TD-LTE第二阶段战绩全优 中兴领衔全球4G时代

近日，TD-LTE第二阶段（多模技术）试验结束，在参与该阶段试验的通讯厂商中，中兴通讯成为唯一一家在芯片、终端、系统三个领域均通过测试的企业。中兴通讯相关领导层表示：中兴在TD-LTE领域的目标是做到全球第一。而今公布的“全优”成绩单，无疑再度夯实了中兴于TD-LTD领域的全球领军之位。

以全面实力领袖群伦

作为我国主导的新一代移动通信技术，LTE网络已在32个国家正式投入商用，另据权威机构OVUM预测，至2015年全球预计将有8900万TD-LTE用户，占所有LTE用户数的25%,4G时代的绝对主角毋庸置疑当属TD-LTD.中国移动自2010年开始，就在全国6个中心城市和1个主城区全面展开TD-LTE技术第一阶段的规模技术试验，第二阶段的规模技术试验则于2012年3月正式启动。

中兴通讯早在2011年12月，就实现了全部规范要求的功能，率先进入工信部测试。据了解，本次测试一共有11家系统厂家、13家芯片厂家参与了工信部测试及第一、第二阶段的规模技术试验测试，截止到4月底，其中有5家系统厂商和2家芯片厂商通过了第一、第二阶段的测试并达标，而中兴通讯是唯一一家于系统、终端、芯片三个领域全部达标的企业，展现了中兴通讯在TD-LTE领域领袖领先全行业的整体技术实力。

以自研芯片树行业标准

2011年12月，中兴自主研发的ZX297502芯片完成工信部组织的TD-LTE/TD-SCDMA多模功能、性能测试，该芯片上所承载的顶尖技术正是中兴能领袖群伦的关键。

相对于其他双芯片的TD-LTE多模技术，中兴ZX297502率先以单芯片实现了TD-LTD多模终端的技术要求。而且中兴的单芯片技术，解决了双芯片不支持多个模式间的快速切换、业务在跨越不同模式时不能保证快速恢复等一系列缺陷，保证终端产品耗电量低、待机时间长，而且能自动选择更加顺畅的模式，不同模式间的互操作也更为自如，从而实现用户在不同场景下极为顺畅的使用体验。

该芯片ZX297502的面世，也加快了中兴TD-LTE优质终端的强势推出。其中全球第一款TD-LTE/TD-SCDMA/FDDLTE/EDGE多模单芯片数据卡MF820S2,支持多模式的11个频段，使用户能在大多数系统环境下顺利操作外，峰值速率达100/50Mbps;另外，中兴推出的无线CPE MF29S2,其采用的模块支持IPv6/IPv4并率先通过了中移研究院的测试，为wifi用户创造出网络冲浪更好的体验。

以强势研发纵横市场

中兴雄厚的TD-LTE实力并非一蹴即至，而是源于中兴强大的研发力量和在该领域多年的精研。

正如中兴侯为贵董事长所说：“创新是企业赢得挑战的根本。”作为全球通讯行业的龙头企业，中兴通讯每年坚持将10%收入投入研发，2011年研发投入高达13亿美元，研发人员达到2.6万。2011年，中兴通讯凭借2826件国际专利超越日本松下，跃居全球企业国际专利申请量第一，就是中兴27年厚积薄发的成果。

而在TD-LTE领域，中兴更是早早就深谙得TD-LTE得天下的道理，于是倾注大量研发力量，从而积累下让他人难以望其项背的实力。据了解，中兴在LTE方面的专利拥有量已接近2000项，占全球范围LTE专利总量的7%,占据LTE标准制定者的主导地位，在未来全球4G时代的布局中占得绝对先机。

技术的不断创新为中兴通讯的全球发展提供了源动力，据了解，中兴已在全球建设了7个TD-LTE商用网络，其中包括日本软银50%的基站建设，并且还与和记黄埔旗下的Hi3G签署了北欧数国的LTE FDD/TDD建设协议，中兴正大踏步行走在通往TD-LTE全球第一的通途之上。