扩产和结盟大潮下的SiC产业 未来竞争格局初显

发布者:TranquilOasis最新更新时间:2022-02-04 来源: 爱集微关键字:SiC 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

SiC的潜力被业界一致看好,产业链上下游纷纷加大资源的投入力度,在很多应用还未完全落地的情况下,激烈的竞争已经提前展开,在2021年的集中体现就是产能的扩张和新项目的开启。同时,为了提前锁定产能,下游企业(主要是车企)纷纷与上游企业进行绑定,这也让产业资源更加向头部企业集中。

总体而论,2021的SiC行业延续了近几年的火爆局面,并已经初步显现未来几年的竞争格局。

国际厂商纷纷转进8英寸 扩产成风 

在SiC器件的产业链中,由于制造工艺难度大,产业链价值主要集中于上游衬底环节。以SiC MOSFET元件来说,仅仅是SiC衬底本身,就已决定60%的SiC MOSFET元件成败。4 英寸及6 英寸是当前SiC衬底主流尺寸规格,与Si材料类似,更大尺寸也是其发展方向。

国际大厂纷纷在2021年开始扩产,逐渐向8英寸SiC进行过渡。早在2019年就展示了8英寸SiC衬底样品的Wolfspeed、II-VI都在2021年加紧了量产的准备过程。其中,Wolfspeed有望在2022年上半年率先实现8英寸SiC的量产,II-VI也宣布5年内6英寸晶圆产能扩张5-10倍,同时扩大运用差异化的材料技术的8寸晶圆产能。为了满足亚洲市场的需求,II-VI还在中国福州的亚洲区总部建立了一条用于导电SiC衬底的后端加工线,可进行边缘研磨、化学机械抛光、清洁和检测等操作。该工厂也是II-VI已宣布的5年扩产计划的一部分。

罗姆则计划到2025年投资850亿日元,使产能到2025年提升16倍。2021年1月,罗姆福冈筑后工厂新厂房竣工,开始安装生产设备,并建立可满足SiC功率元器件中长期增长需求的生产系统,预计将于2022年投产。

罗姆的SiC主要由子公司SiCrystal生产,据董事总经理Robert Eckstein透露,2022年SiCrystal的SiC衬底产能几乎售罄,主要客户为母公司罗姆、英飞凌、意法半导体等多家公司供货。

意法半导体通过收购Norstel公司获得了生产SiC衬底的能力,在2021年宣布瑞典北雪平工厂制造出首批8英寸SiC晶圆片,完成了生产链的补全。

博世也在大张旗鼓地进行扩产,其于2021年在罗伊特林根晶圆工厂增建了1000平方米无尘车间。按照计划,到2023年底,博世还将新建3000平方米无尘车间,并使用自主开发的制造工艺生产SiC半导体。同时,博世在着手研发功率密度更高的第二代SiC芯片,预计将于2022年投入大规模量产。

环球晶在美国德州设有工厂,也正在扩充SiC产能。据董事长徐秀兰透露,环球晶新产线有望在2022年投产。据了解,环球晶目前6英寸SiC基板月产能约2000片,部分客户已开始出货,由于客户需求强劲,可望扩增至5000片,也有机会进一步提升至8000片。

2021年9月,SK集团的美国子公司 SK Siltron CSS LLC计划投资近3.03亿美元在密歇根州扩大SiC晶圆生产。SK集团计划在SiC半导体晶圆业务上投资7000亿韩元(约合人民币38.22亿元),以到2025年成为世界尖端材料市场的龙头。SK集团计划将SiC晶圆的生产能力从目前的3万片增加到2025年的60万片,将全球市场占有率从5%提高到26%。

抢占产能制高点,已经成为国际领先企业的共识。

国内开工、融资忙不停

SiC虽在国内处于起步阶段,但随着“十四五”规划将其列为发展重点,行业发展已进入提速阶段。

2021年1月18日,青铜剑第三代半导体产业基地奠基仪式在深圳坪山举行。该项目位列深圳市2021年重大项目清单,预计在2023年4月建成投产,届时SiC器件年产能将达200万只。

5月,瀚天天成SiC产业园二期项目主体封顶。项目总投资6.3亿元,占地面积29002.015平方米,其中一期项目已建成投产,建筑面积18502.64平方米,二期规划建筑面积24133.03平方米。项目拟建设6英寸SiC外延晶片生产线项目,建成投产后预计年产值30亿元。

