1 引 言
中国环流器2号A(HL—2A)是中国第一个具有偏滤器位形的大型受控核聚变研究装置,其主机由德国ASDEX装置主机主要部件经适当改造而成,其磁场线圈所需的供电系统及其它的配套系统则完全由我院自行研制。
欧姆线圈(OH)在HL—2A中的作用是击穿气体、建立、维持并加热等离子体电流,因而为其供电的欧姆电源在装置实验中起着非常重要的作用。欧姆电源如图1所示,有正负各两组共计四组电源。
图1 欧姆电源示意图
其中1号和3号整流柜为正组,2号和4号整流柜为负组,正组输出电压1600V,负组800V,两组的输出电流都是30kA。
随着实验的深入,实验需求参数的不断提高,就要求实现欧姆电源正负组的无环流运行。欧姆电源的逻辑无环流运行可分为以下几个阶段,正组整流阶段为欧姆线圈充磁,开始放电时正组整流器快速进入逆变段,将气体击穿、维持等离子体电流上升,在正组电流过零后将正组封锁,紧接着负组以整流状态投入工作,继续推动等离子体电流上升并维持平顶,平顶结束后负组以逆变方式控制等离子体电流下降,电流过零后封锁负组,完成一次放电。对实验来讲,要实现逻辑无环流并确保装置的安全,最关键的技术就是欧姆电流的过零检测。
为了检测欧姆的过零情况,可靠地实现逻辑无环流控制,对比实际情况,我们开发研制了晶闸管全关断检测电路板。
2 几种关断检测方法的比较
要实现逻辑无环流的准确稳定运行,最关键的是如何准确判断正组整流器的全关断时刻。因为如果判断关断提前,而实际上正组整流器还没有全关断,这时按设定的逻辑程序就把负组整流器开通,正组整流器和负组整流器之间就会形成大环流,则对电源设备的安全构成严重危害;如果判断关断延后,正组整流器和负组整流器之间切换的死区时间过长,则影响装置放电以至放电失败。
全关断检测对电源系统安全和装置放电的稳定有着重要的影响。通常采用检测整流器的直流输出电流是否过零来判断其是否关断,习惯上就叫做过零检测,下面是对几种检测方法的分析和比较。
2.1 软件过零检测方法
采用直流传感器的信号,经过采集板卡送入计算机,预先设置一个比较值,通过程序来比较,在检测到电流值小于这个值的时候,则认为过零,由于大电流传感器测量精度的局限性和现场干扰严重,容易造成误判,而且过零检测程序与复杂的装置放电控制程序编在一起,只检测第一次过零,在电流出现波动时,它不能判断再过零,如图2所示。
图2 软件检测过零时电流出现波动时过零判断示意图
其中Utk2-OH为软件检测过零信号,I-OH为欧姆电源电流,因为互感器测量方向接反,所以欧姆电流显示为负(下同)。当过零信号反转时,实际上还有一定电流,整流器并没有真正关断,且处于续流状态。如果放电正常,通过软件延时适当时间,可以控制在正组整流器真正关断时再开通负组整流器,其转换死区时间的长短取决于传感器的测量精度和程序速度。但如果放电不正常,正好在过零信号反转,软件延时时,等离子体电流破裂,其能量耦合到欧姆原边,正组电流增加,续流时间增长,软件又只检测出一个过零点,如果在软件延时(固定值)结束后开通负组整流器,此时正组整流器还在续流,将产生环流。
采用直流传感器的信号,经过采集板卡送入计算机,预先设置一个比较值,通过程序来比较,在检测到电流值小于这个值的时候,则认为过零,由于大电流传感器测量精度的局限性和现场干扰严重,容易造成误判,而且过零检测程序与复杂的装置放电控制程序编在一起,只检测第一次过零,在电流出现波动时,它不能判断再过零,如图2所示。其中Utk2-OH为软件检测过零信号,I-OH为欧姆电源电流,因为互感器测量方向接反,所以欧姆电流显示为负(下同)。
当过零信号反转时,实际上还有一定电流,整流器并没有真正关断,且处于续流状态。如果放电正常,通过软件延时适当时间,可以控制在正组整流器真正关断时再开通负组整流器,其转换死区时间的长短取决于传感器的测量精度和程序速度。但如果放电不正常,正好在过零信号反转,软件延时时,等离子体电流破裂,其能量耦合到欧姆原边,正组电流增加,续流时间增长,软件又只检测出一个过零点,如果在软件延时(固定值)结束后开通负组整流器,此时正组整流器还在续流,将产生环流。[page]
2.2 硬件过零检测方法
此方法用硬件来实现,采用霍尔元件测得欧姆整流器正组总电流信号来作为输入信号,在正常工作的时候也可以准确检测出关断时刻,但是在电源出现某些异常情况时,如逆变失败或电流不为零时提前封锁,电流又恰好是在零点附近,则该检测方法会多次显示过零情况。而此方法检测出第一次过零信号时,实际上整流器不一定是全关断的,只是因为电源某两相的电压通过某一对晶闸管加到OH线圈上,在一直流激磁电流的基础上,不断地对其激磁消磁, OH线圈能量并通过回路电阻消耗,直到OH线圈的直流电流衰减到零,整流器真正关断。如图3所示。
图3 硬件过零检测提前封锁时的波形
其中V-OH为欧姆电源电压,Utk1-OH为硬件检测过零信号。
2.3管压降过零检测方法
鉴于以上两种方法各自的缺陷,现在采用一种新的检测方法,通过检测晶闸管两端的管压降来判断是否完全关断。这是一种直接有效的方法,如果所有的管子都关断,则负载中没有电流,管压降为几百伏,如果还有管子导通,则负载中还有电流,管压降则为几伏,通过对管压降的检测来判断是否全关断,即可判断是否有负载电流。针对这种特点,设计了晶闸管全关断检测电路。
为了可靠判断晶闸管关断,取相电压的15度时为判断的时刻=700×0.25=175V,即当管子两端电压高于175V时,判断管子为关断状态;当管子两端电压小于175V时,判断管子为导通状态,如图4。
图4 全关断检测原理分析
(a)分别是A、B、C三相电压,(b)、(c)、(d)分别是共阴极组的三个晶闸管的状态信号,它包括正向电压和反向电压,中间有30度的低电平,将b、c、d三个信号相与,得到一个脉冲系列信号e,表示管子已全部关断。经此信号用一个单稳整形为电平信号,用来表示关断信号。
3 晶闸管全关断检测电路
图5即为晶闸管全管断电路原理图。
图5 全关断检测电路原理图
每个晶闸管两端分别分压,按正反方向接两个光耦,当管子两端为正电压时,其中一个光耦导通,如果管子两端为负电压时,另一个光耦导通,光耦导通时输出信号都为1,否则为0。将这两个信号进行“或”处理,得到一个信号,如果“或”之后的信号(即一个晶闸管的信号)仍然为1时,则可判断此晶闸管为关断状态,反之则为导通状态。
六个晶闸管的信号“与”之后的信号为1时,判断此时为晶闸管全关断状态。通过调节单稳态触发器RC与C的电阻及电容,使其输出高电平保持60 ,这样能保证准确反映脉冲状态,所有管子关断时就为高电平,当60 后无脉冲,则无高电平输出。也就是说,只要有晶闸管导通,则输出的状态信号就为0。因而在等离子体破裂时,导致正组续流时间增长,就会有低电平输出。
在此电路中,光耦工作在线性区,至少是在正弦波的下部是工作在线性区,即在正弦波底部电压很低的情况下,光耦也能导通,真实反映晶闸管两端承受的电压。而正弦波电压较高的那部分更能使光耦导通。现在以一个光耦的输出为例来介绍板子的工作原理。
先假设一个光耦导通,其输出的信号经过三极管放大,分成三路分别通过三个比较器,其中一个同相比较器,两个反相比较器。同相比较器是用来得到脉冲的前沿,当正弦波电压达到比较电平时,比较器翻转产生一个上升沿,它的输出接到一个D触发器的时钟端,Q端开始为“1”;当正弦波电压达到反相比较器比较电平时;也产生一个上升沿,这个上升沿经过一个单稳后送到D触发器的复位端使Q端变为“0”,也就是确定了脉冲的后沿。经过这个环节,正弦波已经被整形为方波。
另外一个反相比较器的作用是确保能找到一个能使D触发器复位的一个信号,这是因为如果后沿比较电平比前沿比较电平高,就有可能出现在检测到前沿以后晶闸管导通,晶闸管两端电压只有几伏,就找不到后沿,D触发器的输出就一直为“1”,错误的反映了管子状态。所以这个比较器的比较电平必须设置在前沿比较器的比较电平之下,它的输出和另外一个反相比较器的输出相“或”,连接到单稳的输入端;对应正、反向光耦最终的输出信号相“或”后,再与其他六路信号相“与”,得到全关断信号。
4 调试结果
首先用标准的正弦波信号源对高隔离电压光电耦合器的工作点进行调整,尽量在要检测的电压范围内使其延时时间短,且光耦的性能基本一致,再能过比较器调节各路输出的一致性。
由于欧姆电源工作在脉冲运行方式,现场调试比较困难,通过每一次放电记录的数据,把每一路的信号再进行优化调整,使其能正常工作,能够准确检测到正组整流器电流过零时刻,如图6,其中Utk3-OH为晶闸管全关断检测过零信号。
图6 全关断过零检测示意图
该晶闸管全关断检测电路不仅在理论上能够真实反映管子全关断时刻,并且在实验运行中得到了良好地应用,在OH电源假负载的条件下,进行的逻辑无环流实验中,全关断信号与其它过零信号(软件过零检测信号、硬件过零检测信号和等离子体存在信号)综合作为整流器是否关断的判据,起到了较好的效果。实验中是在全关断信号出现后,延时6ms, 如果上述三个信号同时存在,则负组打开的条件满足,这为实验装置的安全提供了保证,实验参数得到很大提高。
关键字:晶闸 管整流器 全关断检测电路
引用地址:晶闸管整流器全关断检测电路的设计
中国环流器2号A(HL—2A)是中国第一个具有偏滤器位形的大型受控核聚变研究装置,其主机由德国ASDEX装置主机主要部件经适当改造而成,其磁场线圈所需的供电系统及其它的配套系统则完全由我院自行研制。
欧姆线圈(OH)在HL—2A中的作用是击穿气体、建立、维持并加热等离子体电流,因而为其供电的欧姆电源在装置实验中起着非常重要的作用。欧姆电源如图1所示,有正负各两组共计四组电源。
图1 欧姆电源示意图
其中1号和3号整流柜为正组,2号和4号整流柜为负组,正组输出电压1600V,负组800V,两组的输出电流都是30kA。
随着实验的深入,实验需求参数的不断提高,就要求实现欧姆电源正负组的无环流运行。欧姆电源的逻辑无环流运行可分为以下几个阶段,正组整流阶段为欧姆线圈充磁,开始放电时正组整流器快速进入逆变段,将气体击穿、维持等离子体电流上升,在正组电流过零后将正组封锁,紧接着负组以整流状态投入工作,继续推动等离子体电流上升并维持平顶,平顶结束后负组以逆变方式控制等离子体电流下降,电流过零后封锁负组,完成一次放电。对实验来讲,要实现逻辑无环流并确保装置的安全,最关键的技术就是欧姆电流的过零检测。
为了检测欧姆的过零情况,可靠地实现逻辑无环流控制,对比实际情况,我们开发研制了晶闸管全关断检测电路板。
2 几种关断检测方法的比较
要实现逻辑无环流的准确稳定运行,最关键的是如何准确判断正组整流器的全关断时刻。因为如果判断关断提前,而实际上正组整流器还没有全关断,这时按设定的逻辑程序就把负组整流器开通,正组整流器和负组整流器之间就会形成大环流,则对电源设备的安全构成严重危害;如果判断关断延后,正组整流器和负组整流器之间切换的死区时间过长,则影响装置放电以至放电失败。
全关断检测对电源系统安全和装置放电的稳定有着重要的影响。通常采用检测整流器的直流输出电流是否过零来判断其是否关断,习惯上就叫做过零检测,下面是对几种检测方法的分析和比较。
2.1 软件过零检测方法
采用直流传感器的信号,经过采集板卡送入计算机,预先设置一个比较值,通过程序来比较,在检测到电流值小于这个值的时候,则认为过零,由于大电流传感器测量精度的局限性和现场干扰严重,容易造成误判,而且过零检测程序与复杂的装置放电控制程序编在一起,只检测第一次过零,在电流出现波动时,它不能判断再过零,如图2所示。
图2 软件检测过零时电流出现波动时过零判断示意图
其中Utk2-OH为软件检测过零信号,I-OH为欧姆电源电流,因为互感器测量方向接反,所以欧姆电流显示为负(下同)。当过零信号反转时,实际上还有一定电流,整流器并没有真正关断,且处于续流状态。如果放电正常,通过软件延时适当时间,可以控制在正组整流器真正关断时再开通负组整流器,其转换死区时间的长短取决于传感器的测量精度和程序速度。但如果放电不正常,正好在过零信号反转,软件延时时,等离子体电流破裂,其能量耦合到欧姆原边,正组电流增加,续流时间增长,软件又只检测出一个过零点,如果在软件延时(固定值)结束后开通负组整流器,此时正组整流器还在续流,将产生环流。
采用直流传感器的信号,经过采集板卡送入计算机,预先设置一个比较值,通过程序来比较,在检测到电流值小于这个值的时候,则认为过零,由于大电流传感器测量精度的局限性和现场干扰严重,容易造成误判,而且过零检测程序与复杂的装置放电控制程序编在一起,只检测第一次过零,在电流出现波动时,它不能判断再过零,如图2所示。其中Utk2-OH为软件检测过零信号,I-OH为欧姆电源电流,因为互感器测量方向接反,所以欧姆电流显示为负(下同)。
当过零信号反转时,实际上还有一定电流,整流器并没有真正关断,且处于续流状态。如果放电正常,通过软件延时适当时间,可以控制在正组整流器真正关断时再开通负组整流器,其转换死区时间的长短取决于传感器的测量精度和程序速度。但如果放电不正常,正好在过零信号反转,软件延时时,等离子体电流破裂,其能量耦合到欧姆原边,正组电流增加,续流时间增长,软件又只检测出一个过零点,如果在软件延时(固定值)结束后开通负组整流器,此时正组整流器还在续流,将产生环流。[page]
2.2 硬件过零检测方法
此方法用硬件来实现,采用霍尔元件测得欧姆整流器正组总电流信号来作为输入信号,在正常工作的时候也可以准确检测出关断时刻,但是在电源出现某些异常情况时,如逆变失败或电流不为零时提前封锁,电流又恰好是在零点附近,则该检测方法会多次显示过零情况。而此方法检测出第一次过零信号时,实际上整流器不一定是全关断的,只是因为电源某两相的电压通过某一对晶闸管加到OH线圈上,在一直流激磁电流的基础上,不断地对其激磁消磁, OH线圈能量并通过回路电阻消耗,直到OH线圈的直流电流衰减到零,整流器真正关断。如图3所示。
图3 硬件过零检测提前封锁时的波形
其中V-OH为欧姆电源电压,Utk1-OH为硬件检测过零信号。
2.3管压降过零检测方法
鉴于以上两种方法各自的缺陷,现在采用一种新的检测方法,通过检测晶闸管两端的管压降来判断是否完全关断。这是一种直接有效的方法,如果所有的管子都关断,则负载中没有电流,管压降为几百伏,如果还有管子导通,则负载中还有电流,管压降则为几伏,通过对管压降的检测来判断是否全关断,即可判断是否有负载电流。针对这种特点,设计了晶闸管全关断检测电路。
为了可靠判断晶闸管关断,取相电压的15度时为判断的时刻=700×0.25=175V,即当管子两端电压高于175V时,判断管子为关断状态;当管子两端电压小于175V时,判断管子为导通状态,如图4。
图4 全关断检测原理分析
(a)分别是A、B、C三相电压,(b)、(c)、(d)分别是共阴极组的三个晶闸管的状态信号,它包括正向电压和反向电压,中间有30度的低电平,将b、c、d三个信号相与,得到一个脉冲系列信号e,表示管子已全部关断。经此信号用一个单稳整形为电平信号,用来表示关断信号。
3 晶闸管全关断检测电路
图5即为晶闸管全管断电路原理图。
图5 全关断检测电路原理图
每个晶闸管两端分别分压,按正反方向接两个光耦,当管子两端为正电压时,其中一个光耦导通,如果管子两端为负电压时,另一个光耦导通,光耦导通时输出信号都为1,否则为0。将这两个信号进行“或”处理,得到一个信号,如果“或”之后的信号(即一个晶闸管的信号)仍然为1时,则可判断此晶闸管为关断状态,反之则为导通状态。
六个晶闸管的信号“与”之后的信号为1时,判断此时为晶闸管全关断状态。通过调节单稳态触发器RC与C的电阻及电容,使其输出高电平保持60 ,这样能保证准确反映脉冲状态,所有管子关断时就为高电平,当60 后无脉冲,则无高电平输出。也就是说,只要有晶闸管导通,则输出的状态信号就为0。因而在等离子体破裂时,导致正组续流时间增长,就会有低电平输出。
在此电路中,光耦工作在线性区,至少是在正弦波的下部是工作在线性区,即在正弦波底部电压很低的情况下,光耦也能导通,真实反映晶闸管两端承受的电压。而正弦波电压较高的那部分更能使光耦导通。现在以一个光耦的输出为例来介绍板子的工作原理。
先假设一个光耦导通,其输出的信号经过三极管放大,分成三路分别通过三个比较器,其中一个同相比较器,两个反相比较器。同相比较器是用来得到脉冲的前沿,当正弦波电压达到比较电平时,比较器翻转产生一个上升沿,它的输出接到一个D触发器的时钟端,Q端开始为“1”;当正弦波电压达到反相比较器比较电平时;也产生一个上升沿,这个上升沿经过一个单稳后送到D触发器的复位端使Q端变为“0”,也就是确定了脉冲的后沿。经过这个环节,正弦波已经被整形为方波。
另外一个反相比较器的作用是确保能找到一个能使D触发器复位的一个信号,这是因为如果后沿比较电平比前沿比较电平高,就有可能出现在检测到前沿以后晶闸管导通,晶闸管两端电压只有几伏,就找不到后沿,D触发器的输出就一直为“1”,错误的反映了管子状态。所以这个比较器的比较电平必须设置在前沿比较器的比较电平之下,它的输出和另外一个反相比较器的输出相“或”,连接到单稳的输入端;对应正、反向光耦最终的输出信号相“或”后,再与其他六路信号相“与”,得到全关断信号。
4 调试结果
首先用标准的正弦波信号源对高隔离电压光电耦合器的工作点进行调整,尽量在要检测的电压范围内使其延时时间短,且光耦的性能基本一致,再能过比较器调节各路输出的一致性。
由于欧姆电源工作在脉冲运行方式,现场调试比较困难,通过每一次放电记录的数据,把每一路的信号再进行优化调整,使其能正常工作,能够准确检测到正组整流器电流过零时刻,如图6,其中Utk3-OH为晶闸管全关断检测过零信号。
图6 全关断过零检测示意图
该晶闸管全关断检测电路不仅在理论上能够真实反映管子全关断时刻,并且在实验运行中得到了良好地应用,在OH电源假负载的条件下,进行的逻辑无环流实验中,全关断信号与其它过零信号(软件过零检测信号、硬件过零检测信号和等离子体存在信号)综合作为整流器是否关断的判据,起到了较好的效果。实验中是在全关断信号出现后,延时6ms, 如果上述三个信号同时存在,则负组打开的条件满足,这为实验装置的安全提供了保证,实验参数得到很大提高。
上一篇:加速度传感器的原理及其选型方法
下一篇:开关电源的测量
推荐阅读最新更新时间:2024-03-30 22:58
光控晶闸管的结构及电路符号图
通常晶闸管有三个电极:控制极G、阳极A和阴极C。而光控晶闸管由于其控制信号来自光的照射,没有必要再引出控制极,所以只有两个电极(阳极A和阴极C)。但它的结构与普通可控硅一样,是由四层PNPN器件构成。 光控晶闸管的外形如图1(a)所示。其电路图形符号如图1(b)所示。 从外形上看,光控晶闸管亦有受光窗口,还有两条管脚和壳体,酷似光电二极管。
[模拟电子]
Vishay相控晶闸管在中功率开关应用中降低成本并节约空间
