存储器产业持续低迷,2019年如何破局?

发布者:mmsg3814最新更新时间:2018-12-27 来源: 与非网关键字:存储器  DRAM  NAND  Flash 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

近来, DRAM 和NAND Flash全球价格双双下跌。对于存储芯片厂商来说,这个冬天不好过,有的紧衣缩食,有的报团取暖。展望2019年, 存储器产业 是否还会持续低迷?


经过两年多的涨价潮,DRAM的风光不再,10月份调研报告显示DRAM内存现货价格跌了10%。今年第四季DRAM价格正式反转向下,11月合约价甚至出现二次下跌的状况,预计2019年第一季DRAM合约价跌幅将持续扩大。


根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)的分析,2018年NAND Flash供应商3D 64层产品良率稳定,产出高于预期。由于淡季影响,加上市场库存水位仍高,供过于求的情况只会更加显着,预估第一季NAND Flash合约价将再进一步走跌,跌幅约10%。

事实上,从今年第1季度以来,NAND Flash价格就止不住下滑了,其第3季度行业产值仅为170亿美元,环比只增长了4.4%,NAND闪存价格却降了10-15%。


三星/ SK海力士 /美光纷纷减产


12月24日,根据韩国媒体报道,三星电子第4季营运表现恐不如预期,将较去年同期呈现下滑。韩国当地分析师预期,截至12月底的一季,韩国科技巨头三星电子的营业利润为13.9万亿韩元 (123亿美元 ),去年同期为15.1万亿韩元(133.6亿美元),降幅为7.6%。三星电子第3季的营业利润为17.57万亿韩元(155.5亿美元)。



SEMI预计,与今年相比,韩国半导体公司的资本支出明年将减少34.7%。根据最新报告,明年内存芯片制造商的资本支出预计将下降19%,而不是此前预测的增长3%。DRAM方面预计下降23%,NAND Flash方面预计下降13%。三星电子可能会减少对平泽的P1和P2设施以及华城的S3的投资。


另一边,SK海力士在此前的2018Q3财报会议上亦表示,将调整在2019年第1季末开始量产NAND Flash快闪存储器的M15工厂产能,以降低SK海力士对DRAM的依赖。而位于无锡的C2工厂,也将把原来2y(20nm)和2z(20nm)的DRAM生产制程,优化成1xnm(10nm后期)的产品,以降低生产成本,并将在2019年第2季量产。至于,以生产NAND Flash快闪存储器为主的M11工厂,则将把2D NAND Flash转换为生产3D NAND Flash,也是因为就生产成本来进行的考量。


除了三星本季营运表现不如预期,美光财年第1季财报表现也堪忧,在DRAM与NAND Flash产品销售同步衰退下,季营收滑落至79.13亿美元,毛利率59%,每股纯益2.97美元。


美光宣布将调降明年资本支出,缩减12.5亿美元降至95亿美元,因应市场需求减少下,减少芯片的产量,三大存储器大厂拉响警报,存储器产业前景蒙上阴霾。


面对存储器产业低迷,三大厂商除了采取减产措施以外,还在积极拓展其他业务。三星方面,积极研发新存储技术,比如MRAM;同时还加大了对车轨MLCC的生产。SK海力士方面,正在加大晶圆代工业务,比如11月增资1000万美元无锡晶圆代工厂。美光方面,为了应对产业低迷的状况,以15亿美元收购英特尔股份并全资控股IF Flash,继续研发3-D XPoint技术。


除以上三大厂商外,其他存储厂商也都会受到波及,比如中国大陆的紫光存储。


紫光/群联报团取暖


在全球存储器产业表现低迷之时,12月24日,群联电子与紫光存储科技有限公司在北京签署战略合作协定,将在存储产品供应链、产品设计、代工生产等领域全面深化合作,建立密切的合作伙伴关系,充分发挥各自行业优势,促进双方业务发展和产品延伸,实现生态共赢。



紫光集团旗下长江存储和武汉新芯的快速崛起,将成为大陆首家最快量产64层3D储型快闪存储( NAND Flash)指标厂。从今年长江存储正式产出38层的3D NAND Flash开始,紫光集团就入股多家快闪存储控制芯片公司,一度传出群联也在收购名单之列,但双方价格一直没谈妥,不过群联也支持长江存储的芯片,协助进行测试,进而导入在IC芯片卡应用。


群联这次和紫光存储签署战略合作协议,就是看好大陆全力发展自主存储产业的商机。根据这次的协议,双方将深化开展生产、销售存储产品与服务层面的合作,打造完整、高效的商业链条,着力联合开发创新存储产品,协作开拓全球市场。


群联董事长潘健成坦言,透过双方合作,可全面发挥资源和能力互补优势,打造共赢的业务生态。


供应链指出,紫光集团明年将正式跨入NAND Flash产业,且明年下半年就能进入到64层的3D NAND量产,脚步相当迅速,由于NAND Flash必须搭配控制IC才能使用,因此紫光集团的新产能就成为群联抢先合作的目标。


南亚科/华邦电面临冲击


台厂在这一波存储器产业面临衰退的情况中,恐将面临严格的冲击,南亚科11月合并营收12.07亿元,月减19.7%,创13个月来单月营收新低,累计前十一个月合并营收178.5亿元;因DRAM出货量及价格下滑,南亚科调整第4季单季销售量,将较上季减少约15%,无法达成原预期的持平目标。


华邦电11月合并营收8.98亿元,月减3.22%,年减10.12%,创9个月新低;旺宏11月合并营收6.8亿元,创7月以来低点,月减21.8% ,年减7.4%。


研调机构看淡存储器产业,集邦科技预估,第4季DRAM价格跌幅超乎预期, 平均售价下跌近8%,明年第1季DRAM合约价格跌幅扩大,预估将达10%以上, NAND Flash价格也是下跌。


面对价格下跌及需求趋缓的双重隐忧,业内人士担忧台厂相关存储器厂的营运恐将面临更大的压力,从南亚科、华邦电及旺宏11月营收表现来看,第4季到明年首季,可能面临相当大的挑战。


存储器产业低迷,你怎么看?


DRAM内存降价已是必然,内存大厂也纷纷消减明年DRAM产能。不过这内存涨的时候猛涨不止,降价的势头也同样比预期更狠。与此同时,NAND Flash产能超出预期,以致市场供过于求,价格连续走跌。



南亚科总经理李培瑛表示,明年DRAM需求仍不悲观,供应商端也理性控制产出,不认为明年在报价上会有剧烈的波动,中美贸易战之国际局势将是影响市场的最大关键因素。


李培瑛分析,全球电子产品走向智能化,存储器是最关键的零组件,需求面没有太悲观。供给方面,DRAM供应商现在变得比较理性。预期明年虽有季节性变化,尚不会有急剧跌价的问题,明年DRAM价格预计出现合理的调整,估计会持续缓跌一季或者二季。


十铨科技总理理陈庆文表示,目前看DRAM、NAND Flash明年价格将双双跌价,价格跌幅都恐达三成,预计明年上半年价格跌势较为明显,明年第三季起,随着5G带动服务器需求,产业有机会触底反弹,明年下半年价格有机会逐步止跌。


陈庆文指出,当下要维持营运成长的确具有挑战性,但往往跌势之际是危机也是契机,看好因为价格下跌将刺激需求爆发,尤其SSD的单位价格将快速与传统硬盘拉近,最快明年下半年将出现黄金交叉,SSD的需求正式超越传统硬盘,预期明年第三季度,随着QLC NAND Flash良率稳定之后,供应量将会明显提升,届时对于市场的价格也会带来影响。

威刚董事长陈立白曾表示,明年DRAM因主要芯片制造商增产有限,价格仍会持稳;NAND Flash受各大厂军备竞赛未歇,预料价格跌幅不亚于今年,预期NAND Flash上游厂明年有一半以上无法赚钱。


还有业内人士认为,虽然存储器价格下滑趋势确立,但预估此次下滑趋势应不超过 18 个月,英特尔 14 nm x86 CPU 短缺状况应会于2019年中之前改善,10 nm x86 CPU 应于2019年下半年量产, AMD 7 nm x86 CPU, 7 nm挖矿机及智慧手机,5G 手机都将于2019年出笼取代中低阶机种及对存储器半导体产生正面影响。因此预估大多数的存储器半导体公司会面对营业利润率从近50%的高档下滑,但却不至于步入亏损。


对于国内企业而言,面临的处境更加严峻。随着存储器产业周期调整,中国厂商将有可能错失这一波市场机遇。加之存储器市场竞争愈发激烈,前期如果没有价格优势,国内厂商很难实现快速抢占市场份额。针对这种情况,国内厂商也在尝试不同的产品形态,如紫光的隐式指纹安全U盘、武汉新芯的特种工艺等。


关键字:存储器  DRAM  NAND  Flash 引用地址:存储器产业持续低迷,2019年如何破局?

上一篇:紫光携手群联,合力拓展快闪存储市场
下一篇:AI发展的一大挑战——储存器

推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 19:00

中国三大存储器厂商建厂神速,明年上半年迎“装机大战”
集微网消息,SEMI(国际半导体产业协会)“全球晶圆厂预测”最新报告指出,2017年中国总计有14座晶圆厂正在兴建,并将于2018年开始装机。2018年中国晶圆设备支出总金额将逾100亿美元,成长超过55%,全年支出金额位居全球第二。总计2017年中国将有48座晶圆厂有设备投资,支出金额达67亿美元。展望2018年,SEMI预估中国将有49座晶圆厂有设备投资,支出金额约100亿美元。 目前国内三大存储器厂商正处于紧锣密鼓的施工阶段,预计2018上半年陆续进入设备安装阶段,新一轮的设备入厂调试安装大戏即将上演。 武汉:长江存储 2016年7月26日,长江存储科技有限责任公司正式成立,武汉新芯将成为长江存储的全资子公司,而紫光集团则是
[手机便携]
三星:需求增长将提高下半年芯片业务利润
9月24日消息,据外电报道,三星电子上周五(9月21日)称,它预计强劲的需求和削减成本将提高它下半年芯片业务的收入。 三星电子在为CLSA(里昂证券)公司在香港主持召开的投资者关系会议准备的一份书面文件称,该公司NAND闪存芯片的利润率大幅度增长。DRAM内存芯片的利润率正在温和增长。 三星电子预计,由于高密度音乐手机和视频MP3播放机的强劲需求,全球NAND闪存市场在明年上半年将更加有利。三星电子还预计,该公司第三季度的平板电视出货量也将强劲增长,第四季度的市场表现将更好。 三星电子称,该公司今年的液晶电视机销售量将达到1200万台,比去年增长一倍。 三星电子在7月份公布的截止到6月30日的第二季度财务报告显示,三星电子
[焦点新闻]
SanDisk和海力士结盟NAND,牵动内存供应链上众巨头
SanDisk公司和海力士半导体(Hynix)将合资采用每单元四比特x4闪存技术来开发并生产闪存和NAND存储系统。在此之前,双方日前已签订了一项有关闪存专利交叉授权协议,结束了长期的争端。但双方都没有透露关于此次合资项目的细节。 此次合作的资本将由SanDisk和海力士各出一半,生产则由海力士来进行。双方在x4技术上合作的起源,可以追溯到msystems公司和海力士的合作,而msystems公司后来被SanDisk在去年6月以13.5亿美元收购。 海力士高级副总裁O.C. Kwon说:“由于签订了专利交叉授权协议,双方可以将精力集中在x4技术上的合作开发上,而我们的合作是前途无量的。希望双方都能从中获益。” SanDi
[焦点新闻]
东芝闪存新厂08年将量产
全球第二大闪存制造商东芝周二表示,其位于日本西部的第四座厂房,12寸晶圆月产能在2008年下半年将达八万片。 东芝是全球第二大NAND闪存制造商,由于闪存价格急剧下降,公司的收入受到了打击。上财年公司出售了它的东芝陶瓷公司和其他部门,大约获得了550亿日元的收益。东芝上财年获得的运营利润为2550亿日元,比前一财年增长了6%,其中芯片业务的收入大约占到一半。 此外,东芝新建的微晶片厂已竣工,预计07年12月将投产,以力图追赶其竞争对手韩国三星电子。