6月23日,总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式点亮投产,将打造国内首条、全球第三条SiC垂直整合产业链,可月产3万片6英寸SiC晶圆。

9月,山东天岳先进科技股份有限公司IPO获批,成为国内SiC第一股。其将募资20亿元,在上海建SiC半导体材料项目,计划于2022年试生产,2026年100%达产。

12月,露笑科技在接受机构调研时表示,目前公司现有的衬底片年产能为2.5万片,后续将根据市场订单情况继续进行扩产,预计到2022年6月份之前,公司将年产能扩大到10万片。

此外,各地方政府也将SiC定为未来发展重点。比如,湖南省人民政府出台的十四五规划指出,要推进半导体关键核心成套设备研发和产业化,加快6英寸SiC材料及芯片、中低压功率半导体等产业化发展,建成全国最大SiC全产业链生产基地,创建国家级半导体装备制造区域中心。

在资本市场上,SiC项目也成为2021年最受追捧的赛道之一。仅仅在2021年末,就有多家企业宣布融资。

12月17日,华瑞微完成了B轮和B+轮3亿元融资,本轮融资将助力华瑞微积极推进功率器件国产化,加大在IGBT、SiC功率器件等方面的研发力度,加快提升产能。

12月14日,森国科宣布完成C轮亿元级融资,其650V及1200V 两大系列的SiC JBS已经大批量出货。

11月30日,上海积塔半导体完成80亿元战略融资,这轮融资将极大助力公司发挥自身车规级芯片制造优势,加大SiC功率器件、车规级电源管理芯片、IGBT等方面制造工艺的研发力度。

抓住半导体技术迭代的机遇,国内SiC行业正在为下一阶段的规模化、产业化而蓄力。

车企忙结盟 锁定未来入场券

将SiC视为宝贵的战略资源,产业链下游的各大企业纷纷与SiC企业合作或结盟,这在汽车行业尤为明显。

据集邦咨询预测,全球SiC功率器件市场规模将从2020年的6.8亿美元增长至2025年的33.9亿美元,年复合增长率将达38%,其中新能源汽车的主逆变器、OBC(车载充电器)、DC/DC(电源模块)将成为主要驱动力,或在2025年占据62%的市场份额。预估到2025年,电动车市场对6英寸SiC晶圆需求将达169万片。

而且,SiC的价格亦逐年呈现下跌趋势。以6英寸SiC晶圆为例,2021年价格约为1000美元,预估2023年将降至700美元;SiC组件价格方面,预估2023年与Si基组件将会达到2.5倍甜蜜点的价差,即导入中端车型时,车厂仍能获利。

2021年12月29日,长城汽车作为领投方入股河北同光股份,正式进军第三代半导体核心产业。河北同光股份依托中科院半导体所,专业从事SiC单晶的研发、制备和销售,是河北省规模最大,也是国内率先实现量产第三代半导体材料SiC单晶衬底的高科技企业。

11月30日,上汽集团携旗下市场化私募股权投资平台尚颀资本共同出资5亿元,完成对国内领先车规级芯片及SiC功率器件生产企业 积塔半导体 的A轮投资。

2021年10月,Wolfspeed与通用汽车达成了SiC供应协议。据协议,通用汽车将参与Wolfspeed的“供应保证计划(WS AoSP)”。该计划旨在为电动汽车生产提供本土、可持续和可扩展的SiC材料。

8月,罗姆与中国汽车制造商吉利汽车集团建立策略伙伴关系。吉利计划透过罗姆的先进碳化硅功率解决方案延长EV续航里程、降低电池成本并缩短充电时间

6月,雷诺集团、意法半导体宣布就设计、开发、制造和供应进行策略合作,双方将依据雷诺集团对碳化硅装置、氮化镓电晶体需求的理解携手开发节能、尺寸合适的模组元件。

5月17日,吉利与芯聚能半导体、芯合科技等,合资成立了广东芯粤能半导体有限公司。据官微介绍,芯粤能位于广州市南沙,是一家面向车规级和工控领域的SiC芯片制造和研发的芯片代工公司,产线用地面积150亩,将建成年产24万片6英寸SiC晶圆,成为国内最大的车规级SiC芯片制造企业。

尽管汽车市场在SiC的整体应用中占比并不高,但是未来的空间非常巨大,上下游企业强强携手,将会加速SiC的应用落地进度。


关键字:SiC 引用地址:扩产和结盟大潮下的SiC产业 未来竞争格局初显

上一篇:封装基板缺口扩大,2021年有近10家本土厂商加码扩建
下一篇:英飞凌预计其2022年收入目标约147亿美元

推荐阅读最新更新时间:2024-10-25 07:33

克服碳化硅制造挑战,助力未来电力电子应用
几十年来, 硅(Si)一直是半导体行业的主要材料——从微处理器到分立功率器件,无处不在 。然而,随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展,硅的局限性变得越来越明显。 随着行业不断探索解决方案,宽禁带(WBG)材料,包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),被视为解决之道。禁带宽度描述了价带顶部和导带底部之间的能量差。硅的禁带宽度相对较窄,为1.1电子伏特(eV),而SiC和GaN的禁带宽度分别为3.3eV和3.4eV。 图 1 - 宽禁带材料的物理特性(资料来源:安森美) 这些特性意味着宽禁带材料的特性更像绝缘体,能够在更高的电压、频率和温度下工作。因此,它们非常适合用于电动汽车(EV)和可再生能源等领域的功
[半导体设计/制造]
克服<font color='red'>碳化硅</font>制造挑战,助力未来电力电子应用
车用SiC碳化硅的五大难点和应对方案
近年来,包括SiC在内的第三代半导体器件在汽车上的应用比例与日俱增。但在专业人士看来,这并不会是一个简单的事情。 一 以车用引线框架来看,尽管Si、碳化硅/氮化镓引线框架都是用铜材,制程相同,也要制作模具,但传统TO247封装方式芯片跟引线框架之间会有锡膏贴合,这样的封装方式会有VOID问题,会产生空洞问题,如果用在大电流大电压就不稳定可靠了,成为SiC芯片采用TO247封装方式的困难点,随着新应用及新能源的开发,半导体零组件需有耐高电压及高电流之特性,为了避免VOID问题,必须要用无压烧结银AS9330连接,引线框架也必须镀银,而连结时工差只有20um,精密度要求很高,连带技术门槛很高。 二 新型SiC芯片可用IPM、
[嵌入式]
车用<font color='red'>SiC</font><font color='red'>碳化硅</font>的五大难点和应对方案
碳化硅SiC)功率器件在新能源汽车中的深入应用解析
  碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,它突破硅基半导体材料物理限制,成为第三代半导体核心材料。碳化硅材料性能优势引领功率器件新变革。   功率器件的作用是实现对电能的处理、转换和控制。以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率 器件,具有耐高压、耐高温、能量损耗低、功率密度高等优势,可实现 功率模块小型化、轻量化。相同规格的碳化硅基 MOSFET 与硅基MOSFET 相比,其尺寸可大幅减小至原来的 1/10,导通电阻可至少降 低至原来的 1/100。相同规格的碳化硅基 MOSFET 较硅基 IGBT 的总 能量损耗可大大降低 70%。   碳化硅功率器件主要应用于新能源车的电驱电控系统,相较于传统硅基 功率半
[嵌入式]
<font color='red'>碳化硅</font>(<font color='red'>SiC</font>)功率器件在新能源汽车中的深入应用解析
​ASM推出全新PE2O8碳化硅外延机台
全新推出的PE2O8碳化硅外延机台是对行业领先的ASM单晶片碳化硅外延机台产品组合(包含适用于6英寸晶圆的 PE1O6 和适用于8英寸晶圆的 PE1O8)的进一步增强。该机台采用独立双腔设计,兼容6英寸和8英寸晶圆,可实现增加产量的同时,降低成本。 2024年10月16至18日, ASM先晶半导体亮相于深圳举办的首届湾芯展(SEMiBAY 2024) 。在国际化合物半导体产业发展论坛上,ASM推出了最新推出的适用于碳化硅外延的新型双腔机台PE2O8。该产品专为满足先进碳化硅功率器件的制造需求而设计,是一款拥有低缺陷率和高工艺一致性的标杆性外延机台,可广泛应用于各类碳化硅器件的制造,在实现增加产量的同时,降低拥有成本。 A
