第三代半导体材料及应用联合创新基地落户中关村

9月30日，第三代半导体材料及应用联合创新基地落成仪式在中关村顺义园举行。据中关村顺义园消息，这是国内首个聚集全产业链的三代半创新基地。

创新基地位于中关村顺义园，将围绕光电子、电力电子、微波射频三大应用领域，建设第三代半导体工艺、封装测试、可靠性检测和科技服务4大基础平台，平台采取开放联合、共享合作的方式，由北京国联万众半导体科技有限公司实施运营，预计12月底基地投入运行，创新基地的投入使用将为国家2030重大专项落地顺义提供支撑，为北京发展第三代半导体战略新兴产业发挥引领和带动作用。

其中，基地1——生产实验厂房主要用来做芯片设计、工艺开发、孵化服务、会议展览等业务，孵化和加速面积达到1万平以上，将创造1000个以上的就业岗位，每年产值超100亿元。

基地2——生产实验厂房主要用来半导体工艺加工、封装测试、检验检测等业务，主要产品为第三代半导体核心芯片，包括氮化镓射频功放和碳化硅电力电子芯片、器件和模块，产品已经应用到5G移动通信基站、充电桩中。

目前，中关村顺义园已聚集第三代半导体企业140余家，初步形成了从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的全产业链格局。其中，面向5G通讯、新能源汽车、国家电网、轨道交通、人工智能等应用领域的产业化重点项目20个，总投资约160亿元，预计达产后实现年产值220亿元。

第三代半导体产业是北京市发展高精尖产业的重要内容之一。顺义区将其作为顺义三大主导发展产业之一，并规划以中关村顺义园为核心，重点打造北京第三代半导体产业聚集区。

为此，中关村顺义园集中力量实施了一系列举措，包括编制了《北京（顺义）第三代半导体产业发展规划》、制定实施了《顺义区第三代半导体项目引入评估标准》等。