[焦点新闻]
1.7.4_NAND_FLASH数据读取和NAND启动_P
首先是Nand Flash的存储示意图,由最基本的页构成,一页有2KB,一块有64页即128KB,一片nand有2048块。所以,一枚nand芯片有256MB的容量。 除了本身的容量外,每页还有一个OOB(out of bank)区,用于解决nand缺陷(位反转)而存在。 问:CPU读取Nand上的第2048个字节数据,它是哪一个? 答:是Page1的第0个byte。这是因为OOB只是用来解决nand缺陷而存在的,而CPU只关心数据,不需要看到OOB。 下图是读操作的流程图和时序图。 同样,我们需要先选中芯片,之后先发出0x00命令,然后是五个字节的地址,然后是0x30命令,之后就可以读取了,每次读取,
[单片机]
1.7.4_<font color='red'>NAND</font>_<font color='red'>FLASH</font>数据读取和<font color='red'>NAND</font>启动_P
采用FM20L08铁电存储器实现温度测试仪系统的设计
1 、引言 高温测试仪主要用于加热过程中的温度跟踪测量和数据采集,通过对测试数据进行系统分析,研究炉内的温度分布和温差变化规律,分析影响加热质量的主要因素,对加热炉加热过程和加热制度进行优化,提高加热质量,降低燃料消耗。 而在一些收集存储数据的系统,系统的电压可能变化不定或者突然断电,FM20L08就是针对这些系统可以用来直接替换异步静态存储器(SRAM)而设计的存储器,也是Ramtron现有的最大容量的铁电存储器(FRAM),能够进行无限次的读写操作. 使用FM20L08能够极大的节约电路板空间。使用FM20L08存储器的温度测试仪,兼具大容量数据存储、抗冲击、抗干扰、数据断电不丢失、实时采集速度高的特点。 2 、铁电存
[单片机]
采用FM20L08铁电<font color='red'>存储器</font>实现温度测试仪系统的设计
NAND Flash嵌入式存储系统结构分析
    目前市场上闪存芯片主要有两类,即NAND Flash(Not And Flash ROM)和NOR Flash(Not Or Flash ROM)。前者具有容量大、读写速度快、芯片面积小、单元密度高、擦除速度快、成本低等特点,更适合于大批量数据存储的嵌入式系统。如今Windows仍是桌面系统的主流,对FAT文件系统提供了天然的支持。然而就技术而言,FAT文件系统并不适合Flash,因为Flash设备并不是块设备[1],为了不破坏兼容性,并在NAND型闪存中应用FAT文件系统,国际上提出了闪存转译层FTL(Flash Translation Layer)的解决方案。   1 NAND Flash嵌入式存储系统结构  
[嵌入式]
Microchip推出64兆位串行SuperFlash®存储器
Microchip推出64兆位串行SuperFlash®存储器,丰富旗下面向航天系统设计的COTS耐辐射器件产品阵容 SST26LF064RT存储器产品是Microchip的第二款宇航级SuperFlash®产品 航天器系统设计人员非常需要缩短系统开发时间,并降低系统开发成本和风险。 Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)提出从商用现货(COTS)器件开始,然后用宇航级等效耐辐射(RT)元件进行替换的理念 。Microchip今日宣布扩展其基于商用现货技术的耐辐射SuperFlash®产品系列,将Microchip存储器技术无与伦比的50千拉德(krad)总电离剂量(TID)耐受引入64兆位
[嵌入式]
Microchip推出64兆位串行SuperFlash®<font color='red'>存储器</font>
小广播
最新手机便携文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved