6月4日,四川省经济和信息化厅发布《四川省“十四五”企业技术改造规划(征求意见稿)》(以下简称《规划》),规划期为2021年——2025年。
其中,电子信息产业被列入重点投资领域。
一、重点培育发展的产品
(一)集成电路与新型显示产品
重点培育发展:6英寸/8英寸/12英寸集成电路硅片、绝缘体上硅(SOI)、化合物半导体材料,光刻胶、靶材、抛光液、研磨液、封装材料等集成电路材料。化合物半导体芯片,高集成度、高性能5G、超高清视频、卫星导航、物联网、人工智能等集成电路芯片。高性能非晶硅(a-Si)/低温多晶硅(LTPS)/氧化物(Oxide)液晶显示器(TFT-LCD)面板产品;新型有源有机电致发光二极管(AMOLED)面板产品;4K、8K等超高清显示器件;超高清视频摄录编设备、超高清视频终端整机等。智能手机、智能可穿戴、智慧家庭、智能车载终端等产品。6代及以上玻璃基板、高性能混合液晶、驱动IC、高纯度靶材、高性能长寿命有机发光材料、量子点材料、5.5代及以上精细金属掩膜板、高纯度化学品、柔性基板材料、高性能激光器等。重点发展玻璃基板、光掩膜版,偏光片、靶材、液晶材料、光刻胶等关键材料。微波通信、IP、CPU、功率半导体、汽车电子的开发设计。倒装芯片、扇出型封装、圆片级封装、堆叠封装等封装技术、IGBT模块等功率器件封装技术。缺陷检测设备、激光加工设备以及真空零部件、高精密陶瓷零部件、投影镜头等设备。Micro-LED(发光二极管微缩化和矩阵化技术)、激光显示、高世代掩膜版、OLED(有机发光半导体)、电子材料、玻璃基板、偏光片、湿制程化学药液等材料,激光切割机、自动光学检测仪器等设备。
(二)新一代网络技术产品
重点培育发展:NB-IoT专用芯片、模组、网络设备、物联应用产品;5G基站的中高频器件、波束赋型阵列天线、基带处理算法等;6G使用的100GHz~10THz的太赫兹频段,大功率GaN太赫兹二极管制备、大功率太赫兹固态电子放大器、高效率太赫兹倍频器混频器等。
(三)软件与信息服务业产品
重点培育发展:工业设计工具软件、产品设计工具软件、工控软件等;信息安全可靠芯片、物联网安全芯片、通信网络安全芯片等。
二、重点突破推广的技术及装备
发展MEMS企业及射频/毫米波/太赫兹器件的特种封装测试等集成电路封装技术。加快人工智能领域智能算法、智能工具软件、软件开放平台等关键技术攻关。
突破高集成度、高性能5G、超高清视频、卫星导航、物联网、人工智能等高可靠性、高精度的设备和材料等核心关键技术,加快开发和应用高端芯片、传感器、传感网组网关键设备。
重点发展12英寸集成电路生产线设备,刻蚀机、光刻机、薄膜设备清洗设备、工艺检测等设备;大尺寸硅单晶生长设备,截断、滚圆、研磨、倒角、抛光等晶圆材料加工设备;6-8 英寸碳化硅单晶炉设备;先进封装圆片减薄设备、三维系统封装通孔设备、高密度倒装键合设备、新型圆片级封装用设备。硅片清洗、扩散、离子注入、材料沉积设备、自动封装系统、高洁净柔性搬送机器人、扫描电子显微镜、自动探针测试台等设备和仪器。发展5.5代及以上等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)、磁控溅射设备(Sputter)、曝光机、准分子激光退火设备、有机蒸镀设备、喷墨打印设备等。
三、突出补短锻长的产业链条
补短:加强5G射频微波、通用CPU、北斗导航、人工智能、显示驱动、功率半导体、信息安全、IP核、第三代半导体等领域高端芯片设计能力,优化GaAs/GaN生产工艺制程。大力发展3D NAND等先进存储芯片及先进晶圆代工产线。开展WLP(晶圆级封装)、MCP(多芯片封装)、SIP(系统级封装)等高附加值的先进封装业务,引入面向MEMS企业及射频/毫米波/太赫兹器件的特种封装测试技术,支持开展CSP、WLP、SIP、TSV、三维封装等先进封装测试技术的推广应用。实现5G中高频芯片、器件的产业化;超前布局太赫兹芯片,加大研究6G使用的100GHz~10THz的太赫兹频段,大功率GaN太赫兹二极管的制备等技术。
锻长:提高超高清视频摄录编设备、前端设备制造技术水平,持续优化终端设备制造等技术,不断突破超高清视频核心芯片、关键设备的技术。结合轨道交通、航天外测、北斗授时、卫星测运控,卫星载荷、星间链路,芯片设计、卫星导航终端等领先技术,力争在原有技术上不断巩固产业优势。
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