据外媒报道,得益于芯片市场需求的回升和芯片价格的暴涨,韩国芯片生产商海力士在今年第三季度的运营利润大涨了415%。海力士公司目前是世界第二大的半导体元件制造商,在截至9月末的第三季度中,海力士公司的运营利润达到了3.7万亿韩元(约合人民币218.1亿元),这远远高于比去年同期的7260亿韩元。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。
此外,SK海力士公布今年7-9月营收为8.1万亿韩元,较去年同期成长91%;营业利润达3.73万亿韩元。
SK海力士表示,当季DRAM出货成长17%,平均售价较前季成长6%,主要受惠于移动设备,以及服务器季节性需求强劲。在NAND快闪存储器方面,出货增长16%,但单位平均售价则是下滑3%。
随着苹果新机上市,第四季通常是存储器产业的旺季,分析师看好SK海力士更上一层楼,盈利有望突破4万亿韩元大关。
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内存价格飙升,海力士Q3利润大涨415%
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三星因内存涨价被发改委约谈:或涉及行业垄断
在持续收到手机厂商投诉之后,监管机构开始关注已经持续涨价6个季度、并且明年一季度仍会继续涨价的存储芯片。12月21日,多位知情人士告诉21世纪经济报道记者,“发改委已经就此问题约谈 三星 。”不过,目前并不确定是否会发起反垄断审查。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。 三星 是全球最大的存储芯片厂商,其DRAM产品市场占比约48%,NAND Flash产品市场占比约35.4%。DRAM、NAND Flash是存储芯片两大主力产品,前者主要用于 内存 ,后者用于存储数据的闪存。两类产品在手机、电脑、服务器市场广泛应用。根据分析机构中国闪存市场(CFM)提供数据,2017年,全球存储芯片市场规模950亿美元,其中
[手机便携]
SK海力士宣布开发出具备计算功能的内存PIM
SK海力士宣布,已经开发出具备计算功能的下一代内存半导体技术“PIM”(processing-in-memory,内存中处理)。 同时,SK海力士还开发了首款基于PIM技术的产品“GDDR6-AiM”的样品,与传统DRAM相比,GDDR6-AiM通过与CPU、GPU相结合的系统,在特定环境中,能够将演算速度提高16倍之多。 这意味着,GDDR6-AiM在机器学习、高性能计算、大数据计算和存储领域,将有着相当广泛的应用前景。 在性能大幅提升的同时,采用PIM技术的GDDR6-AiM的工作电压为1.25V,与GDDR6的1.35V相比降低明显。 此外,PIM技术的应用减少了内芯片与CPU、GPU的数据传输往来,从而降低
[嵌入式]
SK海力士推新款DDR5,每秒能处理11部电影!
集微网消息,今日,韩国第二大芯片制造商SK海力士宣布开发了一种新型DRAM DDR5,它具有更快的速度和更高的功效,可满足大数据,人工智能和机器学习的需求。 SK海力士表示,这款16G的DDR5采用了和之前10 nm等级的第二代8 G的DDR4一样的制程,与DDR4相比,DDR5的功耗会降低30%。尽管耗电量很少,但新款DRAM的数据传输速度高达每秒5200Mbps,远高于DDR4的3200Mbps。这意味着DDR5能在一秒内内处理41.6G的数据,或11个大小为3.7G的电影文件。 SK海力士称,这是业界第一个符合固态技术协会(JEDEC)标准的DDR5 DRAM。
[手机便携]
创见发布工业级DDR4-3200内存模组
创见宣布发布其新的工业级DDR4-3200内存模块系列。该系列关注5G网络和边缘智能计算。这些模块的特点是高传输带宽,3200MHz,低延迟,低功耗,运行电压为1.2V。 根据公司发布的版本,该系列包括无缓冲长DIMM、无缓冲SO-DIMM、ECC长DIMM、ECC SO-DIMM和长DIMM等多种形式。 此外,这些内存模块针对Intel、AMD和ARM处理器进行了优化,符合JEDEC规范。 就性能和内存容量而言,DDR4-3200内存模块的容量为8-32GB。可应用在高端服务器、计算机、人工智能设备和其他设备。由于只使用1.2V电压,它们比DDR3、DDR2和DDR功耗更低。 DDR4-3200模块的另一个重要特
[嵌入式]
图谋入主东芝半导体 SK海力士备重金
SK海力士 (SKHynix)入主 东芝 (Toshiba)半导体事业部的竞争即将进入白热化,但规模上看26兆韩元(约228亿美元)的钜额投资计划,是否能为SK海力士 带来1加1大于2的事业综效,外界出现不同评价。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 据韩媒MoneyToday报导, 东芝 为了弥补核能事业亏损,日前已决定全数出售半导体事业部股份。业界推算,依照100%股份市价再加20~30%的经营权移转贴水,总规模应在24兆~26兆韩元之间,可望打破韩国购并史上的最高纪录。 市调机构IHS的资料显示,2016年 SK海力士 在全球DRAM市场占有率为25.2%,仅次于三星电子(Samsun
[半导体设计/制造]
SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM
SK海力士宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。 HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技术*,由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成,是一种高价值产品,创新性地提高了数据处理速度。SK海力士去年7月在业界首次开始批量生产HBM2E* DRAM后,时隔仅1年零3个月开发了HBM3,巩固了该市场的主导权。 SK海力士强调,“通过此次HBM3,不仅实现了目前为止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量,还大幅提高了质量水平。” SK海力士研发的HBM3能够每秒处理819GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输 163部全高清(Full-HD)电影(每部5GB)。与上一代HBM2E相
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美光将利用IBM 3D制程制造首颗商用内存芯片
近日,IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(Hybrid Memory Cube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。 美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; TSVs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制程将运用在美光的混合式记忆体立方之中。美光芯片的部分零件将会在IBM位于纽约的晶圆厂生产。 IBM将会在12月5日于美国华盛顿举行的IEEE 国际电子装置会议上展示它的TSV制程技术。 对于美光而言,混合式记忆体立方(HMC)是DRAM封装的一项突破。HMC的原型能以每秒128GB的速率执行,相较于目前的记忆体芯片的速率为12.8 GB/s
[嵌入式]
消息称 SK 海力士测试东京电子低温蚀刻设备,有望简化闪存生产
5 月 7 日消息,据韩媒 The Elec 报道,SK 海力士正向东京电子(TEL)发送测试晶圆,以测试后者的低温蚀刻设备,有望在未来 NAND 闪存生产中导入。 目前,提升堆叠层数是提升单颗 3D NAND 闪存颗粒容量的主要途径。然而在层数提升的过程中,在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度随着深宽比的增高逐渐加大,速度也随之降低。 厂商不得不考虑将整体 NAND 闪存分割为多个闪存堆栈制造,之后将各个堆栈键合为一体。不过多堆栈结构在键合过程中引入了对齐等新问题,性能、能效也有所下降。 东京电子的新型低温蚀刻设备工作环境温度为-70℃,明显低于现有蚀刻设备的 0~30℃。 参考 IT之家去年报道 ,新设备可在 33 分钟内蚀刻 10
[半导体设计/制造]