中国公民在美涉嫌窃取军用芯片遭逮捕

发布者:LuckyDaisy最新更新时间:2015-12-16 来源: 元器件交谊网关键字:军用芯片 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
  根据EE Times美国版报导,有三名中国公民在美国康乃狄克州遭到联邦探员逮捕,起诉罪名是涉嫌从美国军方窃取并非法出口半导体产品。
 
  该案件最早起源是对自于从事半导体元件仿冒的颜江广豪(Jiang Guanghouw Yan)以及名为HK Potential Electronics之中国公司的调查。编按:根据福斯新闻报导,这三名嫌犯是50岁的张道福(Daofu Zhang,以下姓名均音译)、33岁的颜江广豪(Jiang Guanghouw Yan)、37岁的左贤峰(Xianfeng Zuo)。
 
  据称,美国联邦调查局对颜和这家香港业者Potential司的调查最早从2012年开始;举报称颜出售了45颗假冒的英特尔(Intel)微处理器给一个联邦卧底探员;他告诉颜,这些晶片将会被用于美国海军潜水艇上。调查指出,在2015年7月,颜向卧底探员要求进货22颗军用等级的赛灵思(Xilinx) FGPA晶片,每片晶片Yan愿意支付3万7,000美元。
 
  在被探员告知这些赛灵思的晶片要从美国海军基地去偷取后,颜表示可以提供这些赛灵思的晶片的假货,以防止美军监察到这些被偷的晶片;颜承认这些仿冒的赛灵思FPGA晶片可能会无法正常运作。在11月,颜邮寄了8颗假晶片给卧底探员。
 
  在12月6日,颜、张和左三人出差到美国,在试图从探员手上取货的时候,于12月10日被捕。美国联邦检察官Deirdre Daly 在一份声明中表示:“司法部和联邦执法部门联手,有决心将那些为军方供应假冒电子元件,并且试图从美国窃取复杂的军用元件并销售至不明去向的违法分子绳之以法。”
 
  上述三被告于康乃狄克州New Haven的美国地方法院呈堂,随后被拘留。这三人都被指控违反了《国际紧急经济权力法案(International Emergency Economic Powers Act)》,这一法案将最高刑罚为20年监禁和100万美元罚款;所有这三人也被指控盗窃政府财产,其中载有最高刑罚为10年监禁和25万美元罚款。
 
  张和左也被指控犯有共谋罪,其最高刑罚为五年监禁和25万美元罚款。检察官Daly办公室表示,此事正在由国防犯罪调查局、美国国土安全调查、联邦调查局、美国商务部工业和安全的美国空军特别调查办公室联合侦办。此案被美国助理司法部长Edward Chang提起控诉。
关键字:军用芯片 引用地址:中国公民在美涉嫌窃取军用芯片遭逮捕

上一篇:美高森美和Thales e-Security宣布签署硬件安全模块经销商协议
下一篇:iCE40 Ultra™平台发布 莱迪思深耕消费电子市场

小广播
最新嵌入式文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved