测试介绍
此测试涉及在输入端处于VDD或VSS并且输出端未连接时,测量CMOS IC的VDD电源耗电流。图1是一个CMOS反相器的测试设置框图。在这个例子中,2601/2602用于源电压(VDD)并测量产生的静态电流。
图1. 测量一个CMOS反相器的静态电流
虽然这个例子示出的IC只有一个栅极,但是许多IC具有数以千计的栅极。因而,通常要使用预定的一系列测试向量(即施加至输入端的逻辑1和0的模式)减少静态电流的测量次数,并且必须保证全部栅极都被切换或者所需IC逻辑状态都经过测试。
在整个测试中对IC的VDD引脚施加恒定电压使IC保持在工作状态。一个好的CMOS器件仅在开关时从VDD电源消耗大电流;在静态条件下的耗电流极低。与涉及的缺陷类型有关,一颗有瑕疵IC的IDDQ将会高得多。测量时,将测试向量施加至IC输入端,然后经过规定的建立时间后,测量产生的电流。完成测量后,将测量电流与预设阈值相比较以确定器件通过还是失效。此阈值通常设定为微安或纳安级而且通常由多颗完好IC的IDDQ统计分析确定。随着器件变得越来越复杂,IDDQ测试不能总是用简单阈值测试执行。在某些情况下,必须对被测器件(DUT)进行IDDQ数据统计分析以便可靠地确定通过/失效状态。2600系列源表非常适于这两种测试方案。
测试系统配置
图2是面向CMOS IC,基于2600系列的
IDDQ测试系统。
图2. IDDQ测试系统配置
如图2所示,260X的HI和LO端子连至CMOS IC的VDD和VSS端子。在整个测试过程中,260X为IC提供恒定的直流电压。IC的输入端连至“数字测试系统”,这确保切换了全部栅极或实现了要求的逻辑状态。假设此测试系统还控制着机械位置、DUT探测和处置好/坏器件。
对260X的控制可以像标准可编程仪器那样,通过IEEE-488总线(GPIB)或者RS-232发送独立指令实现。260X上的这两种通信接口都是标准的。但是,为实现最大吞吐量,可以将完整的测试脚本下载至仪器的测试脚本处理器,然后执行几乎独立于PC主机(系统控制器)的全部测试。当260X通过GPIB连接至主控制器时,它实际上能通过其RS-232端口控制另一台仪器。因此,在适当情况下,260X能发送ASCII命令字符串至数字控制系统并从数字控制系统接收数据。
为进一步提升速度,外部硬件触发器用于同步IDDQ测量和测试向量的使用。260X配备的14条数字输入/输出线路能用于数字控制(在此例中为通过/失效状态)或用作输入或输出触发线路。
当向量被发送至CMOS IC时,数字测试系统触发260X。当IDDQ值被评估完后,260X返回一个触发信号至数字测试系统,数字测试系统生成另一个测试向量。此过程重复进行直至产生全部测试向量或者IC未能通过测试。测试完成后,260X向其数字I/O(DIO)端口写入预先确定的位模式用于向数字测试系统指示器件的通过/失效状态。
当IDDQ测试的通过/失效状态仅通过源电流与阈值电平的比较来确定时,260X至少有两种方法完成这种测量和检查。如果需要IDDQ的实际值,那么260X能测量电流并将测量值与阈值进行比较。如果电流超出阈值电平,那么测试失败;否则,测试通过。260X能按要求将任意或全部测量值以及通过/失效状态返回至PC主机。如果无需IDDQ的实际值,那么260X能配置为数字比较器以实现更高的测试吞吐量。将260X的电流箝位极限设为阈值。施加测试向量并确定260X的箝位状态。如果耗电流试图超出此极限,那么260X将“进入箝位”并将电流箝在此极限。当发生此情况时,IDDQ测试失败。如果电流未超出此阈值,那么设备将不会进入箝位状态并且测试通过。由于无需用测量确定仪器的箝位状态,所以后面的方法通常比前面的快。如前所述,复杂器件的IDDQ测试不能总用简单阈值测试来实现。在某些情况下,必须对被测器件(DUT)进行IDDQ数据统计分析以便可靠地确定通过/失效状态。在从260X获取全部测试数据后,PC主机就能进行数据分析。但数据传输的过程相当慢,会显著影响测试吞吐量。
