西部数据终于出手!174 亿美元收购东芝内存芯片业务

发布者:breakthrough2最新更新时间:2017-08-25 来源: 电子产品世界关键字:存储器  MRAM 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

  据不愿透露姓名的消息人士表示,一个包括西部数据在内的财团向东芝出价 1.9 万亿日元( 174 亿美元)收购其内存芯片业务。其中,西部数据将通过可转换债券提供 1500 亿日元( 13.72 亿美元),并且不要求得到企业的投票权。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。

  据悉,该财团还包括美国私募股权公司 KKR & Co 、具有政府背景的日本产业革新机构(INCJ)和日本政策投资银行,这几家机构各出资 3000 亿日元( 27.4 亿美元)。

  西部数据在本月初向东芝高层提出这项提案,若东芝接受,西部数据将撤销双方之间的诉讼,西部数据本周已派人抵达日本进一步交涉,东芝要求必须维持现有人员雇用,不得裁员。

  对此,东芝表示不对与芯片业务潜在收购者的磋商置评。西部数据不能立即置评,KKR不予置评。

  此前有报道指出,东芝 6 月选定一个由日本政府支持基金、私募股权投资公司贝恩资本(Bain Capital)和韩国芯片制造商SK海力士组成的财团,为芯片部门的优先竞购方。

  但自从东芝芯片工厂的合作伙伴——西部数据提起诉讼,要求出售芯片业务必须得到它的同意之后,谈判就停滞不前。

  为确保不会连续第二年录得负资产净值,避免被东京证交所摘牌,东芝希望在本财年度于明年 3 月结束前完成出售芯片业务。考虑到监管审批可能需要一些时间,东芝希望在8月底前达成协议,才可望避免2017会计年度(2017/4~2018/3)发生债务超额,免去被强迫下市的处分。目前正与合资伙伴西部数据集中交涉。

    以上是关于网络通信中-西部数据终于出手!174 亿美元收购东芝内存芯片业务的相关介绍,如果想要了解更多相关信息,请多多关注eeworld,eeworld电子工程将给大家提供更全、更详细、更新的资讯信息。

