555构成的电容、频率、晶体管在线检测器

发布者:SparklingBeauty最新更新时间:2015-01-19 来源: eechina关键字:检测器  晶体管 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
如图所示为电容、频率、晶体管在线检测电路。本检测器对电容、频率、晶体管进行检测时可通过调节预置开关K1来转换。将K1置于II可检测电容。555和R8~R12及待测电容Cx组成单稳定时电路,Cx容量越大,则脉冲越宽,即td=1.1(R8~R12)Cx越长,电流平均值越大,相应表头的指示越大。电路中BG1为单结晶体管,其与R1、C3组成弛张振荡器,其输出的振荡脉冲信号作为IC的触发脉冲。将K1置于III可进行频率测量。此时单稳电路IC输出td'=1.1(R8~R12)CB的定值宽度的信号。输入信号的频率越高。IC被触发的次数越多,则电流平均值越大,相应表头指示也越大。将K1置于I可进行在线晶体管测试。该原理类似于检测电容。电路中晶体管BG1完成正负电源的转换。随着IC输出高、低电平的交替变化,若发光二极管LED1、LED2依次发光,则说明晶体管是好的,否则晶体管是坏的。
关键字:检测器  晶体管 引用地址:555构成的电容、频率、晶体管在线检测器

上一篇:555构成的脉宽检测电路
下一篇:555构成的电容器检测筛选电路

推荐阅读最新更新时间:2024-03-30 22:52

ST车用大电流功率场效应MOS晶体管实现低导通电阻
意法半导体日前针对汽车市场推出新的大电流功率场效应MOS晶体管,该产品采用ST最新优化的STripFET专利技术,实现了最低的导通电阻。 STD95N04是一个40V的标准电平的DPAK产品,最大导通电阻RDS(on)6.5mΩ,专门为DC-DC转换器、电机控制、电磁阀驱动器和ABS设计的。新产品的典型RDS(on)在5mΩ区间内,能够满足标准阈压的驱动要求。STD95N04符合汽车电工理事会组件技术委员会针对汽车环境用组件制定的AEC Q101分立器件应力测试标准。该组件最大工作温度175℃ ,100%通过雪崩测试。 STripFET技术以密度大幅度提高的单元为基础,导通电阻和功耗比上一代技术更低,占用的硅片面积更少。正在开
[新品]
高通和苹果杠上了,骁龙1000曝光:拥有超85亿个晶体管
即将推出的Snapdragon 8180代号为“Poipu”项目,将拥有超过85亿个晶体管。作为对比,骁龙835拥有30亿个晶体管,而苹果A12拥有69亿颗晶体管。新的骁龙8180还可以提供高达15W的最大功率,与英特尔的U系列酷睿i3、i5和i7芯片相当。骁龙8180的尺寸为20×15mm,由台湾制造商台积电制造,基于7nm工艺打造。 高通似乎对他们即将推出的用于PC的骁龙处理器非常认真。最近曝光了关于用于PC的骁龙1000处理器,也就是所谓的Snapdragon 8180,现在高通已准备好和其他竞争对手更好地比拼。 据爆料,即将推出的Snapdragon 8180代号为“Poipu”项目,将拥有超过85亿个
[嵌入式]
高通和苹果杠上了,骁龙1000曝光:拥有超85亿个<font color='red'>晶体管</font>
低压线性稳压器(LDO)的应用技巧
热力学中常犯的一个错误就是选择和线性稳压器一样简易的装置。当设计即将应用时,设计师通常会意识到这个错误。更糟的是,由于新型线性稳压器的新功能和规格,封装中消散的功率很容易被忽视。 这让稳压器的运行温度会超过其额定温度,在实际使用中会引发故障。 线性稳压器基本上由一个旁路元件和一个控制器组成。该元件是一个晶体管,可以在控制回路的帮助下成为可变电阻器,从而在旁路元件和负荷之间形成一个分压器。 图1. 线性稳压器框图。注意,旁路元件将在其自身和负荷之间形成一个分压器,起到耗散功率的作用。 人们常常忽略了它并非一个神奇实体的事实: 旁路元件上的电压会降低,并逐渐升温。例如,如果图1中的电路有100毫安的恒定负荷,则可以将其
[电源管理]
低压线性稳压器(LDO)的应用技巧
555构成的D类放大器电路
由IC555和R1、R2、C1等组成100KHz可控多谐振荡器,占空比为50%,控制端5脚输入音频信号,3脚便得到脉宽与输入信号幅值成正比的脉冲信号,经L、C3接调、滤波后推动扬声器。用555制作的 D类放大器 :
[模拟电子]
<font color='red'>555</font>构成的D类放大器电路
音响中的场效应管和双极型晶体管
1功率放大器用 场效应管 或 双极型晶体管 (以下简称晶体管)作前级和后级对信号进行放大处理。而采用 场效应管 做的功率放大器,重放的音乐温暖润滑,韵昧十足。用晶体管做的放大器也有其优点,不妨对 场效应管 和晶体管作一个对比。 1. 场效应管 主要有结型 场效应管 (JFET)和绝缘栅型 场效应管 (IGFET)。绝缘栅型 场效应管 的衬底(B)与源析(S)连在一起,它的三个极分别为栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。晶体管分NPN和PNP管,它的三个极分别为基极(b)、集电极(c)、发射极(e)。 场效应管 的G、D、S极与晶体管的b、c、e极有相似的功能。绝缘栅型效应管和结型 场效应管 的区别在于它们的导电机构和电流控制原理根本
[模拟电子]
恩智浦推基站用Gen9+LDMOS射频功率晶体管
  据外媒报道,恩智浦半导体NV已经推出Gen9+LDMOS射频功率晶体管,适用于无线/蜂窝基站,相比Doherty系列提升5%的效率。   Gen9晶体管为Doherty功率放大器(对称和非对称)而设计,可在现有的封装选项下提供基准功率密度。Gen9在频率范围3.4-3.8GHz频段进行了优化操作,这些频段资源被批准释放后,明年这些有优化操作将被运营商使用。   随着4G移动数据业务在全球的迅速推广,Gen9产品系列是专门针对紧凑,高效,高性能LTE基站而推出,延续前几代LDMOS的良好品质和技术基因,Gen9将以业界领先的成本优势,提供更高的效率和出色的线性功能。   众所周知,恩智浦的LDMOS射频功率晶体管的面世的初
[网络通信]
近看英特尔45nm Nehalem核心照
下一代45nm Nehalem处理器的核心实物 点击此处查看全部科技图片   2008年4月2日,为期两天的英特尔2008年春季信息技术峰会(IDF)今日在上海国际会议中心拉开帷幕。而且提前放出了下一代45nm Nehalem处理器的核心实物。   此次展示的代号“Bloomfield”的四核心版本,集成多达7.31亿个晶体管,但由于采用了先进的45nm工艺,因此核心面积并不大,只有大约265平方毫米,甚至比一枚欧元硬币还要小。从展示的图片来看,可以清楚地看到四个内核并列排在一起,并且这颗四核处理器采用的是由两个原生双核处理器封装在一个硅片上而来的。   另外,在本届IDF上,英特尔还将集中向业界、合作伙
[新品]
小广播
添点儿料...
无论热点新闻、行业分析、技术干货……
最新测试测量文章
换一换 更多 相关热搜器件
随便看看
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved