DDR5可望成为下一代主流存储器接口?

发布者:数据迷航者最新更新时间:2017-09-25 来源: 电子产品世界关键字:DDR5  存储器 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

  存储器频宽与密度都比目前DDR4更高2倍的DDR5存储器介面芯片来了,预计最快在2019年量产,为服务器的主存储器带来更高效能与功率管理…下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。

  存储器世代即将来到DDR5 (第五代双倍数据率)的时代!

  Rambus最近宣布在其实验室中开发出DDR5的可用芯片——DDR5是动态随机存取存储器(DRAM)双列直插式存储器模组(DIMM)的下一代重要介面。预计从2019年开始,暂存时脉驱动器与数据缓冲器可望有助于为服务器倍增主存储器的传输速率,而且也引发了对于未来运算的争论。

  美国联合电子装置工程委员会(JEDEC)标准组织计划在明年6月之前宣布以DDR5规格作为下一代服务器的预设存储器介面。然而,有些分析师指出,DDR5出现的时机,将会在持久型存储器(即储存级存储器)、新式电脑架构与芯片堆叠等均陆续更新替代方案之际。

  Rambus产品行销副总裁Hemant Dhulla表示:“据我们所知,这是至今第一个在实验室中开发出实际可行的DDR5 DIMM芯片组,预计可在2019年量产。我们希望率先使其上市,并协助我们的合作伙伴推出该技术。”

  DDR5预计可支持高达6.4Gbits/s的数据率,传输频宽最高达51.2 GBytes/s,分别较目前的DDR4支持的3.2Gbits数据率与25.6GBytes/s传输频宽提高一倍。升级后的新版本将使64位元链路的运作压从1.2V降低至1.1V,并使突发周期(BL)从8位元进展至16位元。此外,DDR5可还让电压稳压器安装于该记忆卡,而不必再加进主板中。

  

下一代服务器DIMM缓冲器芯片瞄准DDR5存储器应用(来源:Rambus)

  同时,CPU供应商预计将使其处理器的DDR通道数从12个扩增到16个通道,从而可能使主存储器的容量从现有的64GB提高到128GB。

  预计DDR5将最先出现在执行大型数据库的高性能系统,或是诸如机器学习等具有庞大存储器容量需求的应用中。Dhulla表示,虽然有些服务器可能会延迟达6个月才采用DDR5,“但这只不过是几季的时间罢了,并不是好几年……每个人都想要更大容量的存储器。”

  当今大约有90%的服务器都采用暂存或降低负载的DIMM——这些DIMM则采用暂存器时脉以及数据缓冲器。这些芯片通常由Rambus、IDT和Montage等公司以不到5美元的价格销售。

  替代型存储器崛起

  DDR5标准出现的时间,大约就是JEDEC为支持一系列DRAM与持久型存储器组合的存储器模组发布NVDIMM-p (非挥发性DIMM)介面之际。英特尔(Intel)表示将在明年推出采用其3D XPoint芯片的服务器DIMM;其他公司也预计将推出采用3D NAND的NVDIMM-p存储器。

  相较于传统的DRAM模组,新版存储器预计将在密度和延迟方面更具优势。不过,预计其价格也将会更高,而DRAM可望维持原始速度的优势。

  

DDR5介面芯片的存储器频宽与密度都比DDR4更高2倍(来源:Rambus)

  市场研究公司WebFeet Research总裁Alan Niebel表示:“市场将会非常需要DDR5...但它仍然是DRAM,而且也很耗电。它推动了传统的冯·诺伊曼(Von Neuman)系统进展,但我们仍然需要持续推出持久型存储器替代方案,以及新的运算模式。”

  事实上,Hewlett-Packard Enterprise (HPE)已经发布了一款采用Gen-Z存储器介面的原型系统。Gen-Z是在今年8月才推出的全新存储器架构。

  WebFeet首席分析师Gil Russell表示:“许多人并不看好DDR5能成为下一代的存储器介面。”

  DRAM的制程技术微缩正趋近于其核心电容器的实体限制,这使得Russell等业界分析师预期这种存储器设计将在未来的5至10年内终结。他强调,更高的错误率必须在芯片上建置纠错程式码的电路。