宾夕法尼亚、MALVERN 2016 年 3 月21 日 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用新的长引线TO-247封装的50A、1200V相控晶闸管---VS-50TPS12L-M3。Vishay Semiconductors VS-50TPS12L-M3采用3引线通孔封装,为电源开关应用提供了新的中等功率选项。 单相SCR VS-50TPS12L-M3十分耐用,浪涌电流高达630A,玻璃钝化技术使器件能在+150℃结温下可靠工作。晶闸管符合RoHS,无卤素,引线长20mm,便于在PCB上安装,dV/dt高达1000V/ S,能更好地抵御EMI。
[电源管理]
单片机在晶闸管触发电路中设计及应用
单片机在晶闸管触发电路中设计及应用 本文介绍一种由8031单片机组成的触发控制系统,可实现高分辨率的数字触发。在常规控制中,主要是用电子控制装置对可控硅实现触发,这种方法由于受到电子元器件的限制,其分辨率不高,有时还会出现误触发。 在电力拖动系统、电炉控制系统中现已大量采用可控硅(晶闸管)元件作为可调电源向电动机或电炉供电,这种由晶闸管组成的控制系统,主要是利用改变可控硅的控制角θ来调节供电电压。 1 硬件组成及原理 系统硬件组成如图1,只须在8031最小系统上加一块16位的定时/计数器8253和晶振电路,另加一块带一个14位定时/计数器的可编程RAM/IO扩展器8155,即可组成单片机的系统线路。
[单片机]
晶闸管两端并联阻容网络的作用
我们知道,晶闸管有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大,超过了晶闸管的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。 在晶闸管电路中,在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。 在晶闸管处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3结,这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管在关断时,阳极电压上升速度太快,则C0的充电电
[模拟电子]
Littelfuse推出超低结电容SIDACtor保护晶闸管
全球电路保护领域的领先企业Littelfuse公司推出超低结电容保护晶闸管,SDP系列SIDACtor®保护晶闸管。采用SOT23-6封装,可为宽带/xDSL电信设备提供强大的过压保护,对连接速度和接通率的影响微乎其微。 正在申请专利的半导体泻流型技术实现了比瞬态电压抑制(TVS)二极管等箝位型器件低45%的电容。 本产品还能对浪涌做出更快速的响应,从而确保了更低的过冲电压,同时静电(ESD)、雷击和电源故障保护也进一步增强。 本产品专为VDSL2、ADSL2、ADSL2+电信应用和普通输入/输出保护功能中的三级或线驱动器侧保护而设计。 其小型封装非常适合于高密度电路板设计。 泻流器件在发生高出转折电压的浪涌时可起到分流器件
[模拟电子]
日本新开发出防LED故障双向晶闸管
日本新电元工业开发出了可以防止在LED发生开路故障时所有照明都熄灭的双向晶闸管“K1VZL09/K1VZL20”,将从2010年4月开始量产。主要面向不能全部都熄灭的路灯、紧急指示灯、投光器以及信号灯等用途。产品名称为“SAIDAC”.
在串联LED构成的照明器具中,当1个LED发生开路故障时,与之相连的所有LED都会熄灭。而且,由于发生故障的LED的影响,电压有可能会上升,并破坏其他LED.因此,原来一直采用与LED并连稳压二极管(ZenerDiode)的方法解决。但这种方法存在问题,即由于需要使用高于LED驱动电压的逆向电压稳压二极管,因此稳压二极管为旁路状态时的发热量非常大。
为了解决上述问题而开
[家用电子]