液晶显示器开关变压器的检测方法

任何变压器都存在漏感，但开关变压器的漏感对 开关电源 性能指标的影响特别重要。由于开关变压器漏感的存在，当控制开关断开的瞬间会产生反电动势，容易把开关器件过压击穿;漏感还可以与电路中的分布电容以及变压器线圈的分布电容组成振荡回路，使电路产生振荡并向外辐射电磁能量，造成电磁干扰。因此，分析漏感产生的原理和减少漏感的产生也是开关变压器设计的重要内容之一。 开关变压器线圈之间存在漏感，是因为线圈之间存在漏磁通而产生的;因此，计算出线圈之间的漏磁通量就可以计算出漏感的数值。要计算变压器线圈之间存在的漏磁通，首先是要知道两个线圈之间的磁场分布。我们知道螺旋线圈中的磁场分布与两块极板中的电场分布有些相似之处，就是螺旋线圈中磁场强度分布是基本均

　　开关电源变压器的常规分类 　　单激式开关电源变压器的输入电压是单极性脉冲，而其还分正反激电压输出;而双激式开关电源变压器的输入电压是双极性脉冲，一般是双极性脉冲电压输出。开关电源变压器分单激式开关电源变压器和双激式开关电源变压器，两种开关电源变压器的工作原理和结构并不是一样的。

引 言 单向双端口SRAM是一种专用的存储器，它具有独立的写地址总线和读地址总线，不仅可以实现单端口的读写，还可以对不同地址的存储单元进行同时读写操作，提高了SRAM的性能。本文分析了单向双端口SRAM的失效模式，并描述了相应的基于字的检测算法。 存储器模型 图1表示了3×3的单向双端口SRAM模块的结构示意图，输入为读地址总线、写地址总线和输入数据总线，输出为输出数据总线。每一个存储单元都有四个端口，分别是数据写入（BW），数据读出（BR），写地址端口（WA）和读地址端口（RA）。在这种结构中，同一列单元的数据写入端和读出端连到总线上，输出采用了线与的方式。对于字长大于1的存储器来说，读地址和写地址一次选中一行，一行中所

带钢表面油污产生原因主要来源于两个方面。一是钢带轧制过程中透过添加润滑油脂，提高钢带的可压性，使轧制的钢带厚薄均匀，应力均匀。在使用钢带中可以遇到钢带的厚度不一致，软硬不同就是轧制造成，油脂可以降低不均匀性;第二钢带很容易生锈，虽然可以通过添加一些金属如镍等来防止生锈，但成本较高，很多公司不愿意采用，所以采用钢带表面涂覆油脂进行隔绝氧气，可以最大限度预防生锈。 在电镀、涂层工艺中,为了保证镀层及涂层的质量，需要对涂油钢板采取化学法除油或电化学法除油处理。为此在工艺流程中须测定钢板表面的涂油量。 无论是基于剔除废品、减少原料浪费还是提高成品率的原因，分析检测带钢表面的油污都是很有必要的。 而目前现有的带钢表面分析技术，大部分

51单片机是对所有兼容Intel 8031指令系统的单片机的统称。该系列单片机的始祖是Intel的8004单片机，后来随着Flash rom技术的发展，8004单片机取得了长足的进展，成为应用最广泛的8位单片机之一，其代表型号是ATMEL公司的AT89系列，它广泛应用于工业测控系统之中。很多公司都有51系列的兼容机型推出，今后很长的一段时间内将占有大量市场。51单片机是基础入门的一个单片机，还是应用最广泛的一种。需要注意的是51系列的单片机一般不具备自编程能力。 51单片机检测输入的高电平方法 引脚设置为输入状态，输出一个1就行。这是单片机的设计者、生产厂家所规定的。在这个前提下，外界，只有输入低电平，才会改变引脚的状态；输入

     集微网消息，应用材料公司今天宣布其薄膜沉积设备已被中国顶级半导体显示产品供应商BOE（京东方科技集团股份有限公司）选中，用于世界上第一条10.5代TFT-LCD生产线。BOE（京东方）订购多台CVD和PVD设备，使用的玻璃基板可以切割多达6块75英寸的液晶电视面板——有史以来最大的用于显示面板生产的玻璃基板。这一最新订单建立在应用材料公司和BOE（京东方）之间长期合作的基础上，并将扩展应用材料公司在显示行业驱动创新的领导地位。 “实现产能迅速开出和高水准的良率是首要目标，应用材料公司实力雄厚，可以为我们提供有力的技术支持。我们共事多年，彼此合作非常愉快，所以第一条第10.5代TFT-LCD生产线我们选择了应用材料公司的设

1 引言     光伏发电系统在公共电网发生故障断电时，仍孤立向本地负载供电的运行现象称为孤岛。现有孤岛检测方法主要有被动检测法和主动检测法。其中，主动检测法从实施的可靠性和可操作性来看，主要有移频控制法和功率扰动法两种。移频控制造成了并网电流波形畸变，对电能质量影响大；功率扰动法分为有功扰动法、无功扰动法及两者结合法。这里在分析光伏网发电系统无功扰动孤岛检测原理及传统无功扰动孤岛检测实现方法的基础上，提出一种MUBRPV孤岛检测方法。并最终用实验验证了该方法的可行性。 2 光伏并网系统无功扰动孤岛检测原理     图1示出正常并网和孤岛运行时光伏并网系统的功率流图，断路器模拟孤岛现象的发生，系统负载采用RLC并联形式。正常并网

VMOS场效应管的检测方法 （1）．判定栅极G 　　将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。 （2）．判定源极S、漏极D 由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。 （3）．测量漏-源通态电阻RDS（on） 将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。 由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手