三星宣布推出基于高阶款4+4核心架构Exynos 5 Octa (5422),以及6核心架构Exynos 5 Hexa (5260)两款处理器的手机参考设计与开发板。另外,针对对应中国TDD-LTE等主流通讯规格,三星也宣布推出Exynos ModAP及Exynos Modem 300系列等产品,预期与其他厂商竞争中国市场。
为进一步拓展Exynos系列处理器应用,三星除先前宣布推出高阶款big.LITTLE 4+4核心架构Exynos 5 Octa (5422),以及6核心架构Exynos 5 Hexa (5260)两款主流款新处理器,此次也宣布基于两款处理器首次提供手机参考设计,进一步让合作夥伴可直接藉由参考设计推出产品 (如同Qualcomm提供QRD策略)。
而基于物联网应用,三星也分别以Exynos 5 Octa (5422)、Exynos 5 Octa (5420)、Exynos 5 Octa (5410)与Exynos 4 Quad推出开发板,并且对应Linux、Ubuntu与Android等开放平台作业系统。
针对4G LTE市场发展部分,三星也宣布推出自有整合LTE Modem的SoC处理器产品Exynos ModAP系列,并且以本身28nm HKMG制程技术生产,对应4G LTE Release 9 of 3GPP与Cat 4通讯规格,同时相容FDD-LTE与TDD-LTE。处理器本身则为四核心架构设计,并且瞄准中阶市场产品应用,相容录制4K影片内容,其余细节则尚未公布。
在通讯数据晶片部分,三星也宣布推出新款Exynos Modem 300系列,同样将对应相容FDD-LTE与TDD-LTE等常见4G LTE通讯规格,并且向下相容既有2G与3G通讯讯号。另外,三星也宣布推出支援多频多模的Exynos RF IC系列协作处理晶片,并且可高度支援Exynos ModAP系列。
关键字:高通 三星 LTE整合处理器
引用地址:挑战高通 三星推参考设计、LTE整合处理器
为进一步拓展Exynos系列处理器应用,三星除先前宣布推出高阶款big.LITTLE 4+4核心架构Exynos 5 Octa (5422),以及6核心架构Exynos 5 Hexa (5260)两款主流款新处理器,此次也宣布基于两款处理器首次提供手机参考设计,进一步让合作夥伴可直接藉由参考设计推出产品 (如同Qualcomm提供QRD策略)。
而基于物联网应用,三星也分别以Exynos 5 Octa (5422)、Exynos 5 Octa (5420)、Exynos 5 Octa (5410)与Exynos 4 Quad推出开发板,并且对应Linux、Ubuntu与Android等开放平台作业系统。
针对4G LTE市场发展部分,三星也宣布推出自有整合LTE Modem的SoC处理器产品Exynos ModAP系列,并且以本身28nm HKMG制程技术生产,对应4G LTE Release 9 of 3GPP与Cat 4通讯规格,同时相容FDD-LTE与TDD-LTE。处理器本身则为四核心架构设计,并且瞄准中阶市场产品应用,相容录制4K影片内容,其余细节则尚未公布。
在通讯数据晶片部分,三星也宣布推出新款Exynos Modem 300系列,同样将对应相容FDD-LTE与TDD-LTE等常见4G LTE通讯规格,并且向下相容既有2G与3G通讯讯号。另外,三星也宣布推出支援多频多模的Exynos RF IC系列协作处理晶片,并且可高度支援Exynos ModAP系列。
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Gartner:联发科动能表现 优于高通
顾能(Gartner)最新报告指出,去年全球前十大半导体晶片商年度营收普遍较前年衰退,以手机晶片龙头高通衰退17.4%最多;联发科虽未挤进前十大,但在合并立錡的效益下,去年营收仍维持小幅成长近0.1%,较高通出色。
顾能预估,高通去年整体营收159.36亿美元,全球半导体厂营收排名掉出前三大,被南韩SK海力士取代,滑落至第四。业界解读,高通去年度营收排名衰退,且年度营收较前年下滑,反映手机市况不佳。
高通近来受到手机市况不佳影响,加上专利授权业务受创,中国、欧盟、南韩、台湾都展开反垄断调查。
去年2月,高通与大陆达成和解,接受高达9.75亿美元的反垄断罚款,并专利授权金打65折,与中兴、华为、小米等品牌厂重新签约
[手机便携]
三星的机海战术究竟有何过人之处?
南韩三星旗下的智慧型手机和平板电脑种类众多,不管哪种价位和尺寸一应俱全,光是Galaxy系列的产品就有26种,宏达电(HTC)、摩托罗拉(Motorola)和苹果虽然也开始生产多样化装置但仍难望其项背,究竟这机海策略的背后有什么样的故事呢?
