陈南翔就任长江存储执行董事长

集微网消息，据台湾媒体报道，近年来在半导体产业动作频频的大陆紫光集团宣布，总投资300亿美元的南京半导体产业基地已于本月12日开工。 据了解，紫光集团已网罗前晨星创办人杨伟毅出任紫光旗下长江存储公司CTO，带领紫光突破各国技术防卫战。 大陆媒体报导，紫光南京厂的技术很有可能部分来自于台湾。 据消息来源透露，这个重要人物正是杨伟毅，将让紫光朝自主研发3D NAND Flash等先进内存发展。 但未获本人证实。 根据紫光集团官网上消息，紫光集团上个月18日与南京签约，将投资300亿美元成立南京半导体产业基地，并总投资人民币300亿元兴建「紫光IC国际城」，这两大投资项目已于本月12日动工兴建。 这也是紫光集团继2016年12月30日的

近日有消息透露，长江存储的32层3D NAND闪存芯片取得突破性进展，标志着中国内存芯片行业的一个新的里程碑，预计首款中国自主研发的内存芯片即将于2018年第二季度或第三季度开始量产。 DIGITIMES指出，业内消息人士表示，目前南茂科技已经从长江存储的全资子公司武汉新芯（XMC）处获得NOR闪存的订单。 专家指出，由此可见清华紫光与南茂科技的战略合作非常成功。 2016年底，南茂科技以约7200万美元的价格将上海孙公司宏茂微电子54.98%股权转予清华紫光集团全资子公司西藏紫光国微及策略投资人与员工，南茂持有股权降至46%，双方透过共同合资经营宏茂微电子的形式，展开策略联盟。 2017年3月，双方正式完成股权交割。

　近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。据长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会（ICTech Summit 2017）上介绍，32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求。该款存储器芯片由长江存储与微电子所三维存储器研发中心联合开发，在微电子所三维存储器研发中心主任、长江存储NAND技术研发部项目资深技术总监霍宗亮的带领下，成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。 　　在大数据需求驱动下，存储器芯片已是电子信息领域占据市场份额最