关键字:存储器  MRAM 引用地址:西部数据终于出手!174 亿美元收购东芝内存芯片业务

上一篇:寒武纪CEO陈天石:掌握AI芯片指令集是根本之策
下一篇:迎接嵌入式存储器转型 全球晶圆代工大厂投入MRAM研发

推荐阅读最新更新时间:2024-05-07 17:35

Crocus科技宣布收购恩智浦的MRAM专利
Crocus科技日前宣布收购恩智浦的一系列MRAM专利,恩智浦MRAM专利涵盖了北美及欧亚多个地区,Crocus并没有透露具体交易价格。 Crocus执行主席Bertrand Cambou在一份声明中指出:“现如今,知识产权在技术市场的竞争中显得越发重要,此次收购有助于保持Crocus在专利技术上的领先地位。” 本次收购后,Crocus在MRAM技术上拥有超过100项专利,包括材料、器件、设计以及产品知识等方面,在收购之前,Crocus的大部分专利都是自主研发或通过其合作伙伴,位于法国Grenoble的Spintec研发中心获得的。 Crocus在2001年5月时,宣布接受俄罗斯国家背景的纳米技术投资机构Rusnano共计3
[嵌入式]
S3C2410处理器与存储器的相关知识
1、S3C2410的存储空间与启动方式 Address space: 128Mbytes per bank (total 1GB/8 banks) Programmable access size (8/16/32-bit) for all banks except bank0 (16/32-bit) Total 8 memory banks Six memory banks for ROM, SRAM, etc. Remaining two memory banks for ROM, SRAM, SDRAM, etc . Seven fixed memory bank start address Adj
[单片机]
STM32访问外部存储器-NOR-Flash
基本说明 STM32访问外部存储器是需要配置FSMC的相关函数,在STM32固件库函数说明的中文翻译版中并没有这部分的说明,因此需要参考库函数的相关说明和库中自带的例程。 以下内容来自AN2784应用笔记: 2 与非总线复用模式的异步16位NOR闪存接口 2.1 FSMC配置 控制一个NOR闪存存储器,需要FSMC提供下述功能: ● 选择合适的存储块映射NOR闪存存储器:共有4个独立的存储块可以用于与NOR闪存、SRAM和PSRAM存储器接口,每个存储块都有一个专用的片选管脚。 ● 使用或禁止地址/数据总线的复用功能。 ● 选择所用的存储器类型:NOR闪存、SRAM或PSRAM。
[单片机]
存储器芯片封装技术详解
存储器想必大家已经非常熟悉了,大到物联网服务器终端,小到我们日常应用的手机、电脑等电子设备,都离不开它。作为计算机的“记忆”装置,其主要功能是存放程序和数据。一般来说,存储器可分为两类:易失性存储器和非易失性存储器。其中,“易失性存储器”是指断电以后,内存信息流失的存储器,例如 DRAM(动态随机存取存储器),包括电脑中的内存条。而“非失性存储器”是指断电之后,内存信息仍然存在的存储器,主要有 NOR Flash 和 NAND Flash 两种。 存储器的发展趋势 存储器作为电子元器件的重要组成部分,在半导体产品中占有很大比例。根据 IC Insights 统计,即使全球市场持续受到 COVID-19 的影响,存储产品的年
[半导体设计/制造]
<font color='red'>存储器</font>芯片封装技术详解
全球晶圆代工大厂投入MRAM研发
  全球主要 晶圆 代工厂计划在2017年与2018年提供磁阻式随机存取记忆体( MRAM )作为嵌入式储存解决方案,可望改变下一代储存技术的游戏规则。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。   据SemiEngineering网站报导,GlobalFoundries、三星(Samsung)、台积电(TSMC)和联电(UMC)计划在2017年稍晚开始提供ST- MRAM 或STT- MRAM ,取代NORFlash,此举代表市场的巨大转变,因为到目前为止,只有Everspin已经为各种应用提供MRAM,例如电池供电的SRAM替代品、读写缓存(WriteCache)等。   STT-MRAM的下一个大好机会就是嵌入式记忆体
[网络通信]
硫系化合物相变存储器
硫系化合物是由元素周期表第16族元素组成的合金(旧式元素周期表:第VIA族或第VIB族)。在室温条件下,这些合金的非晶态和晶态都十分稳定。当加热时,硫系化合物可以从非晶态变成晶态,反之亦然。 最近,GST成为一项新的具有突破性的非易失性固态存储器技术PCM的构成要素。事实上,非晶态和晶态具有不同的电阻率。固态PCM的基本原理是利用低电阻率(晶态)和高电阻率(非晶态)分别代表二进制数字1和0。因此,PCM以材料本身的结构状态存储信息,用一个适当的电脉冲信号引起两个(稳定)状态之间的转换。 在基于硅的相变存储器中,不同振幅的电流从加热元器件流出,穿过硫化物材料,利用局部热焦耳效应,改变接触区周围的可写入体积(图1)。经过强电流
[模拟电子]
硫系化合物相变<font color='red'>存储器</font>
存储器大厂3D NAND良率升 NAND Flash恐过剩
  受到部份零组件缺货影响,ODM/OEM厂2017年第四季PC出货不如预期,导致固态硬碟(SSD)需求急降,价格也一路走跌,2018年上半年 NAND  Flash市场供过于求已难避免。市调机构集邦预期,三星、东芝等 存储器 大厂已拟定3D  NAND 扩产计画,新产能将在2019年后开出,届时 NAND  Flash市场将供过于求。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。   SSD价格在2017年11月开始走跌,原因在于市场需求明显转淡,2.5吋SATA 3介面120GB TLC SSD价格由40美元跌到年初的32美元,240GB TLC SSD价格则由70美元跌至60美元。但由市场供需来看,上半年一向是传统淡季,但
[网络通信]
存储器开发商Weebit正将ReRAM技术扩展至22nm FD-SOI
以色列半导体存储器开发商Weebit Nano Ltd表示,该公司正在将其嵌入式电阻随机存取存储器(ReRAM)技术扩展到22nm FD-SOI。 据eeNews报道,Weebit正在与CEA-Leti研究所合作设计内存模块,其中包括一个万兆位的ReRAM块,目标是22nm FD-SOI工艺。2021年,Weebit在12英寸晶圆上采用28nm FD-SOI工艺技术测试了可用的1Mbit ream阵列。 格芯在德国德累斯顿的这个生产节点拥有一个批量FDSOI工艺——22FDX。在闪存无法有效扩展到28nm以下的背景下,这为新兴的非易失性存储技术提供了扩展到更高级节点的机会。 与此同时,嵌入式闪存预计不会扩展到22nm,这为Weeb
[手机便携]
小广播
最新网络通信文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved