恩智浦庆祝射频技术创新60周年

在6月4-9日举行的国际微波研讨会(International Microwave Symposium)上，全球领先高功率RF功率晶体管供应商恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（NASDAQ:NXPI），在第1132号展台演示全新的5G蜂窝基站概念，以及其他多种创新型蜂窝基础设施解决方案和技术。此外，在会议期间，恩智浦还将通过参加八次研讨会和论文陈述，贡献丰富的技术内容。 

恩智浦资深副总裁兼射频业务总经理Paul Hart表示：“就对社会的影响而言，在可预见的未来，5G很可能成为我们亲眼见证的最伟大技术创新，打造未来的互联世界。60多年以来，恩智浦一直致力于在这个领域锐意创新。在今年的IMS会议上，我们将非常荣幸地演示我们的新型GaN和硅LDMOS产品。” 

构建5G基础设施 

随着互联设备和智能应用的数量日益增长，恩智浦提供了专门用途的功率放大器(PA)解决方案，旨在满足5G新无线(NR)的尺寸、功率和频段要求。最新发布的IHS Markit研究表明，到2035年，5G移动技术可能实现12.4万亿美元的全球经济输出。顶级蜂窝基础设施OEM已经在他们的5G NR产品设计中采用了恩智浦的RF高性能蜂窝基础设施产品和技术。

推动下一代氮化镓(GaN)技术从艺术成为主流 

随着高频段的频谱扩展，我们需要更大的带宽来聚合不同频段的更多载波，这些因素加快了GaN技术在基站无线电领域的采用。ABI研究表明，在2017年，GaN RF功率器件预期将在移动无线基础设施的所有高功率半导体产品中占据接近25%的比例。随着5G NR标准的采用，GaN技术有望在今后得到更广泛应用。 

恩智浦致力于成功部署业界最佳GaN技术。从2015年到2016年，恩智浦的GaN射频晶体管产品增加了一倍以上。恩智浦将在2017年继续增加GaN产品，不仅能够更好地服务于蜂窝基础设施市场，还提供面向工业和国防市场的不同功率范围的全套GaN产品系列。在IMS会议上，恩智浦在其展台上演示GaN技术领域的最新创新。

恩智浦Airfast第三代横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)产品 

RF Si-LDMOS产品仍然在蜂窝基站中得到了最广泛的应用。恩智浦拥有可观的市场份额，在业界占据领先地位，并在每一代LDMOS产品系列中都取得了重大进步。最新一代产品实现了显著的性能改进，包括在效率、增益、热性能和信号带宽方面。这些增强旨在满足面向5G的下一代宏基站和智能移动性解决方案的要求。

恩智浦小型基站解决方案增加覆盖面和容量 

除了宏基站之外，无线运营商还必须使用小型基站实现网络密集化，目标是增加下一代网络的覆盖面、容量和速度。恩智浦提供的小型基站解决方案，高集成度，外形尺寸小巧，从而实现了这些系统级改进。恩智浦提供完整的高功率对称IC和非对称IC产品系列，频率从700至3800 MHz不等，适用于3G、4G到5G的部署。恩智浦还与Analog Devices Inc.和NanoSemi Inc.等行业合作伙伴携手合作，提供完整线性化解决方案。