SK海力士为下一代存储技术备战，新研发中心RTC成立-电子工程世界

据etnews报道，为改善DRAM、NAND Flash等产品性能，先于竞争对手开发下一代存储技术，SK海力士日前宣布公司重组了研发部门并成立了新研发中心RTC(Revolutionary Technology Center)。

该报道指出，RTC隶属于SK海力士未来技术研究所，将由Kim Jin-guk负责领导。SK海力士表示：“建立RTC是为了加强公司内存业务的竞争优势，并比竞争对手更快地开发新技术。”

据悉，RTC将研发改善芯片处理速度的高宽带内存(HBM)、电阻式RAM(ReRAM)；克服DRAM极限的自旋转移力矩式磁性随机存储器(STT-MRAM)、相位变化存储器(PRAM)；以及全面改良芯片容量、处理速度的3D DRAM等。

SK海力士一直致力于提高自己的技术能力，该公司2019年研发投入29.4亿美元，2020年第一季度在第三季度之间投入了23亿美元，占其收入的11％。

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