Ramtron

世界顶尖的非易失性铁电存储器 ( FRAM) 和集成半导体产品 供应商 Ramtron International 公司 宣布其 FRAM 存储器产品已获美国 Ampy Automation 公司选中 ， 用于以亚利桑那州凤凰城为基地的盐河 项目 ( Salt River Project) 的 现收现付 (Pay As You Go) 市 电计量设计中。 Ampy 已计划 在今后 24 个月内为盐河 项目的 M-Power 计划 配置多达 100,000 个预付费电表。这些电表具有的双向通讯能力使得电表拥有更强大的功能。包括：自动读表 ( AMR ) 、在线查询、远程连接 /

Ramtron International Corporation 宣布 推出全 新并行和串行 F-RAM 系列中的首款并行产品，提供更高速的读 / 写性能、更低的工作电压和可选器件的特性。 Ramtron 的 V 系列 F-RAM 产品中的最新器件 FM28V100 ，是 1 兆位 (Mb) 、 2.0 至 3.6V 的 并行非易失性 RAM ，采用 32 脚 TSOP-I 封装，具备快速访问、无延迟 (NoDelay™) 写入、几乎无限的读写次数和低功耗特性。 FM28V100 是工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其它应用领域中，由 1Mb 电池支持 SRAM 存储器升级的理想产品。

低功率铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发及供应商Ramtron International Corporation 宣布其1兆位 (Mb)、2.0V-3.6V 串行F-RAM存储器 FM25V10-G，业已通过AEC-Q100 Grade 3标准认证，这一严格的汽车等级认证，是汽车电子设备委员会 (Automotive Electronic Council) 针对集成电路而制定的应力测试认证。目前Ramtron公司符合AEC-Q100标准的存储器产品已增加至15种，这些产品都经专门设计以满足汽车市场的严苛要求。通过Grade-3认证确保器件能够在 -40℃ 到 +80℃ 的汽车使用温度范围内正常工作。

Ramtron Internationa l Corporation 宣布 推出 新型 F-RAM 系列中的首款产品，具有高速读 / 写性能、低电压工作和可选器件的特性。 Ramtron 的 V 系列 F-RAM 产品的首款器件 FM25V10 ，是 1 兆位 (Mb) 、 2.0 至 3.6V 、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性 RAM ，采用 8 脚 SOIC 封装，其特点是快速访问、无延迟 ( NoDelay™) 写入、 1E14 读 / 写次数和低功耗。 FM25V10 是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域 1Mb 串行闪存和串行 EEPROM 存储器的理想代替产品。此外， Ramt

世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation 宣布推出 串口 F-RAM 存储器 FM25L16-GA ，进一步 扩大其符合 AEC-Q100 汽车标准要求的 F-RAM 存储器系列阵容。 FM25L16-GA 是 16Kb 串口 F-RAM 存储器，可 在 -40°C 至 +125°C 的 Grade 1 汽车 温度范围工作 ，是 Ramtron 不断增长的符合 Grade 1 和 Grade 3 AEC-Q100 标准的汽车存储器产品的 新成员 。

非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation宣布其新的并口和串口F-RAM系列增添两款产品，这些F-RAM器件提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。Ramtron的V系列F-RAM产品之最新型款为512Kb FM24V05和1Mb FM24V10，是2.0 V至 3.6V的串口非易失性RAM，采用8脚SOIC封装，使用双线 (I2C) 协议。这两款器件的特点包括快速访问、无延迟 (NoDelay™) 写入、几乎无限的读/写次数及低功耗，是工业控制、仪表、医疗、军事、游戏、计算机及其它应用领域的512Kb和 1Mb串口闪存和串口

独特的非易失性数据存储／处理系统能简便的实现替换升级 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (FRAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出VRS51L3174这款基于8051微控制器，带有8KB非易失性FRAM内存，工业标准的44脚QFP封装，可以简便的实现器件升级。Ramtron已将FRAM加入于其高速灵活的Versa 8051s中，以支持高速及可靠的非易失性数据存储和处理系统，而该系统只有FRAM-Enhanced (增强型) MCU才能提供。 VRS51L3174将8KB FRAM内存与全集成的高性能系统级芯片结合，其特性包括先进的40 MI