  然而,存储器领域“是一个真正进展缓慢的领域。”Russell说:“要让DIMM获得市场的认可,大概就得花一年的时间,而且大家总想要以尽可能最低的成本导入。”

  同时,为了进一步提高速度与密度,AMD和Nvidia的高阶绘图处理器(GPU)已经改用高频宽的存储器芯片堆叠了。Rambus的Dhulla指出,芯片堆叠仍然是一种昂贵的途径,仅限于用在高阶的GPU、FPGA以及通讯ASIC。

  Dhulla表示,“DDR5显然是开启大量机会的理想途径。但目前业界较大的争论焦点是在DDR5之后以及2023年以后将如何发展。因此,我们的实验室也正着眼于多种替代方案。”

    以上是关于网络通信中-DDR5可望成为下一代主流存储器接口?的相关介绍,如果想要了解更多相关信息,请多多关注eeworld,eeworld电子工程将给大家提供更全、更详细、更新的资讯信息。

关键字:DDR5  存储器 引用地址:DDR5可望成为下一代主流存储器接口?

上一篇:小米重回前五 贡献最大却是红米系列
下一篇:晋华明年第四季完成DRAM第一阶段开发

推荐阅读最新更新时间:2024-05-07 17:38

存储器域与PCI总线域
HOST主桥的实现因处理器系统而异。PowerPC处理器和x86处理器的HOST主桥除了集成方式不同之外,其实现机制也有较大差异。但是这些HOST主桥所完成的最基本功能依然是分离存储器域与PCI总线域,完成PCI总线域到存储器域,存储器域到PCI总线域之间的数据传递,并管理PCI设备的配置空间。 上文曾经多次提到在一个处理器系统中,存在PCI总线域与存储器域,深入理解这两个域的区别是理解HOST主桥的关键所在。在一个处理器系统中,存储器域、PCI总线域与HOST主桥的关系如图2‑1所示。   上图所示的处理器系统由一个CPU,一个DRAM控制器和两个HOST主桥组成。在这个处理器系统中,包含CPU域、DRAM域、存储器
[嵌入式]
传苹果考虑加入美日韩联盟,出资东芝存储器业务
 东芝(Toshiba)21日宣布,决定由日本官民基金“产业革新机构(INCJ)”、美国投资基金以及韩国SK Hynix等所筹组的“日美韩联盟”作为半导体事业子公司“东芝存储器(Toshiba Memory Corporation、以下简称TMC)”的优先交涉对象,而该日美韩联盟将有强大的生力军加入?据悉苹果(Apple)考虑加盟。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 另外,因日本政府打出“忧心技术外流”大旗、导致台湾鸿海未能被选为优先交涉对象,但为什么同样身为“海外企业”的SK却能被选中?对此东芝有作出说明。 苹果可能将加入“日美韩联盟”,主因苹果iPhone等产品使用了大量的存储器,而若能对TMC进行出资、就有望更易
[嵌入式]
工程师分享:适用于智能电池的微控制器存储器技术
大多数智能 电池 都要用到微控制器(MCU)。MCU的体系结构不但会影响电池本身的性能,甚至会间接影响到电池供电的设备。因此,设计人员在选择MCU时 不能掉以轻心,必须要考虑到多方面的因素,像价格、处理速度、代码兼容性、可移植性,以及是否有实用的应用资料、在相关产品中的应用情况、开发环境的多寡都是决策时的重要依据。 程序存储器的类型——如ROM,EPROM(可擦除可编程只读存储器)和Flash—— 也是要考虑的一个因素。对于某一类应用,各种 存储器 都有其优点和不足。显然,如果一个微控制器厂商的产品品种比较全,包含了各种类型的存储器,那么在选用 其器件时的余地就很大,可以最大程度地满足具体项目的需要。 有些电池的充电算法和控制程序
[电源管理]
SPI存储器的结构特点及在自动测试仪上实现测试的方法研究
本文分析了SPI 存储器的结构特点和测试难点,提出了一种基于并行转串行逻辑的SPI 存储器算法图形自动产生的方法,并以SPI EEPROM 芯片AT25HP512 为例,实现了测试程序开发。实验证实,该方法可以克服SPI 存储器地址算法自动产生的困难,对该类芯片测试具有通用性。 0 引言 串行存储器大多采用I2C 或SPI 接口进行访问,其中以SPI 接口的芯片最多,主要包括EEPROM、FLASH memory、FRAM等类型。与并行存储器相比,串行存储器引脚少、体积小、易于扩展、与单片机或控制器连接简单、工作可靠,而且大多拥有掉电保持数据的特性,所以越来越多地用在各类电子产品和工业测控系统中。但SPI 存储器所有输入的内容
[测试测量]
SPI<font color='red'>存储器</font>的结构特点及在自动测试仪上实现测试的方法研究
STM32直接存储器访问DMA
第一次接触DMA是在学校学习ARM9裸板程序的时候,想起来都时隔快2年了。现在来看看STM32平台的DMA,一样,在标准外设库的支持下,STM32的DMA编程十分简单,但是既是学习,那还是花点时间看看DMA的相关概念及原理的了解下。 1. DMA简介 DMA是Direct Memory Access的简称,是直接存储器访问的意思。DMA是STM32单片机的外设之一,主要功能是用来搬移数据的。通过DMA搬移数据不需要CPU直接参与控制,也不需要中断处理方式那样保留现场和恢复现场。在传输数据的时候,CPU可以干其他事情。 无使用DMA的数据传输: 使用DMA后的数据传输: DMA数据传输支持从外设到存储器、存储器到外设
[单片机]
STM32直接<font color='red'>存储器</font>访问DMA
三星存储器项目落户西安的五大意义
  8月30日,陕西省政府与韩国 三星 电子签署合作协议,宣布 三星 电子将在西安高新区建设 三星 电子存储芯片二期项目,已确定的首次投资为70亿美元(约合463亿人民币)。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。   这是继2012年三星电子入驻高新区以来的再次投资,标志着西安在全球半导体产业基地地位愈加凸显。   2012年,西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目,其一期项目总投资达100亿美元。该项目成为三星海外投资历史上投资规模最大的项目,也是改革开放以来我国电子信息行业最大外商投资项目,陕西乃至西部地区引进的最大外商投资高新技术项目。   三星电子存储芯片一期项目2014年5月竣工投产。该项目带动了100多家配套
[网络通信]
Cortex-M3 (NXP LPC1788)之EEPROM存储器
EEPROM是一种非易失性存储器,主要用于存储相对少量的数据,如存储一些系统的配置信息。通过系统的EEPROM控制模块可以轻松的进行EERPOM的存储控制。 要正确使用EPPROM需要配置掉电寄存器EEPWRDWN确定EEPROM的工作模式,配置EEPROM时钟分频器寄存器,使EPPROM工作在375KHZ。下面对EPPROM的读和写数据进行介绍。 EEPROM存储器的访问有三种操作方式:读、写、擦除/编程。对EPPROM中写数据分成两个单独的操作:写和擦除/编程。第一步写操作并不是真正把数据写入EPPROM的存储介质中,而只是更新被称作 页寄存器 的临时数据寄存器。只有执行下一步 擦除/编程 操作才会真正
[单片机]
Cortex-M3 (NXP LPC1788)之EEPROM<font color='red'>存储器</font>
44b0存储器扩展彻底研究——nWE, nWBE, nBE三者关系
1.存储器扩展地址、数据线的连接方法重点参见2440手册,主要涉及地址对齐问题,较容易理解,此处不作论述。 2. nWE, nWBE, nBE三者之间的关系 (1)nWE为写使能信号。 (2)nWBE为 写字节使能(write byte enable) 信号,而nBE 为高/低字节选择信号。nWBE与nBE共用引脚,可以通过对相关寄存器设置来进行功能选择。 (3)什么时候需要nWBE而不是nWE? nWE和nWBE都带有写使能的功能。但既然有nWE,为什么还需要nWBE?这是因为,当使用几片储存芯片进行数据位扩展时,有时需要对芯片分开写数据,此时可使用nWBE。 在图5-4中,仅有一片8bit的ROM,因此仅需要nWE
[单片机]
小广播
最新网络通信文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved