推荐阅读最新更新时间:2024-11-12 06:59
这一广泛使用的器件中国技术不差,差距在于产业化
特朗普政府发起的贸易战虽然收场,但这几个月,人们开始寻找中国可能被卡脖子的短板,中国大量进口的 IGBT 也被挖了出来。有媒体就认为,由于中国 IGBT 需要大量进口,而这个产业又被西方国家把持,对于中国正在大力发展的高铁和新能源汽车来说是一个潜在的威胁。不过,在 IGBT 技术上,中国其实并不差,大量依赖进口,并非技术水平不行。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 造成大量进口国外产品的局面,只是因为商业上和其他一些原因。 IGBT市场基本被外商垄断 IGBT英文全称是Insulated Gate Bipolar Transistor,也就是绝缘栅双极型晶体管。最初是为了解决MOSFET的高导通压降
[嵌入式]
三菱电机第7代IGBT技术
随着储能相关技术的发展,以及相关标准的制定和出台,储能技术将对电网的稳定运行提供保证。这将促进光伏发电市场的进一步扩大和发展。下面就随电源管理小编一起来了解一下相关内容吧。 从大的市场需求来看,由于受到补贴调整等国家政策的影响,集中式光伏电站的市场占比将在未来呈现下降趋势,而分布式光伏发电的市场份额将呈现增长趋势。 为了应对补贴下降带来的影响,市场对光伏组件和 光伏逆变器 的成本降低的需求将加强。目前来看,1500V等更高电压的光伏组件将在成本降低方面将会很大程度上弥补支付补贴的下降。因此,随着市场的期待,诸如1500V等更高电压的光伏组件将会加快进入到市场的步伐。另外,光伏发电的效率和可靠性等要求也将相应提高,以
[电源管理]
比亚迪的“中国芯”
IGBT之于比亚迪,如同海思芯片之于华为。 中国正在全面进入自主知识产权时代,打破国外垄断技术壁垒的比亚迪IGBT正在加快国产化替代的步伐。 6月15日,比亚迪(002594)发布公告,其控股子公司比亚迪半导体已完成引入A+轮战略投资,此轮以增资扩股方式引入包括湖北小米长江产业基金合伙企业、湖北联想长江科技产业基金合伙企业、深圳碧桂园等30个战略投资者,增资金额近8亿元。 这是比亚迪半导体两个月来的第二轮快速融资。4月14日,比亚迪半导体重组宣布首次引入外部战略投资者,仅用了42天便迅速完成A轮融资,红杉资本、中金资本以及国投创新领衔投资,Himalaya Capital等多家国内外投资机构参与认购,合计增资19亿元。
[汽车电子]
锁定IGBT测试 明导帮客户找出更多问题
随着模拟与验证成为EDA(电子设计自动化)市场的主流后,各家大厂除了在软体面外,也推出硬体产品来满足晶片业者们的需求。 然而,除了一般的矽制程的晶片外,像是IGBT(绝缘栅双极性电晶体)等功率晶片,也引起了EDA业者的注意,明导国际就其中一例。明导国际机械分析部门市场暨行销总监Keith Hanna博士表示,明导此次推出的MicReD Power Tester 600A是一款量测设备,与其他竞争对手最大的不同之处在于,它将模拟与测试两种功能加以整合,锁定的应用市场将是电动车与混合动力车为主。MicReD Power Tester 600A虽然是硬体的量测设备,但很大程度地继承了明导过去这几年的产品精神,从晶片设计、模拟验证、
[电源管理]
电动车、光伏需求推动IGBT进入国产替代机遇窗口期
新能源需求拉动下国内IGBT市场有望保持20%增速,同时进口厂商供给短缺背景下本土IGBT玩家迎来加速成长机遇。建议关注已成功切入中高端客户供应链的士兰微、斯达半导、时代电气、比亚迪半导体等,以及正积极推进布局的闻泰科技、新洁能、扬杰科技等。 IGBT属于功率器件核心赛道。 IGBT(绝缘栅双极型晶体)是电子装置中电能转换与电路控制的核心器件,主要应用于650~6500V的中高压场景。由于IGBT的可靠性、节能性直接决定了终端设备的性能(如电动车、光伏等),下游客户在选取供应商时较谨慎,决定了应用环节客户导入门槛高,结合设计、制造、封装等环节的技术难度,综合来看IGBT属于Si基功率器件壁垒最高的细分赛道。 市场空间:测算2
[新能源]
Vishay超薄IGBT/MOSFET驱动器在小尺寸逆变器中有效节省空间
器件的高度为2.5 mm,具有高隔离电压,可用于电机驱动、可替代能源和其他高压应用 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的SMD封装的超薄2.5A IGBT和MOSFET驱动器---VOL3120。Vishay Semiconductors 这款器件占位小,高度为2.5mm,最小间隙和外部爬电距离为8mm。除了尺寸小的特点,器件还具有高隔离电压,VIORM和VIOTM分别为1050V和8000V,非常适合在更高工作电压或污染程度更严重条件下运转,例如电机驱动、可替代能源、焊接设备和其他高工作电压的应用。 VOL3120的高度比标准DIP封装
[电源管理]
开关电源IGBT的可靠性能解析
一、 IGBT 的简单介绍 绝缘栅双极型晶体管(简称“IGBT”)是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若 IGBT 的栅极和发射极之间电压为0V,则M
[电源管理]
IGBT芯片详解:它为什么被称为电动车领域的“核心技术”
芯片的种类五花八门,今天跟大家介绍一种与我们的生活息息相关的芯片IGBT(绝缘栅双极晶体管 Insulated-gate bipolar transistor ),这款芯片在电动汽车上运用极为广泛。 IGBT 是用于电动车、铁路机车、动车组的交流电电动机输出控制的芯片。 IGBT 直接控制直、交流电的转换,决定了驱动系统的扭矩,以及最大输出功率。所以,你这车加速能力怎样,最高时速多少,能源效率如何全看它。 IGBT 大约占电机驱动系统成本的一半 ,占到整车成本的5% ,是整部电动车成本第二高的元件(成本第一高的是电池)。毫不夸张地说,这就是电动车领域的“核心技术” 。 从结构上讲,IGBT主要有三个发展方向: 1、
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