效能与功耗验证缺乏指标　IC设计仍多凭经验判断

　　现今的便携设备不单功能越来越多，而且对功率的需求也越来越大，这对便携电池的电源设计构成很大的挑战。然而，如果对有关应用的能源消耗有更深入的认识，便可设计出更加节能的解决方案，这不单可以延长电池的寿命，而且可以提供更好的用户体验 。 　　 减少便携设备显示器的用电量 　　随着便携设备的显示器尺寸越来越大，分辨率和亮度不断提高，显示器的背光照明成为能源的最大挑战。一台典型的小型显示器模块需要3到10个LED才能提供正常的照明。 　　为了解决背光显示器的能耗问题，一个高效能驱动LED的方法即使用开关电容器。采用这种技术，输入电压便可连接到能够产生稳定输出的多增益开关电容器。在开环运作下，输出电压的大小相当于增益与输入电压的乘积。

业界首颗64位系统单芯片（SoC）现场可编程门阵列（FPGA）抢先亮相。Altera宣布将以英特尔（Intel）14纳米（nm）三门极 （Tri-gate）制程推出Stratix 10系统单芯片FPGA，采用四核心、64位安谋国际（ARM）Cortex-A53处理器，以及浮点数字信号处理器（DSP）及高效能FPGA结构，期大举进攻资料中心加速运算、雷达系统及通讯设备等应用市场。 　　Altera企业策略与行销资深副总裁Danny Biran表示，对客户而言，高整合度元件将持续成为复杂、高效能应用产品的最佳解决方案；而Stratix 10 SoC能让工程师拥有一个多功能且效能强大的异质（Heterogeneous）运算平台，让他们

英特尔上周爆发处理器重大安全漏洞的「芯片门」事件，微软本周已迅速发布作业系统更新以修补漏洞，微软坦承修复后的电脑确实会影响性能，且电脑「愈老愈有感」。宏碁（2353）、华硕等PC厂商因祸得福，反而有机会迎来一波电脑的汰旧换新潮。 受此激励，「双A」今日股价逆势收红，宏碁终场上涨0.6元，收在25.7元；华硕也上涨1.5元，收在265.5元。 英特尔处理器上周发现重大安全漏洞，可能暴露使用者受保护的讯息，微软本周已经紧急发布系统更新，修补CPU安全漏洞。 微软同时揭露修补后的电脑效能标竿测试，坦承漏洞修复后，电脑效能确实会受到影响。像是搭载Haswell （2014年推出）或更老旧处理器的电脑，或是搭载Windows7、

台积电作为全球晶圆代工龙头，在自动化技术方面，也是着墨甚深。负责台积电南科14厂自动化的台湾积体电路自动化整合部经理涂耀仁指出，台积电南科14厂目前已经能做到让晶圆从下线到出货，完全不用经过人，包括机台控管、空片处理等所有的流程，都已经完全做到自动化。 涂耀仁表示，台积电南科14厂的自动化程度，同时间可以让400个作业人员，每天处理超过340万次晶圆制作流程，使用超过2,500种工具，并在工厂中总长42公里的轨道中，操作1,600台车辆，支援50万种传送业务，平均每一个传送，都可以控制在三分钟以内。 难得的是，因为代工型态的业务，导致工厂随时都会有上千的产品处于生产状态，每一种产品的制造流程其实都不一样，如果没有

电源在降低功耗上举足轻重，因此面对法规标准和消费者的更高要求时，重新检讨其设计方式就显得非常急迫。虽然可以改进传统的拓扑结构来达到更高效能要求，但可以明显地看出，沿用旧式设计方式的产品，其性价比将会低。在本文中，我们将提出两个能符合更高效能要求，并可控制目标成本的设计方式，并将之和传统的拓扑结构进行比较。 　　传统的拓扑结构 　　为特定应用选择拓扑结构时有几个考虑因素，包括输入电压范围是全球通用还是只针对特定地区，输出电压是单一还是多重(电流大小也是重要的条件)，效能目标，特别是在不同负载下的效能表现。传统上，在大批量生产电源时多以成本，设计工程师对拓扑结构的熟悉度以及元件是否容易采购为考虑因素，其他因素还包括设计是否容易实 　　

市场对切换速度、功率、机械应力和热应力耐受度之要求日益提升，而硅元件理论上正在接近性能上限。宽能带隙半导体元件因电、热、机械等各项性能表现具佳而被业界看好，被认为是硅半导体元件的替代技术。 在这些新材料中，相容硅技术制程的碳化硅(SiC)是最有前景的技术。碳化硅材料的电气特性使其适用于研制高击穿电压元件，但是，远高于普通硅元件的制造成本限制了其在中低压元件中的推广应用。在600V电压范围内，硅元件的性能非常好，CP值优于碳化硅元件。不过，应用要求晶片有更高的性能，而硅元件已经达到了极限。 本文评测了主切换采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性，并将SiC碳化硅元件与新一代硅元件做了全面的

　　根据科技媒体《ZDNet》的报导，在日前的 2017 年国际电子元件会议(IDEM 2017)上，晶圆代工大厂 格罗方德 (GlobalFoundries)公布了有关其 7 纳米制程的详细资讯。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。     与当今用于 AMD 处理器，IBM Power 服务器芯片，以及其他产品的 14 纳米制程产品相比，7 纳米制程在密度、性能与效率方面都有显著提升。另外， 格罗方德 还表示，7 纳米制程将采用当前光刻技术。不过，该公司也计划尽快启用下一代 EUV 光刻技术以降低生产成本。 　　报导中指出， 格罗方德 最新一代的 3D 或 FinFET 电晶体，在 7 纳米制程下具有 30 纳米的鳍

GE智能平台今日宣布推出加固且兼容OpenVPX的SBC312 3U VPX单板计算机（SBC）。SBC312的设计针对无人驾驶车等空间和重量都有一定限制的苛刻环境并以8核Freescale™ QorIQ™ P4080处理器为核心，使处理性能获得显著提高，同时保持与之前双核3U VPX单板计算机相同的能耗和散热。SBC312是GE推出的第6个3U VPX SBC平台，可搭配QorIQ 4核P4040处理器，便于现有的SBC310和SBC330用户进行完美的技术嵌入，提高他们的可持续竞争优势。 “SBC312支持8核处理器，可使用更小、更轻、更经济高效的机箱重新实施大量的传统应用，将多槽组态减少为单槽。”GE智能