如果不需要保存读数,那么数据传输的代价太大了。用于设置测试脚本处理器
的测试脚本语言包括数学库及其它功能,能在仪器中进行大量分析,从而无需传输全部数据。260X的深存储器进一步提供了便利。每条SMU通道的两个非易失缓冲器能保存多达100,000个读数。易失存储器能用于更多数据的存储。
关键字:CMOS IC IDDQ测试
引用地址:
CMOS IC的IDDQ测试
推荐阅读最新更新时间:2024-03-30 22:58
国产IC发展黄金期将至 联芯科技4G产品快步发展
近日又有国家集成电路扶持细则的消息传出,据手机中国联盟秘书长王艳辉透露,这次国家集成电路扶持基金总额度1200亿元,时间区间为2014~2017年。按照目前拟定的细则,扶持基金由财政拨款300亿元、社保基金450亿元、其他450亿元组成,国开行负责组建基金公司统筹,其中40%投入芯片制造,30%投入芯片设计,预计端午节前后出炉。
如果基金顺利落实,这项基金的总规模要超过过去近十年整个国内集成电路产业的投入。作为我国集成电路产业的央企,大唐电信在国家和地方相关集成电路产业扶持政策和基金将要扮演重要角色。
2014年5月17日,大唐电信集团陈山枝表示集团将实施“4G+28nm”重大工程,提升集成
[手机便携]
台系IC设计三大利好因素促3Q上看两位数成长
6月27日消息,据台湾媒体报道,台湾IC设计业者有望因新品上市量产、旧品旺季效应及芯片市占率成长的三大利好因素,3Q营收季增率预计达两位数百分比增长,率先走出景气迷雾。 虽然2016年全球经济及产业景气仍然混沌不明,但会慢慢变好的共识,却一再被产业大老所提及,而虽然全球PC、NB及平板电脑市场需求仍看衰,智能型手机年增率也将仅剩个位数百分点,但穿戴装置、游戏机、车用电子、虚拟实境(VR)及物联网等相关新品,还是呈现井喷式的成长前景,配合Type-C、快速充电、双镜头、指纹识别、OLED面板、定位追踪、运动与健康感测,及手势辨识等全新应用功能覆盖率快速提升,台系IC设计挟相关芯片市占率及平均单价可望同步回升的大势,对201
[半导体设计/制造]
快充功能跃台面 模拟IC厂商迎亿级商机
集微网消息,据海外媒体报道,原本由高通(Qualcomm)、联发科所开创的智能型手机快速充电功能,经过历年来的三度改版后,虽然2016年看来仍只有高阶手机愿意买单,不过,近期却因为《Pokemon GO》游戏过于耗电的题材,又重新窜红。
由于快速充电功能确实可以有效改善消费者体验,加上虚拟实境(VR)、智能穿戴、智能型手机、平板电脑及无人机等移动装置产品仍然越来越多,台系IC设计业者在看好快速充电规格将成为新的主流设计趋势下,包括立锜、致新、昂宝、通嘉及晶焱的后续营运成长爆发性,非常有机会高人一等。
高通的“Quick Charge”快充规格已发展到3.0版,联发科的“Pump Express”也已是第三代
[手机便携]
电荷泵
电荷泵 主要有哪些应用? 在过去的十年了,电荷泵得到了广泛运用,从未调整单输出IC到带多输出电压的调整IC。输出功率和效率也得到了发展,因此现在的电荷泵可以输出高达250mA的电流,效率达到75%(平均值)。电荷泵大多应用在需要电池的系统,如蜂窝式电话、寻呼机、蓝牙系统和便携式电子设备。 主要应用包括驱动用于手机背光的白光LED和毫瓦范围的数字处理器(如图)。 电荷泵如何工作? 电荷泵(开关电容)IC通过利用一个开关网络给两个或两个以上的电容供电或断电来进行DC/DC电压转换。基本电荷泵开关网络不断在给电容器供电和断电这两个状态之间切换。C1(充电电容)传输电荷,而C2(充电电容器)则储存电荷并过滤输出电压。 额外的“快
[电源管理]
IC PARK吹响产业链集结号,助力集成电路产融结合
集成电路是资金密集型产业,产业方向和资本热度一直是集成电路行业的风向标,产业和资本的融合也向来是业内的热门话题。11月16日,中关村集成电路设计园(IC PARK)开园暨第二届“芯动北京”中关村IC产业发展论坛在北京召开。本次活动以“兴人才,芯未来”为主题,深入探讨新形势下全球集成电路产业发展趋势、人才培育与自主创新、产业趋势与资本融合。其中的分论坛“Z沙龙”·产业趋势与投资分论坛更是聚焦产融结合领域的热点、难点话题,元禾华创投委会主席陈大同、北京永信至诚科技有限公司副总裁李炜、盛世投资管理合伙人刘新玉、华登国际董事总经理李文飚、圣邦微电子董事长张世龙、AMD大中华区副总裁黄志强、寒武纪副总裁钱诚、ANSYS半导体事业部大中国区总
[手机便携]
集成电路设计产业营运艰难:芯片价格将继续下滑
集成电路设计产业营运艰难
□ 本报记者 傅嘉
在2015年终端需求不振影响下,无晶圆厂(Fabless)IC(集成电路)设计产业度过艰辛的一年。TrendForce研究报告表示,预估2015年全球无晶圆厂IC设计产值同比下降8.5%,约805.2亿美元,台湾无晶圆厂IC设计产值同比下降9.5%,约154.6亿美元。
芯片价格将继续下滑
拓墣半导体分析师陈颖书表示,2016年终端需求将较2015年稍有起色,然而智能手机、笔电需求成长有限、平板计算机持续衰退,新兴应用如物联网等又尚在发展初期,产值贡献度仍低。因此,IC设计产业营运仍然艰难,年产值依旧难脱离衰退。拓墣预估2016年全球无晶圆厂IC设
[手机便携]
深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工艺技术
真空管 的发明是 电子工业 发展的重要动力。但是,在第二次世界大战之后,由于需要大量的分立元件,设备的复杂性和功耗显着增加,而设备的性能却不断下降,其中一个例子是波音B-29,由300~1000个真空管组成。每个附加组件会降低系统可靠性并增加故障排除时间。 1947年出现了一个重大突破,它来自于贝尔实验室的John Baden,William Shockley和Watter Brattain,他们发明了锗晶体管。1950年,Shockley开发了第一个 双极结晶体管 (BJT)。与真空管相比,晶体管更可靠,功效高,尺寸更小。 1958年,德州仪器的杰克·基尔比(Jack Kilby)搭建了第一个集成电路,由两个双极晶体管组成,该晶
[嵌入式]
AT发布针对手机照明I2C的LED驱动器IC
Advanced Analogic Technologies Incorporated ( 简称 AnalogicTech) 日前推出新 I 2C 照明管理单元 (LMU) AAT2860 ,其于单一 IC 中整合了 7 个 LED 驱动器及 3 个低压差 (LDO) 线性稳压器。新 IC 透过多样化配置提供完整电源功能,并为高效能照相手机提供单一而纤小的照明解决方案。 AnalogicTech 产品总监 Phil Dewsbury 表示:「多数智能型手机均需要用于主屏幕的背光 LED 驱动器、针对小型次屏幕的额外
[电源管理]