美光3D NAND采创新晶圆制程降低成本-电子工程世界

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美光(Micron)已开始量产商用3D NAND Flash产品，其中Crucial 750 GB SATA 2.5英寸固态硬碟(SSD)是首批产品之一，最大特点为连续读取／写入速度分别可达每秒530 MB与510 MB，功耗则只有一般传统硬碟(HDD)的10%，使用寿命也更长。

据EE Times报导，三星电子(Samsung Electronics)于2014年推出32层V-NAND，并在2016年开始量产第三代V-NAND产品，其48层结构以及20纳米的半位元线间距是三星的最大优势。

美光则选择创新作法，透过将主动电路(active circuitry)置于存储器阵列下方的设计，成功缩小晶片面积，提升储存密度。加上美光采用尺寸较大的晶圆制程节点(40纳米半位元线间距)，成本方面应比三星V-NAND产品更具竞争力。

Crucial 750 GB SSD内含8个美光32层3D NAND模块，数量是三星T3 2 TB SSD中48层V-NAND模块数量的2倍。不过三星已能够在每个NAND封装模块内塞入16块面积为99.8平方公厘的芯片，每块芯片的储存容量为32GB，换算每平方公厘的密度为320MB。而美光则是在单一封装模块中塞入2块面积165平方公厘的芯片，同单位的储存密度只有284MB低于三星。

据Techinsights结构分析中的图片显示，美光3D NAND晶片的垂直NAND串由38个闸极层构成，其中32个为NAND存储单元，其余6个则可能作为虚设及选择闸极。NAND阵列位于2或3层金属互连与电晶体之上。

显然三星与美光都决定将赌注放在3D NAND身上，现在就等着看SK海力士(SK Hynix)以及东芝(Toshiba)这两大竞争对手，能否开发出更具竞争优势的产品了。

关键字：美光引用地址：美光3D NAND采创新晶圆制程降低成本

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