存储器失去半导体领头地位 逻辑IC制程起而代之

大家是否经常会遇到这种情况：电脑突然死机，但重要数据都还没有储存?出门在外关键时刻想用手机却发现早已没电?据报道，近日，北京航空航天大学已经成功制备了国内首个80纳米“万能储存器”的核心器件——国内首个80纳米自旋转移矩-磁随机存储器器件(STT-MRAM)。等这项技术应用后，以上这些麻烦事或许都可以迎刃而解了。那么，这款“万能储存器”究竟是何方神圣?他有什么神奇之处呢?下面就随钱日升小编一起来了解一下相关内容吧。 储存器及储存系统是指什么? 要理解“万能存储器”的功能和特点，我们得先了解一些存储器的常识。我们都知道，存储器是电子系统的重要组成部分。千龙网介绍，目前绝大多数电子系统采用寄存、主存加硬盘的存储体系结构。与之相对应

　　医疗成像正在取得显著进步。正电子发射计算机断层成像有助于检查患者体内的组织活动。ST提供从分立器件到32位数字处理器和存储器的广泛产品组合，帮助进一步加强磁共振成像应用。以下结构方块图可帮助您在众多推荐的适用产品中进行选择。

电子网消息，目前国内三大存储器基地长江存储、福建晋华与合肥睿力近日工程如火如荼进行。9月28日，一期厂房提前封顶，预计2018年投入使用；按进度福建晋华其主体厂房也将于10月封顶，明年第四季完成DRAM第一阶段开发；位于合肥的DRAM厂睿力也正积极筹备装机事宜，预计年底很快首批微影机台就将交付，移入厂房为试产进行准备。   长江存储一期厂房提前封顶，预计2018年投入使用   福建晋华原本预计是大陆存储器专案中工程进度最快的，其主体厂房按照规划将于10月封顶。9月28日，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房，实现提前封顶。这标志着开工

AVR 系列单片机内部有三种类型的被独立编址的存储器，它们分别为：Flash 程序存储器、内部SRAM 数据存储器和EEPROM 数据存储器。 Flash 存储器为1K～128K 字节，支持并行编程和串行下载,下载寿命通常可达10,000 次。由于AVR 指令都为16 位或32 位，程序计数器对它按字进行寻址，因此FLASH 存储器按字组织的，但在程序中访问 FLASH 存储区时专用指令LPM 可分别读取指定地址的高低字节。 寄存器堆（R0～R31）、I/O 寄存器和SRAM 被统一编址。所以对寄存器和I/O 口的操作使用与访问内部SRAM 同样的指令。32 个通用寄存器被编址到最前,I/O 寄存器占用接下来的64 个地址

众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。 由于车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加，因此对于高效能非易失性内存技术的需求也越来越高，因为当系统在进行资料分析或是其他数据处理时，只有这类内存才能够可靠而无延迟地储存传感器所搜集的数据。而铁电存储器属于非失去性内存，不仅能进行高速随机存取，且拥有高耐写度的特性，因此能以最佳的性能满足这类应用的需求。 PB85

机器学习和深度学习已成为我们生活中不可或缺的部分。利用自然语言处理（NLP）、图像分类和物体检测实现的人工智能（AI）应用已深度嵌入到我们使用的众多设备中。大多数 AI 应用通过云引擎即可出色地满足其用途，例如在 Gmail 中回复电子邮件时可以获得词汇预测。 虽然我们可以享受到这些 AI 应用带来的益处，但这种方法导致隐私、功耗、延时和成本等诸多因素面临挑战。如果有一个能够在数据来源处执行部分或全部计算（推断）的本地处理引擎，那么这些问题即可迎刃而解。传统数字神经网络的存储器功耗存在瓶颈，难以实现这一目标。为了解决这一问题，可以将多级存储器与模拟内存内计算方法结合使用，使处理引擎满足更低的毫瓦级（mW）到微瓦级（μW）功率要

据报导，东芝存储器(TMC)出售案的重要部分为外界所知，必须满足3个条件才能出售：1，通过10个主要国家地区的反垄断法审查;2，与西部数据(WD)的仲裁案及官司中，没有禁止出售命令;3，日本政府认为交易不影响国家安全。 在反垄断法审查方面，需通过审查的国家有：巴西、大陆、欧盟、日本、韩国、墨西哥、菲律宾、台湾、土耳其、美国。目前重点在通常耗时超过6个月的大陆审查，因参与此案的SK海力士(SK Hynix)与东芝是同业，故契约设定10年内SK海力士取得东芝存储器普通股比例，不得超过15%，以利通过审查。 至于与西部数据的官司方面，东芝(Toshiba)判断西部数据无法全面胜诉阻止交易，只能就东芝母公司名下的四日市工厂设备分配

   英特尔副总裁暨实验室执行总监王文汉展示与工研院合作开发的新阵列记忆体原型。 英特尔在台举办亚洲区创新高峰会，展示和工研院合作开发的新记忆体技术，较现有DDR DRAM记忆体更省电，耗电降低至少25倍，未来可望为行动运算装置延长电池使用时间。 英特尔是在2011年宣布将分5年投入500万美元，由英特尔实验室和工研院共同开发新的记忆体技术，以改善现有记忆体速度与耗电。可运用于手机、平板电脑、PC，到超级运算或大型资料中心。今天的亚洲区创新高峰会上英特尔则宣布和台湾产官学界合作的初步研发成果。 英特尔副总裁暨实验室执行总监王文汉现场展示了和工研院合作开发的阵列式记忆体原型，新记忆体技术较现有DRAM传输延迟减少4倍，耗电上