左拥台积右抱GF　ARM忙扩事业版图

继日前与台积电延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安谋国际(ARM)再于14日宣布与格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)签订合约，双方将合推采用格罗方德20奈米制程与鳍式场效电晶体(FinFET)技术的ARM核心系统单晶片(SoC)，并携手发展新一代Mali绘图处理器(GPU)核心。  

格罗方德全球行销暨业务执行副总裁Mike Noonen认为，格罗方德20奈米LPM技术极具成本效益，且相较于28奈米，可提升40%效能及两倍闸极密度。
ARM执行副总裁暨处理器部门与实体矽智财(IP)部门总经理Simon Segars表示，此次合作将同步优化ARM与格罗方德技术，为智慧型手机、平板装置与个人电脑提供高效能ARM处理器。在双方密切配合之下，也将加速开发新世代20奈米低耗电(LPM)与FinFET制程技术，确保客户能获得多种实作选项，顺利将半导体发展往前推进两个世代。  

事实上，ARM不久前才与全球晶圆代工龙头--台积电延续20奈米先进制程合作计划，针对ARMv8架构下的新一代64位元ARM处理器、Artisan实体IP及FinFET制程技术进行最佳化，以应用于要求性能与节能兼具的高阶行动装置、企业级伺服器。  

未届一个月，ARM旋即又与格罗方德携手，着手开发完整Artisan实体IP平台，包含Standard Cell、记忆体编译器和封装堆叠(PoP)IP解决方案等，可见其积极巩固行动市场地位、防堵英特尔(Intel)后来居上，并扩展个人电脑与企业级设备版图的雄心。  

格罗方德全球行销暨业务执行副总裁Mike Noonen强调，ARM技术已整合至全球许多产量最高的行动装置中，在今后数年内的重要性只会不断提高。因此，藉由格罗方德先进制程知识，结合低功耗ARM中央处理器(CPU)和GPU核心架构，将为双方未来开辟行动装置市场版图，带来绝佳竞争优势。  

据了解，格罗方德已致力打造ARM Cortex-A系列处理器数年，包含一系列28奈米制程方案，以及现正于纽约Malta晶圆厂实作的20奈米测试晶片。新合约将延续既有成果，进一步推动IP平台生产，并助力客户迅速转移至三维(3D)FinFET电晶体，开发更具前瞻性的ARM架构处理器，以便在智慧型手机、平板装置与超薄笔电中，实现更优异的系统效能和电源效率。