传三星正研发内置DRAM传感器 S9望采用-电子工程世界

索尼IMX400传感器是首款封装了DRAM存储的移动级CMOS，搭载了这款CMOS的索尼旗舰手机自发布起就一直被称作“拍照黑科技”。另一家手机CMOS大厂三星很显然已经坐不住了，近日业内就有传闻称，三星的下一代Galaxy S系列旗舰手机将会配备类似IMX400的CMOS，而且这款CMOS将由三星研发。

　　在CMOS中封装存储的好处，就是可以让手机的相机以数倍于以往的速度记录图像或拍摄视频；这也提供了手机拍摄1000帧慢动作的可能性。索尼的IMX400采用三层堆栈式封装（图像传感器层、逻辑处理层和DRAM层），而传闻中三星的这款CMOS将会采用传统两层堆栈+集成DRAM芯片的架构，很可能是为了规避索尼的相关专利。

　　目前，不同版本的三星旗舰手机混合搭载索尼IMX传感器和三星传感器。如果传闻中三星这款新传感器确实存在，那么明年的Galaxy S9很有可能全部使用三星传感器。

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