传台积电向ASML下单，明年订购最少13台EUV光刻机

　　随着台积电宣布全世界第一个 3 奈米制程的建厂计划落脚台湾南科之后，10 奈米以下个位数制程技术的竞争就正式进入白热化的阶段。 台积电的对手 三星  29 日也宣布，将开始导入 11 奈米的  FinFET ，预计在 2018 年正式投产之外，也宣布将在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 极紫外线光刻设备。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。 　　根据 三星 表示，11 奈米  FinFET  制程技术「11LPP (Low Power Plus)」是现今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，可以大大缩小芯片面积。 另一方面，也沿用 14 奈米 LPP 制程

5月23日，三星宣称公司很快就开始用7nm技术制造处理器。   上月，在台媒消息称“苹果A12确定采用台积电7nm工艺，华为麒麟980可能采用台积电7nm工艺”后，三星便在第一季度财报中透露了7nm EUV（远紫外区光刻）工艺研发完成，将于今年下半年正式量产，这比预期进度提早了半年。   尽管都是7nm制程，但台积电与三星技术路线却不同。台积电延用传统的光刻技术，性能提升并不大，但在量产时间上能抢得先机，且今年第一季度已投产。三星7nm采用的是更为先进但难度极高的EUV技术，其优点在于接近性能极限。三星7nm EUV工艺制造的处理器很可能在性能、功耗方面更具优势。   此前，已确认高通5G芯片将成为三星7nm工艺首批客户。今日三星

尽管困难和阻力越来越大，Intel以其无以伦比的技术实力，仍在努力推进半导体工艺的深发展，14nm刚刚开始登场，就已经在大谈特谈7nm了。　 Intel院士Mark Bohr表示：“我的日常工作就是研究7nm。我相信，没有EUV也能做到。” EUV就是极紫外光刻。这十几年来，半导体工艺虽然在不断进步，但是核心光刻技术一直没有实质性的突破，还是老一套，EUV就是众望所归的下一站，但其难度之大就连Intel也是异常吃力，结果一拖再拖，至今遥遥无期。 Intel此前路线图显示10nm、7nm分别安排在2015年、2017年，但是14nm已经拖延了大半年…… Intel认为，EUV技术已经来不及用于10nm，甚至7nm上都

外媒报导，先进制程产能利用率开始下滑，且评估下滑时间将持续一段时间，为节省EUV的巨大耗电，台积电计划年底开始，关机部分EUV光刻机设备。对此，台积电表示不评论市场传闻。 之前芯片荒席卷全球，许多芯片厂商为满足客户需求，大幅扩产企图快速抢占市场。但2022年以来，消费电子市场需求明显下滑，导致供过于求，出现砍单降价、厂商取消扩产计划等。7月开始，市场传出受消费电子市场需求低迷影响，不少芯片厂商遭客户砍单，甚至台积电也难以幸免。加上不少芯片价格频频跳水，有的芯片价格甚至下跌八成，影响到先进制程产能利用率。 台积电拥有大约80部EUV光刻机设备，用于7nm、5nm、4nm等先进制程，且9月台积电还将开始量产最新的3纳米制程

ASML 今日宣布以10亿欧元现金收购德国卡尔蔡司(ZEISS) 子公司蔡司半导体有限公司(Carl Zeiss SMT) 24.9% 股份。 双方将合作开发用于下一代EUV系统的全新高数值孔径 (High NA) 光学系统 ASML将于未来六年内投入约7.6亿欧元支持Carl Zeiss SMT的研发和资本支出 全球半导体微影技术领导厂商艾司摩尔 (ASML) 和德国卡尔蔡司 (ZEISS) 旗下的蔡司半导体有限公司 (Carl Zeiss SMT) 今天共同宣布由ASML以10亿欧元现金收购Carl Zeiss SMT的24.9% 股权，以强化双方在半导体微影技术方面的合作，发展下一代EUV微影系统，让半导体

受惠于各家晶圆代工厂，包括台积电、三星、格罗方德等企业纷纷宣布将在 2018 年导入 7 奈米先进制程的情况下，EUV 极紫外线光刻机在其中所扮演的关键角色就越来越重要。 而目前做为光刻机的龙头老大荷兰艾斯摩尔 （ASML） 占据着高达 80% 的市场占有率，垄断了高阶光刻机的市场。 过去，在 14 及 16 奈米制程阶段，各家代工厂的及紫外线光刻机都是来自 ASML。 因此，不但带动了 2017 年 ASML 整体营收成长 25%，未来更被看好后续的发展状况。 在 2017 年，EUV 光刻机的年产量只有 12 台，几乎每个月只生产出一台。 就其高难度的生产技术来说，使得每台 EUV 光刻机的单价超过了 1 亿欧元。 不过，虽

　　2月23日消息， 三星 在官网宣布，投资60亿美元(约合人民币380亿)在韩国华城(Hwaseong)兴建新的半导体工厂，用于扩充7nm  EUV 的产能。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 　　该工厂已经破土动工，2019年下半年竣工，2020年之前投产。 　　据悉，光刻机最核心的元件就是紫外光源，目前常见的是ArF(氟化氩)，但在7nm时代，必须由波长更短的DUV(深紫外)和 EUV (极紫外)进行更精细的绘制工艺。 　　有趣的是， 三星 在22号刚刚宣布和高通在5G移动芯片时代达成合作，后者的骁龙芯片将使用前者的7nm打造。 　　 三星 将把 EUV 设备使用在7nm LPP(Low Power Plus)节