华为做忆阻器？曾两度申请专利

华为对技术的追求真是无止境。

近日，据知情人士透露，华为有意在忆阻器芯片领域进行布局。华为分别于2019年3月（2015年6月申请）、2020年1月（2018年6月申请）在中国知网公开了两份相关专利信息。

忆阻器（Memristor）的概念由华裔的科学家蔡少棠在1971年提出，得名于其电阻对所通过电量的依赖性，被认为是电阻、电容和电感之外的第四种基本电路元件。

对电阻的时间记忆特性使其在模型分析、基础电路设计、电路器件设计和对生物记忆行为的仿真等众多领域具有广阔的应用前景。由于缺乏实验的支撑，在被提出后的二十几年间，相关理论虽有发展却并没有引起足够的关注，直到2008年惠普公司的研究人员首次做出纳米忆阻器件，掀起忆阻研究热潮。

2013年，比勒菲尔德大学物理学系的高级讲师安迪·托马斯博士研制的忆阻器被内置于比人头发薄600倍的芯片中，利用这种忆阻器作为人工大脑的关键部件，他的研究结果将发表在《物理学学报D辑：应用物理学》杂志上。忆阻器尺寸小、能耗低，所以能很好地储存和处理信息，一个忆阻器的工作量，相当于一枚CPU芯片中十几个晶体管共同产生的效用。

利用忆阻器的特性来打造存储器，即使关闭电源也能保存资料的内容，而且能以更小的空间储存资料，足以取代现有的快闪存储器。此外，忆阻器与人脑神经突触的属性类似，可能可以帮助模拟人脑的特征，加速人工智能的进展。