根据“南韩时报”(Korea Times)报导,因为三星行动装置业务表现过于强劲,因此有意关闭赔钱的桌上型个人电脑(PC)事业,但三星已经否认报导内容,但就算事情真的发生也不值得意外。
三星机海满足不同的客户需求
近年来三星不断以各种机型进攻市场,丝毫没有缓步之势。虽然打出不同产品尺寸、规格和软体来吸引消费者,但“撒网式”的产品策略不一定百发百中,不过,只要对消
[手机便携]
高通加入Eclipse基金会和SOAFEE,加速推动软件定义汽车技术的未来
要点: • 高通技术公司加入汽车行业首批成立的软件定义汽车(SDV)联盟:Eclipse基金会SDV工作组和SOAFEE特别兴趣小组(SIG)。 • 以上联盟旨在通过开发基于开放标准的软件基础设施元素提升下一代车内体验,这些元素能够满足在汽车整个生命周期内开发和部署汽车软件功能的需求。 • 作为公司“开发者优先”战略的一部分,高通技术公司将充分发挥技术领先优势,推动基于开放标准的SDV技术的开发与普及,加速汽车行业数字化转型。 2023年8月17日,圣迭戈——高通技术公司今日宣布,加入两个聚焦软件定义汽车(SDV)的联盟: Eclipse基金会的软件定义汽车工作组以及面向嵌入式边缘的可扩展开放架构
[汽车电子]
猛挖联发科墙角 高通QRD攻势凌厉
历经半年的推广,高通参考设计(QRD)已成功在中国大陆3G市场获得当地手机制造商青睐,其中,更不乏联发科原有客户。高通6月1日在深圳再度大阵仗举办中国大陆合作夥伴峰会,除宣布QRD获得联想、酷派等一线大厂采用外,亦成功打入联发科在2G时代即紧密合作的辉烨及龙旗供应链,对联发科的威胁大增。 高通资深副总裁暨大中华区总裁王翔提到,相隔半年后举行的QRD中国大陆合作夥伴峰会,规模已扩大三倍,相关合作厂商也增加至四百家,显见QRD迅猛发展的态势。
高通资深副总裁暨大中华区总裁王翔表示,自2011年底QRD正式登场以来,加入该平台计划的中国大陆原始设备制造商(OEM)已扩充至三十余家,并有十七家发布二
[手机便携]
三星S7或明年2月底发布 两版本/双镜头
三星双旗舰——三星S6 edge+/Note 5刚发布不久,三星S7的消息已经不绝于耳。据称,三星S7处理器将会有两个版本,分别是Exynos M1和骁龙820处理器。现如今,外媒带来了更多关于该机的猛料——三星S7屏幕更大,并且将配备双镜头,有望于2016年2月底发布。 三星S7处理器代号猫鼬
据Phone Arena报道,三星S7屏幕将会超越5.7英寸,之前更有传闻称,三星S7将会有5.2英寸屏和5.8英寸屏两版本。另外,Exynos M1版三星S7计划产量要比后者多得多,三星果然还是对自家孩子亲啊!
三星S7或搭载双镜头
然而,最有趣的消息则是,三星S7将像HTC One M8和荣耀6 P
[手机便携]
三星称对苹果芯片涨价20%传闻不实
北京时间11月15日消息,苹果股东最近有些担心,因为有报道说三星对提供给苹果的芯片涨价20%。 据《韩民族日报》报道,三星官方否认了涨价报道。一位未具名的三星高管表示,年初就已经确定了价格,不会轻易变动。 苹果与三星的关系一直紧张。Piper Jaffray分析师吉恩·蒙斯特(Gene Munster)认为,如果三星对提供给苹果的芯片涨价20%,会对苹果的利润率造成1-2个百分点的影响。苹果的芯片由自己设计,交给三星制造,它占了整个设备成本的6-9%。 最近几年,苹果既向芯片企业投资,也寻找其它芯片制造商生产,打造自己的生产线。上个月,苹果还宣布建立新的技术集团,将无线、半导体团队合并。上周的报道还暗示,苹果不只
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三星索赔SDI 只因note 7爆炸事件
据外媒报道,去年三星Note 7的燃损事故,调查后确定电池是罪魁祸首,而这些电池中,大部分都是三星子公司SDI供货的。对此,三星向SDI索赔,两家公司在赔偿数额上却一直未能达成一致。 据悉,SDI最近遇到了财务问题,它们想让三星降低赔偿金额。去年,受Note 7燃损事故和车用电池销售不利的影响,SDI营业亏损达8.26亿美元。 春节过后,note 7爆炸事件的余波刚刚平息,S7 edge燃损事件再次三星重回大众眼前。 3月7日,有微博网友爆料称,河南华北水利水电大学某女生的三星S7 edge 于3月4日在宿舍充电时爆炸。该事故机主的手机是去年九月买的,至今使用不足半年。 三星索赔SDI 只因note 7爆炸事件 据宿舍女生反
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三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代
4 月 1 日消息,据外媒 Semiconductor Engineering 报道,三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代。 DRAM 内存行业将于本十年后期将线宽压缩至 10nm 以下。而在如此精细的尺度下,现有设计方案难以进一步扩展,业界因此正在探索包括 3D DRAM 在内的多种创新型内存设计。 ▲ 图源 Semiconductor Engineering 三星在 Memcon 2024 的幻灯片上展示了两项 3D DRAM 内存新技术,包括垂直通道晶体管(Vertical Channel Transistor)和堆叠 DRAM(Stacke
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