igbt
绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
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所有类型的电动汽车(EV)的高功率、高电压要求,包括电动公交车和其他电子交通电源系统,需要更高的碳化硅(SiC)技术来取代旧的硅FET和IGBT。安全高效地驱动这些更高效的SiC器件可以使用数字而不是模拟栅极驱动器来实现,许多非汽车或非车辆应用将受益。 电动汽车预测加速 改进的电池技术、降低的电池制造成本和政府减少二氧化碳排放的目标加速了向全电动汽车的转变。根据Yole D...
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随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加,汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品,竞争日益激烈。由于 EV 的电机需要高千瓦时电源来驱动,传统的 12 V 电池已让位于 400-450 V DC 数量级的电池组,成为 EV 和 HEV 的主流电池电压。 市场已经在推动向更高电压电池的转变。800 V DC 和更大的电池将变得更占优势...
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Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合, 专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计 该系列产品支持多种拓扑结构、电流和电压范围 为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求,功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案,Microchip Technology(微芯科技公司)今日宣布推出采用不同封装、支持...
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面向空调、家电和工厂自动化等工业电机驱动装置和充电站、储能系统、电源等能源应用的功率控制 2024 年 11月 13 日,中国—— 意法半导体的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。 STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容...
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电动汽车的电能控制主要是把电从电池输出到电机上,怎么随心所欲地实现输出?这个就必须要用到电能逆变技术,也就是把电池中的直流电(死电)转化成可以调节的交流电(活电),这个转化过程,叫逆变,这个转化装置,叫逆变器(电机控制器),其核心,就是功率半导体(IGBT/MOSFET) 如图,可以看到,buttery是电池,电池中的电如何输出到电机(Traction-Motor)上,是通...
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~助力车载电动压缩机和工业设备逆变器等效率提升~ 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用,开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。 此次发售的产品包括4款分立封装的产品(TO-247-4L和TO-247N各2款)“...
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器件峰值输出电流高达4 A,工作温度高达+125 °C,传播延迟低至200 ns 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年10月24日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布, 推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器---VOFD341A和VOFD343A 。Vishay VO...
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你有没有发现,最近几年的汽车发布会上无人不谈碳化硅。尤其是自从碳化硅技术引入到电驱中,就如同给这颗心脏注入了一剂强心针,让电驱逆变器瞬间扭矩更大,效率更高,尺寸更小,车重更轻,续航更长。 随着800V高压SiC平台逐渐成为主流,市场增长势头明显,未来5年,碳化硅还会继续大放光彩。半导体厂商也在跟随这一潮流,不断更迭自己的产品。 所以,在电驱逆变器领域,碳化硅发展到哪一步...
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一、比亚迪 e5高压电控总成内 IGBT 模块位置 二、比亚迪 e5高压电控总成内IGBT模块 三、比亚迪 e5高压电控总成内IGBT实物 四、IGBT实物图与工作原理图 图左上方为一相上桥臂和下桥臂的IGBT实物图,其侧面一般标有原理图,如图左下方所示。实际上上桥臂和下桥臂是由8个IGBT组成,上桥臂和下桥臂分别由4个IGBT并联,再将上桥臂和下桥臂串接...
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美国北卡罗来纳州立大学名誉教授 Bantval Jayant Baliga 因其在绝缘栅双极晶体管 (IGBT)的发明、开发和商业化方面的领导作用而获得认可,为此,他被授予 2024 年千禧技术奖,奖金为 100 万欧元。 自 20 世纪 80 年代初推出以来,硅 IGBT 一直是消费和工业应用中用于高效电源转换和电机控制的流行功率半导体器件。因此,IGBT 实现了效...
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针对所有的应用,人们越来越注意电动马达的运作效率;因此,对高效率驱动器的需求变得日益重要。此外,使用马达驱动的设计,例如电动马达、泵和风扇,需要降低整体成本,且需要减低这些电动马达应用中的能耗;因此,为电动马达及其的驱动指定高效率的设计,以适合每项特定应用变得更加重要。 面对今日要求更高的电压或更高的电流以及更低频率的电动马达驱动应用,广为人知且被广泛使用的开关组件解决方案...
