示波器探头在半导体器件动态测量的应用

       在能源问题日益突出的现代，以IGBT为代表的功率半 导体器件以其优良的能效转换性能广发应用于功率电子领域。正确的IGBT测试技术,不仅能准确的测量IGBT各项电气指标，而且可以尽可能降低IGBT对整体电路的影响。常用的IGBT测量方法为:双脉冲测试方法,其通过对比不同的IGBT的参数，例如同一品牌的不同系列的产品的参数,或者是不同品牌的IGBT的性能，获取IGBT在开关过程的主要参数,以评估Rgon及Rgoff的数值是否合适，评估是否需要配吸收电路等，最终考量IGBT在变换器中工作时的实际表现。例如二极管的反向恢复电流是否合适，关断时的电压尖峰是否合适，开关过程是否有不合适的震荡等。

      在主流的双脉冲测试平台中，用高压隔离探头取Vce电压，用罗氏线圈电流探头取Ic,用普通探头测量Vge信号。

      实验硬件包括: 

      1. 高压电源

      2.电容组

      3.叠层直流母排  

      4.负载电感(可以自己绕制，不要饱和即可) 

      5. 被测IGBT及驱动电 路6.示波器(最好是4通道，高带宽) 

      7. 高压差分探头

      8.罗氏线圈电流探头

      9.可编程信号发生器或简易信号发生装置(发出一组双脉冲信号)。 

      推荐产品：
      1. PEMUK的CWT Ultra Mini系列罗氏线圈，线圈采用非常细而且柔性的材料，甚至可以轻易地穿过IGBT的管脚。测量 范围从测量范围: 300mA ~数MA;,且频率高达16MHz是IGBT测试和分析的最佳传感器。
      2. Verivolt电压互感器，其满量程的测量范围从5V到5000V， 且全范围内带宽50KHz,总体测量精度为0.2%。