[半导体设计/制造]
​ASM推出全新PE2O8<font color='red'>碳化硅</font>外延机台
新能源汽车性能提升的催化剂:碳化硅技术
在新能源汽车的多个性能指标中,电力电子系统尤为关键,它决定了电能的有效管理和利用。而在电力电子系统的核心部件中,碳化硅(SiC)功率模块以其出色的热稳定性、高效率和耐高温特性,逐渐成为推动新能源汽车性能提升的重要技术。 SiC功率模块能够减小功率器件的体积,提高其工作频率,进而提升整个驱动系统的能效和响应速度,直接关系到新能源汽车的续航里程和功率密度。 01 在之前的文章中,我们对碳化硅(SiC)功率模块已经有了了解,SiC功率模块在高频、高温和高效率方面表现更出色。它们能够在较小的尺寸下提供更大的功率密度,这对于追求紧凑设计的应用来说,优势明显。 其次,SiC具有更好的热导性,意味着在散热方面更加高效。这也就允许了
[嵌入式]
新能源汽车性能提升的催化剂:<font color='red'>碳化硅</font>技术
SiC器件如何提升电动汽车的系统效率
新能源车的功率控制单元(PCU)是汽车电驱系统的中枢神经,管理电池中的电能与电机之间的流向、传递速度。 传统 PCU 使用硅基材料半导体制成,强电流与高压电穿过硅制晶体管和二极管的时的电能损耗是混合动力车最主要的电能损耗来源。 而使用 SiC 则大大降低了这一过程中能量损失,同时也可以大幅降低器件尺寸,车身可以设计得更为紧凑。 * 使用 SiC 体积大大减小 使用 SiC 体积与重量大大减小 SiC 器件对电动汽车用处 SiC器件对电动汽车的用处主要体现在以下几个方面: 性能提升:SiC器件可以提高电动汽车的充电模块性能,包括提高频率、降低损耗、缩小体积以及提升效率等。这有助于提升电动汽车的整体性能表现。 电机控制
[嵌入式]
<font color='red'>SiC</font>器件如何提升电动汽车的系统效率
芯聚能:碳化硅在新能源汽车领域的应用前景及挑战
10月17日,“新型功率半导体与新能源应用高峰论坛”即将在深圳召开,芯聚能已正式确认出席本次大会,届时,芯聚能总裁周晓阳将带来《碳化硅在新能源汽车领域的应用前景及挑战》的主题演讲。 芯聚能自2018年11月成立以来,始终专注于碳化硅功率半导体产品应用,旗下车规级碳化硅功率模块广泛应用于新能源汽车主驱等领域。9月29日,芯聚能新一代V5系列模块宣布定点6家车厂10个项目,涵盖纯电、混动车型,400V-1000V整车平台,中国、欧洲、美洲客户需求,预计年内出货将超1万个。截止十月份,芯聚能乘用车碳化硅主驱模块累积出货量超过30万块,稳居中国及全球碳化硅主驱模块出货量第一梯队。 想要了解更多芯聚能创新产品方案,大家可以来参加10
[汽车电子]
英飞凌推出HybridPACK™ Drive G2 Fusion, 将硅和碳化硅结合到用于电动汽车的先进电源模块中
经济实惠与高性能、高效率相结合,是电动汽车走向更广阔市场的关键所在。英飞凌科技股份公司宣布推出HybridPACK™ Drive G2 Fusion,为电动汽车领域的牵引逆变器确立了新的电源模块标准。HybridPACK™ Drive G2 Fusion是首款结合英飞凌硅(Si)和碳化硅(SiC)技术的即插即用电源模块。这一先进解决方案在性能和成本效益之间实现了理想的平衡,为逆变器的优化提供了更多选择。 HybridPACK™ Drive G2 Fusion 功率模块中硅和碳化硅的主要区别之一是碳化硅具有更高的热导率、击穿电压和开关速度,因此效率更高,但成本也高于硅基功率模块。采用新模块后,每辆车的碳化硅含量可以降低,同
[汽车电子]
英飞凌推出HybridPACK™ Drive G2 Fusion, 将硅和<font color='red'>碳化硅</font>结合到用于电动汽车的先进电源模块中
小广播
最新手机便携文章
换一换 更多 相关热搜器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved