内存供需缺口还没见底，最少到年底

内存市况热，不但DRAM供需出现吃紧情况，业界估计，目前有钱也不一定买得到的NAND Flash部分规格产品，供需缺口最少到年底，而且如果下半年苹果iPhone 8卖得太好，相关缺口将会更为扩大，价格也易涨难跌。

业者指出，可预期NAND Flash今年的供需都会非常吃紧。 现在TLC产品呈现大缺货状态，2D的TLC在原厂逐渐转进3D NAND之后，供给量持续变少，而且大概都供货给苹果，至于3D TLC NAND，目前有48层堆栈产品，但正在转进64层堆栈的过程中。

同时，业界认为，3D TLC NAND新产品供给量从第2、3季起会逐渐增加，不过变量是苹果iPhone 8即将推出，届时如果销售量超乎预期，对于NAND Flash的消耗量会很大，市场供需吃紧的情况就很难改善。

目前业界大多分析NAND Flash缺货情况最少延续到今年底，甚至有可能会缺到明年第1季。 至于价格方面，可能今年都会维持在高档，不会有回跌的迹象。

至于在DRAM方面，虽然供需缺口不若NAND Flash来得大，业界表示，第2季应当会延续第1季的价格上涨态势。 业者认为，DRAM市况供需稍有吃紧，缺口约2%至3%，主要是因为DRAM三巨头今年都以提高新制程产出为主，并未大幅扩增产能。

而在需求端，各类DRAM的库存都处于低水位，手机与服务器的搭载量都持续增加，中高端智能机的主存储器容量约为4GB至6GB，旗舰机则上看8GB，持续推动DRAM需求成长。

同时，服务器市场需求仍维持强劲，高端笔记本新机的内存标准配备从8GB起跳。 另外，4K电视渗透率提高、机顶盒、网络相机、智能表、车工规应用需求也热络，都推升DRAM搭载量。