推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 11:29
小钛科普:为何固态硬盘比机械硬盘更省电
每年的4月22日是世界地球日,这是一个专为世界环境保护而设立的节日,旨在提高民众对于现有环境问题的意识,并动员民众参与到环保运动中,通过绿色低碳生活,改善地球的整体环境。 每年4月22日为世界地球日(图片来自互联网) 节约能源就是减少碳排放和一系列的减少污染。对于节约,一方面是避免主观上的浪费,同时更重要的是科技的进步带来更低碳而又高效的生活,比如固态硬盘比机械硬盘在传输速度上要快许多,这样传输同样数据所需要的能量更少,另外在储存数据上,固态硬盘也更加节能。 那么固态硬盘相较于机械硬盘为什么更加节能呢?给大家科普一下! 目前主流的硬盘主要分为,HDD(Hard Disk Drive)也就是机械硬盘以及SSD(S
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韩媒:4月DRAM价格飙升,NAND闪存价格未变
据韩媒BusinessKorea报道,新冠肺炎的蔓延致使远程办公、教学等线上活动增加,从而服务器需求激增,因此DRAM的合约价格在4月份飙升。 据市场研究公司DRAMeXchange 的最新数据,截至4月底,用于个人电脑的DDR4 8GB DRAM合约价格平均为3.29美元,较3月的2.94美元上涨11.9%,此为2017年4月以来DRAM价格首次呈现两位数的月度涨幅。 据悉,DRAM的价格自今年1月以来一直在上涨,此前全球半导体市场的放缓一直持续到2019年底,而这种上升趋势是由新冠肺炎的蔓延引起的。由于数据中心安装了更多的服务器,以满足远程办公和在线课程日益增长的需求,内存半导体的销售有所增长。 然而,固态硬盘使用的NAN
[手机便携]
3D闪存大战在即,美光砸40亿建厂
传统的平面闪存在16/15nm工艺之后面临瓶颈,厂商开始转向3D闪存,这其中三星动作最快,去年就已经开始量产第二代V-NAND闪存了,850 Pro及850 Evo硬盘也上市了。东芝/闪迪系也在跟进,在日本扩建Fab 2工厂准备3D闪存生产,Intel/美光系去年底也公开了他们的3D NAND闪存,现在也准备量产了。日前美光宣布投资40亿美元扩建新加坡的Fab 10晶圆厂,明年底开始量产第二代3D NAND闪存。
美光在新加坡现有Fab 10N晶圆厂,每月产能约为14万片等效晶圆,这次投资新建的是Fab 10X晶圆厂,主要生产第二代3D NAND闪存,建成后每月产能还是大约14万片等效晶圆,不过之后就是3D NAND闪存了,
[嵌入式]
海力士计划明年量产20纳米NAND Flash
韩国半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20纳米制程量产NAND Flash。此20纳米制程快闪存储器可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置,相较26纳米存储器,晶圆(wafer)产出量提高约25%。 海力士社长权五哲表示,自2010年8月投入量产的26纳米64Gb NAND Flash目前出货相当顺利。2011年中计划量产20纳米制程产品。海力士持续引领DRAM产品制程微缩趋势,然而NAND Flash产品技术方面在过去1、2年落后其它竞争业者,但开始量产26纳米NAND Flash之后,相信技术方面与其它先驱企业间的差距已大幅缩减。 海力士在30纳米制程NAND Flash开发及量产上虽
[半导体设计/制造]
东芝存储器重启NAND投资 联合对抗三星
随 东芝 存储器 (TMC)股权出售案定案,全球NAND快闪 存储器 市场形成三强鼎立态势:三星电子(Samsung Electronics), 东芝 存储器 、西部数据(WD)、与SK海力士(SK Hynix)团队,以及英特尔(Intel)与美光(Micron Technology)联盟。现在 东芝 要重新挑战三星,但与西部数据的官司成为最主要的问题。下面就随网络通信想不用去了了解一下相关内容吧。 东芝存储器社长成毛康雄,在2017年10月13日参加日本四日市的事业说明会中,指出2017年内已对四日市工厂进行3,150亿日圆(约28.1亿美元)的设备投资,为确保竞争力,还可能追加投资,且未来每年都会有3,000亿~4,
[网络通信]
美光3D NAND采创新晶圆制程降低成本
美光(Micron)已开始量产商用3D NAND Flash产品,其中Crucial 750 GB SATA 2.5英寸固态硬碟(SSD)是首批产品之一,最大特点为连续读取/写入速度分别可达每秒530 MB与510 MB,功耗则只有一般传统硬碟(HDD)的10%,使用寿命也更长。 据EE Times报导,三星电子(Samsung Electronics)于2014年推出32层V-NAND,并在2016年开始量产第三代V-NAND产品,其48层结构以及20纳米的半位元线间距是三星的最大优势。 美光则选择创新作法,透过将主动电路(active circuitry)置于存储器阵列下方的设计,成功缩小晶片面积,提升储存
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144层QLC(四级单元)NAND预计2020年面世
英特尔透露,2019年第四季度将会推出96层的3D NAND闪存产品,并且还率先在业内展示了用于数据中心级固态盘的144层QLC(四级单元)NAND,预计将于2020年推出。 事实上,近年来闪存的快速发展,的确在数据中心很多领域取代了传统机械硬盘的位置,高性能机械硬盘已经开始退出历史舞台,以采用高性能硬盘的高端存储阵列为例,DELL EMC、华为等多个存储厂商的最新高端存储产品全部采用了闪存,彻底告别了机械硬盘,闪存容量技术的不断创新,一方面进一步提升了闪存容量和性价比,另一方面也加快了对传统机械硬盘市场的蚕食。 在本次大会上,英特尔还介绍了5级单元闪存(5位/秒单元)技术,相比于QLC,该技术可以让闪存容量进一步提升,并
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全方位揭密英特尔意法合资公司Numonyx
自半年多前英特尔与意法宣布各自剥离闪存部门,成立新的合资公司起,这个新的合资公司就成为业界关注的焦点。而由于一直没有正式宣布成立,也没有向外界有更多的信息发布,其就像一个身披神秘面纱的巨人,令业界不断猜疑,从其神秘的名字,到其运营,业务定位、产能,以及与英特尔、意法、海力士、美光这几个合作伙伴之间的暧昧关系,都充满着神秘色彩。 昨天,也就是Numonyx正式宣布成立的第21天,新公司CEO Brian Harrison首次亮相中国,全方位就以上业界关心的问题进行解疑。Harrison之前是英特尔公司副总裁兼闪存产品部总经理。 Brian Harrison:我们不会因为玩规模而牺牲利润,我们要保证充足的现金流,为用
[焦点新闻]