东芝传年内量产3D Flash、技术更胜三星

1.stm32内部flash写操作只能是两个byte写入，不能一个byte一个byte的写 2.写之前需要擦除，擦除后数据均为FF 3.内部flash为512kb为大容量，小于512为小容量。在stm32的stm32f10x_flash.c里面FLASH_Status FLASH_ErasePage擦除页函数有区别擦2k还是擦1k，大容量擦2k，小容量擦1k 4.读可以只读一个字节，例如：*(uint8_t*)(Address) 5.我的代码中，擦除和写过程没有加延时函数，因为库函数里面已经有一个确保操作完成的函数。 6.擦写前先调用解锁函数。

     东芝面向车载摄像头开发出了配备LED闪烁抑制功能的200万像素BSI（背面照射）型CMOS图像传感器“CSA02M00PB”。将从2016年3月开始样品供货。预定在2015年10月5日起于法国波尔多举行的“第22届ITS世界会议2015”上展示该产品。          通过配备东芝自主方式的LED闪烁抑制电路，成功抑制了LED光源的闪烁现象。以往的车载CMOS图像传感器 存在的问题是，拍摄LED式信号灯和标识时，会输出闪烁的影像、无法准确识别等。而新产品实现了高速、准确的传感。在200万像素的图像传感器中，配备 LED闪烁抑制电路的产品尚属业界首款。     新产品采用东芝自主开发的新一代HDR（高动态范围

TMS320F2812(以下简称F2812)是美国德州仪器公司(TI)新一代32位定点数字信号处理器(DSP)，主要应用于逆变器控制、电机控制等领域，并拥有工作频率高达150 MHz的32位DSP内核处理器，可以高效可靠地实现自适应控制和状态控制等。因此，TMS320F28X系列DSP已成为自动控制领域的首选控制器件。F2812片内拥有高达128 KBx16位的F1ash程序存储器，可以满足大多数程序存储需要。在研究基于JTAG接口的两种常用Flash烧写技术(CCS插件烧写技术和Flash281x_API函数库烧写技术)的基础上，提出了一种利用RS485与PC机的串行通讯实现Flash烧写的方法。 片内Flash简

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出针对3D快门式眼镜进行优化的新款小尺寸三端SPDT(三端 2:1)开关--- DG9454。在2.7V～13.2V的V+和2.5V～+5.5V的VL工作电压范围内，DG9454可确保与1.8V逻辑兼容，且功耗不到1µA，能够大大延长电池寿命。器件采用超小型1.8mm x 2.6mm miniQFN-16封装，能够为终端用户提供更小、更轻的3D护目镜。 新一代3D快门式眼镜将不断引入更低电压的MCU进行设计。新的DG9454能够确保兼容小于1.8V的逻辑，同时保持低功耗，从而适应这种需求。在V+下的功耗小于1µA，在VL下

stm32外部flash是EN25QXX 芯片 使用 STM32F1 的 SPI 和外部 FLASH（EN25QXX）进行通信，实现数据的读写 操作。本章要实现的功能是：首先检测外部 FLASH 是否正常，然后使用 K__UP 和 K_DOWN 键控制 FLASH 的写入和读取，并将 数据显示在 串口助手上，同时控制 D1 指示灯不断闪烁，提示系统正常 运行 W25Q128 将 16M 的容量分为 256 个块（ Block），每个块大小为 64K 字 节，每个块又分为 16 个扇区（ Sector），每个扇区 4K 个字节。 W25Q128 的最小擦除单位为一个扇区，也就是每次必须擦除 4K 个字节。这样我们需要给 W2

你有没有想过探索外太空？现在，在不离开地球的情况下，你可以借助强大的测试版开 源软件 VIRUP，实时构建基于最详细的当代天体物理和宇宙学数据的虚拟宇宙。 你正漂浮在太空中，就在地球上方。国际空间站就在咫尺之遥。当你转过头，你会看到远处的月亮，只是一个小圆圈。你不禁想到这可能是宇航员在太空行走时会看到的景。 这是一场从EPFL 科学家开发的虚拟环境里开始的外太空之旅。 现在，借助 EPFL 天体物理实验室 (LASTRO) 开发的强大开源软件，人们第一次能够见到基于最新天体物理学和宇宙学数据的最全面的虚拟宇宙。软件名为 VIRUP，是虚拟现实宇宙项目的简称，它的第一个测试版将在今天发布。 “你可以在舒适的家中浏览最

　　全球正在出现以信息网络、智能制造为代表的新一轮技术创新浪潮。而在这一浪潮中，传统的行业界限将消失，并会产生各种新的领域和业态。这个新型的产业链将使制造业不再仅仅是硬件制造的概念，而将更多地融入软件技术、自动化技术、现代管理技术与新的服务模式。这个过程，美国叫工业互联网，德国叫 工业4.0 ，而中国则称为中国制造 2025。下面就随医疗电子小编一起来了解一下相关内容吧。 　　《中国制造 2025》将作为中国制造业未来10 年设计顶层规划和路线图，以信息技术与制造技术深度融合的数字化网络化智能化制造为主线。中国制造业转型需要跨界与平台思维，再到 工业4.0 制造与服务，中国 工业4.0 可拓展的空间实际上非常大。而要把“智能制造

集微网消息，据外媒报道，华为公司将于集成电路领域顶会-VLSI Symposium 2022上，发表其与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术。 报道称，华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧（IGZO）材料的CAA（Channel-All-Around）构型晶体管，具有出色的温度稳定性和可靠性。 根据此前报道，在去年举办的IEDM 2021上，中科院微电子所李泠研究员团队联合华为/海思团队，首次提出了新型垂直环形沟道器件结构（CAA），该结构有效减小了器件面积，且支持多层堆叠，通过将上下两个CAA器件直接相连，每个存储单元的尺寸可减小至4F2，使IGZO-DRAM拥有了密度优势，有望克服传统1T1C-DRAM的微缩挑战。