能方面则无明显异动,预计该投片规模将维持到 2021 年;产品方面为提升成本优势,仍致力于推动客户采用成本较佳的 96 及 128 层产品方案,其中 128 层产品的产出预计到年底前可以达到 30%,至于 server 端则仍需一段时间完成导入。值得一提的是,SK 海力士于 10 月 20 日宣布收购 Intel NAND Flash 部门,TrendForce 集邦咨询表示,该收购案有助于其补强原本表现较弱的 QLC 及 enterprise SSD 领域,并提升整体 NAND Flash 市占至第二。
美光(Micron)
美光第三季 NAND Flash 营收达 15.3 亿美元,季减 8.1%。透过持续改善产品销售结构,其对通路 wafer 销售比重再度下降,但受到整体 NAND Flash 市况转弱的影响,本季平均销售单价仍降低近 8%;然整体位元出货在华为备货动能的帮助下,得以与第二季持平。
制程方面,已开始出货 128 层的 RG(Replacement Gate)产品,但后续重心仍是明年将推出的 176 层产品,包含出货给品牌端的 client SSD、UFS 等产品都将直接转进 176 层,预计在 2021 年第二季前送样。产品结构方面,其 QLC 出货占比也持续提升,成为市场上除 Intel 以外的主要选择。
英特尔(Intel)
受到 server 端客户去化库存的直接冲击,过往英特尔在 enterprise SSD 的高市占率反而成为压力,导致本季位元出货较前季减少近 25%;再加上价格因需求不振而衰退,平均销售单价下降约 10%。在价量齐跌的状况下,第三季 NAND Flash 营收仅 11.53 亿美元,季减 30.5%。
产能方面今年没有计划扩张,大连厂仍维持原产能运作,2021 年虽已有扩产规划,但长期扩产效益将多数归属予 SK 海力士。产品与层数规划方面,则将重心摆在 enterprise SSD,144 层产品持续送样给客户导入,并预计于 2021 年起放量。
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