荷商微影设备大厂ASML在2012年提出的“客户联合投资专案”(Customer Co-Investment Program),广邀台积电、英特尔(Intel)和三星电子(Samsung Electronics) 三家半导体大厂投资入股研发18吋晶圆(450mm)机台和极紫外光(EUV)机台,不过,现在整个半导体产业链对于18吋晶圆世代的来临已无急迫需求,研发资金会以12吋晶圆(300mm)的EUV机台为主,18吋晶圆计划已紧急踩煞车。
荷商微影设备大厂ASML在全球微影设备的市占率高达80%,也是全球唯一有能力量产EUV机台的半导体设备供应商,主要的竞争对手日厂尼康(Nikon)和佳能(Canon)都不是对手,因此,ASML身上也肩负着延续摩尔定律的使命。
ASML为了延续半导体制程演进和生产成本的逐渐下降,2012年发起的“客户联合投资专案”获得英特尔、三星电子、台积电入股投资,当时的研发分为两个部分,一是EUV机台设备,另一是450mm机台设备。
但从2014年起,陆续传出英特尔等针对旗下的450mm计划喊停,台积电也宣布投资ASML的阶段性任务已经结束,已经预售手上的ASML持股,2015年可认列210亿元获利。
ASML表示,现阶段半导体产业暂时不需要18吋晶圆世代,当初三大半导体针对18吋晶圆的投资,会陆续转去研发12吋晶圆(300mm)的EUV机台,将EUV机台技术做到尽善尽美,达到生产效率高且精准的目标。
半导体业者认为,18吋晶圆世代的来临,当初各方都不看好,因为整个半导体产业的投资金额太大,设备厂也不愿意投入研发,即使投入后,也根本没几个客户会买单,连英特尔、三星、台积电这3家一定会盖18吋晶圆厂的客户到最后也是踌躇不前。
目前ASML把所有资源放在EUV技术研发上,根据ASML表示,半导体的Lithography和微影叠对量测技术(Overlay Metrology)上,在28奈米制程分别为6道和7道、20奈米制程为8道和9道、10奈米的Lithography步骤高达23道,而Overlay Metrology步骤有36~40道。
7奈米的Lithography步骤更是达34道、Overlay Metrology步骤为59~65道,但若是用EUV生产7奈米制程,Lithography和Overlay Metrology技术只需要分别9道和12道。
原本ASML的EUV机台因为每小时生产晶圆片数量未达目标,导致成本垫高,但日前半导体产业举行的SPIE先进微影论坛中,台积电对外宣布ASML的NXE:3300B型号EUV机台,已经达到单日曝光超过1,000片晶圆的目标,再次刷新纪录。
台积电目前已经安装2台NXE:3300B的EUV系统,另有2台新一代EUV系统NXE:3350B将于2015年完成出货,而原先已安装的2台NXE:3300B也将升级到NXE:3350B效能。
这个突破让台积电对于EUV效能感到放心,目标是在2016年底前达到单日曝光1,500片晶圆的目标,对于逻辑制程走到10奈米和7奈米、记忆体DRAM技术走到15奈米制程深具信心。
ASML目前在台湾的半导体客户包括台积电、联电、南亚科、华亚科、华邦、旺宏、瑞晶(现为台湾美光)等,大陆客户包括中芯国际等。
由于有EUV机台助阵,大客户台积电已经表示生产效率大为突破,因此ASML有信心2020年营运达到100亿欧元,届时EUV机台会占营收超过50%。
关键字:18吋晶圆 ASML
引用地址:18吋晶圆计划踩煞车 ASML:现阶段已无必要性
荷商微影设备大厂ASML在全球微影设备的市占率高达80%,也是全球唯一有能力量产EUV机台的半导体设备供应商,主要的竞争对手日厂尼康(Nikon)和佳能(Canon)都不是对手,因此,ASML身上也肩负着延续摩尔定律的使命。
ASML为了延续半导体制程演进和生产成本的逐渐下降,2012年发起的“客户联合投资专案”获得英特尔、三星电子、台积电入股投资,当时的研发分为两个部分,一是EUV机台设备,另一是450mm机台设备。
但从2014年起,陆续传出英特尔等针对旗下的450mm计划喊停,台积电也宣布投资ASML的阶段性任务已经结束,已经预售手上的ASML持股,2015年可认列210亿元获利。
ASML表示,现阶段半导体产业暂时不需要18吋晶圆世代,当初三大半导体针对18吋晶圆的投资,会陆续转去研发12吋晶圆(300mm)的EUV机台,将EUV机台技术做到尽善尽美,达到生产效率高且精准的目标。
半导体业者认为,18吋晶圆世代的来临,当初各方都不看好,因为整个半导体产业的投资金额太大,设备厂也不愿意投入研发,即使投入后,也根本没几个客户会买单,连英特尔、三星、台积电这3家一定会盖18吋晶圆厂的客户到最后也是踌躇不前。
目前ASML把所有资源放在EUV技术研发上,根据ASML表示,半导体的Lithography和微影叠对量测技术(Overlay Metrology)上,在28奈米制程分别为6道和7道、20奈米制程为8道和9道、10奈米的Lithography步骤高达23道,而Overlay Metrology步骤有36~40道。
7奈米的Lithography步骤更是达34道、Overlay Metrology步骤为59~65道,但若是用EUV生产7奈米制程,Lithography和Overlay Metrology技术只需要分别9道和12道。
原本ASML的EUV机台因为每小时生产晶圆片数量未达目标,导致成本垫高,但日前半导体产业举行的SPIE先进微影论坛中,台积电对外宣布ASML的NXE:3300B型号EUV机台,已经达到单日曝光超过1,000片晶圆的目标,再次刷新纪录。
台积电目前已经安装2台NXE:3300B的EUV系统,另有2台新一代EUV系统NXE:3350B将于2015年完成出货,而原先已安装的2台NXE:3300B也将升级到NXE:3350B效能。
这个突破让台积电对于EUV效能感到放心,目标是在2016年底前达到单日曝光1,500片晶圆的目标,对于逻辑制程走到10奈米和7奈米、记忆体DRAM技术走到15奈米制程深具信心。
ASML目前在台湾的半导体客户包括台积电、联电、南亚科、华亚科、华邦、旺宏、瑞晶(现为台湾美光)等,大陆客户包括中芯国际等。
由于有EUV机台助阵,大客户台积电已经表示生产效率大为突破,因此ASML有信心2020年营运达到100亿欧元,届时EUV机台会占营收超过50%。
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