为解决SiC MOSFET 栅氧层界面质量差导致沟道迁移率低,使得沟道开态电阻过高,能源转换效率严重受限的技术瓶颈问题。西安交通大学微电子学院耿莉教授、刘卫华教授团队与西安电子科技大学郝跃院士共同合作,提出一种使用低温超临界二氧化碳(SCCO2) 或超临界一氧化二氮 (SCN2O) 流体的低温退火工艺,以提高4H-SiC MOSFET中4H-SiC/SiO2界面的质量。
该研究成果不仅实现高质量的SiO2/SiC界面、高的沟道迁移率和介电可靠性;同时,提出的高效低温退火工艺与标准 SiC MOSFET 制造工艺兼容,为制备高性能SiC MOSFET器件提供了新的有效方法,方便用于商用器件的制备。
近日,上述研究成果论文在第67届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议( IEDM)上发表,论文题目为:“超临界流体低温退火工艺实现高性能”。王梦华是学生第一作者,杨明超老师是第二作者,刘卫华教授、耿莉教授和郝跃院士是论文的通讯作者,西安交通大学为第一单位和通讯单位。该工作获得了国家重点研发计划、国家自然科学基金、西安交通大学基本科研业务费的支持。
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