国家存储器基地项目二期开工了

6月20日，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。

国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。

该项目一期于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出全球首款128层三维闪存芯片。

6月17日，湖北省委书记应勇和湖北省委副书记、省长王晓东与紫光集团董事长、长江存储董事长赵伟国座谈交流。应勇指出，国家存储器基地项目是湖北、武汉的重大战略项目，技术领先、前景广阔，希望紫光集团立足武汉、深耕湖北，在保持技术研发领先优势的同时，加强市场开拓，扩大产能规模，推动项目一期尽早达产和项目二期加快建设。

在国家存储器基地项目二期开工仪式上，王晓东表示，国家存储器基地项目二期开工，是落实中央支持湖北一揽子政策的具体行动，也是强化湖北疫后重振重大项目支撑的有力举措，必将加快形成湖北创新发展的“产业航母”，为拓展壮大“光芯屏端网”产业链注入强劲动力。

赵伟国表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。