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破壁机在人们日常生活中已经很常见了,终端客户在使用的时候不仅仅关注外观,更会关注影响产品质量的马达驱动的知识了。 这一点在互联网的信息提供中就可以知悉,因此对于给破壁机提供马达驱动的厂家就一定要重视在研发中选择好的IGBT来使用才能提升产品质量,降低产品成本。 市场中目前常见使用于破壁机马达驱动的IGBT单管会有NCE20TD60BF型号,那究竟国产中有比较好可以替换的...
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前言 根据乘联会数据,2022年6月新能源车国内零售渗透率27.4%,并且2022年6月29日欧盟对外宣布,欧盟27个成员国已经初步达成一致,欧洲将于2035年禁售燃油车。市场越来越景气,同时国内近期新发布的新能源车型也百花齐放。不论是普通消费者,还是新能源汽车产业相关从业者,也逐渐深入关注研究新能源车的一些核心部件,尤其是功率器件IGBT模块,本文科普一下电驱动中IGBT及其...
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BLDC电机不管在工业用还是家用领域的渗透率都在持续提升,除传统的电动工具、吸尘器、小家电外,还有汽车、电动两轮车、高速风筒等都是不断在提升的。因此,对于BLDC电机要怎么选择IGBT单管来应用,则成电机厂的重要话题。 目前国内有比较多的电机厂商都在关注、测试甚至批量生产带有FHF20T60A单管IGBT的BLDC电机。这是一款由纯国产厂商:飞虹半导体研发生产的IGBT单管...
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摘 要:针对电动汽车在能量回馈时,动力电池高压继电器异常断开的特殊工况下,提出了一种IGBT保护策略优化方案,快速检测因动力电池瞬断产生的尖峰电压,触发保护机制保护IGBT模块。本文通过台架实验对比了方案优化前后的尖峰电压值,最终通过实车验证了该方案的可行性。结果表明,优化后的保护策略能更快地检测到抬升的母线电压,触发保护机制,停止IGBT工作,降低IGBT模块损坏的风险。...
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摘要:本文介绍了一种新能源电动汽车上用驱动电机控制器IGBT驱动电源方案的设计分析及其验证,通过对基本Buck-boost拓扑研究变换到Flyback电路,通过对LTC1871电流驱动芯片的应用设计、分析,设计反激变压器参数目标需求匹配驱动电路,通过PWM供电、NMOS驱动、电流检测、反馈输出电压跟踪闭环调节,实现满足一款Infineon的驱动芯片1ED020I12芯片的驱动电...
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引言 新能源汽车区别于传统汽车最核心的技术是三电系统:电池、电机和电控(见图 1)。 图 1 新能源汽车三电系统 电机控制系统是新能源汽车产业链的重要环节,电控系统的技术水平直接影响整车的性能和成本。其中,电控系统应用的核心部件——IGBT 拥有高输入阻抗、高速开关和导通损耗低等特点,在高压系统中担负着极其重要角色: 在主逆变器(Mai...
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什么是死区时间? 数据手册的参数 如何计算合理的死区时间? STM32中配置死区时间 什么是死区时间? PWM是脉冲宽度调制,在电力电子中,最常用的就是整流和逆变。这就需要用到整流桥和逆变桥。 对三相电来说,就需要三个桥臂。以两电平为例,每个桥臂上有两个电力电子器件,比如IGBT。大致如下图所示; 这两个IGBT不能同时导通,否则就会出现短路的情况,从而对系统造成损害。 那...
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随着快充市场的成功,如今的氮化镓(GaN)已经不满足于固守在单一领域,而是向MOSFET占据的其他广泛市场发起挑战,电机驱动正是其中之一。 日前,德州仪器(TI)推出了业界先进的适用于250W电机驱动器应用的650V三相氮化镓 IPM DRV7308,应用领域包括了冰箱、空调、HVAC等白色家电的电机中。 TI系统工程师张宏亮表示:“当前工程师所面临的难题是在如何不增加...
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当前的新能源车的模块系统由很多部分组成,如电池、VCU、BSM、电机等,但是这些都是发展比较成熟的产品,国内外的模块厂商已经开发了很多,但是有一个模块需要引起行业内的重视,那就是电机驱动部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管芯片)。作为电力电子行业里的“CPU”,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是国际上公认的...
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直播主题: 高可靠性IGBT的新选择 安世半导体650V IGBT介绍及其优势 直播时间: 2024年12月19日(周四)下午15:00-16:30 直播介绍 1....
作者:EEWORLD社区回复:0
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大家好,在硬件设计验证阶段中遇到了一个问题,关于IGBT模块在进行相间短路时上下桥关断时Uce的波形出现异常的情况,想请教一下造成这种异常的原因; 附图如下: IGBT模块相间短路时关断...
作者:QIUSHUAIHUI回复:1
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下载的IGBT的LTspice模型如下: 但是为什么在LTspice打开新建模型后总是是用不了,外部电压源直接驱动栅极,CE之间几乎不打开; 外部电压源经驱动电阻驱动栅极,栅极的电压就会变得很小...
作者:乱世煮酒论天下回复:1
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在罗姆下载了一个IGBT的模型,放在LTspice进行仿真,但是结果却是没有导通的,请问这是什么原因?下图是IGBT集电极电压波形。 IGBT仿真为什么结果是没导通的?...
作者:乱世煮酒论天下回复:4
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针对一些功率器件如IGBT的短路试验,短路以后CE电压为什么没有恢复到母线电压一半?...
作者:乱世煮酒论天下回复:5
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半桥输出电路,分别用MOS管和GBT作为主回路功率器件,这种结构是上下交替导通的;从MOS管和IGBT的伏安特性曲线、转移特性曲线以及半导体材料特性,是怎么由栅极电压控制MOS管和IGBT进入饱和区的...
作者:乱世煮酒论天下回复:10
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自 20 世纪 80 年代初推出以来,硅 IGBT 一直是消费和工业应用中用于高效电源转换和电机控制的流行功率半导体器件。...
作者:eric_wang回复:3
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短路逆变桥输出,测量同一个IGBT的驱动GE和CE,正常运行时GE为高电平CE为低电平,短路试验时在GE为高电平导通IGBT时CE应该为低电平,在驱动开通瞬间CE应该为低但是短路瞬间至触发保护后...
作者:乱世煮酒论天下回复:15
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一个小功率的变频器,都是单管IGBT制作的,用查分探针测量某一个IGBT的驱动信号和CE信号时,不小心让C和G短接到一起了,然后变频器就炸机了,是什么原因导致的变频器炸机?...
作者:乱世煮酒论天下回复:8
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什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)? IGBT是 Insulated Gate Bipolar Transistor 的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。...
作者:qwqwqw2088回复:1
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炸了一个IGBT模块,其内部结构大致看如下图 中间靠下那一对红色的东西应该就是温度检测的NTC,是过流原因导致炸的,听说这里面的金属键合线都是银的,还有几个方框外圈是红色的黄色的黑色的不知道是什么作用...
作者:乱世煮酒论天下回复:3
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的开关速度,导致开关损耗降低,但是较短的开关时间很有可能会引起驱动波形震荡振铃等,请问对于不同大小的IGBT其开通关断时间一般建议是多少,有什么推荐参考?...
作者:乱世煮酒论天下回复:2
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IGBT驱动信号确实会受到开关管开关的影响,特别是在开关过程中,驱动信号可能会出现尖峰或波动 随便列5、6种原因都是可能的 你想要那种原因?...
作者:乱世煮酒论天下回复:7
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IGBT(绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor))的内部架构如下所示: IGBT是个单向的器件,电流只能朝一个方向流动,通常IGBT会并联一个续流二极管...
作者:xutong回复:7
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IGBT栅极的下拉电阻要靠近栅极放置,作用是给IGBT寄生电容Cge放电,那么这个电阻一般选择多大?...
作者:乱世煮酒论天下回复:6
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没有内置续流二极管的IGBT,如果电源接反了,即E接+,C接-,会不会损坏? IGBT使用 【没有内置续流二极管的IGBT,如果电源接反了,即E接+,C接-,会不会损坏?】...
作者:johnsm回复:3
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我目前的打算是利用发射极连在一起的两个IGBT(1200V,100A)接入交流通路,通过驱动模块VLA517-01R来控制两个IGBT的通断,从而控制单相交流的通断,强电部分如下图所示,其中输入为交流...
作者:雾往梦回复:64
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有人会用VLA517-01R驱动IGBT吗?我不太了解如何接线(看不懂它数据手册的例子) 数据手册 这里有个电路。...
作者:雾往梦回复:9
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用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的。 ...
作者:振动试验仪器回复:3
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IGBT应用于变频器逆变电路中,存在这么一种情况,IGBT先短路再开通,请问这是一种什么样的过程?...
作者:乱世煮酒论天下回复:3