面向汽车应用、具最低通态电阻的30V功率MOSFET

      英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件，在10V栅源电压条件下，漏极电流为180A，而通态电阻仅为0.9毫欧。采用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0，可满足客户对标准封装功率 MOSFET的需求：以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。

      基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术，OptiMOS-T2器件成为大电流汽车电机驱动应用、电动助力转向（EPS）系统和汽车启停系统的理想解决方案。

      出于成本和效率原因，整个行业都开始转向沟槽设计。OptiMOS-T2等功率MOSFET沟槽技术相对于以往的技术，在通态电阻和栅电荷方面实现了大幅改进。这使得优值系数（FoM=栅电荷x通态电阻）达到业界最低水平。此外，英飞凌创新的大电流“Powerbond”技术可解决MOSFET键合引线受限问题，降低键合引线通态电阻的降幅，并增强电流功能。通过使键合引线更凉能进一步提高可靠性。最新的Powerbond技术可确保一个MOSFET具备多达4条500微米键合引线，使标准封装器件具备180A的额定电流。

      OptiMOS-T2技术和结实耐用的封装经过精心设计，能够在MSL1 （1级潮湿度）条件下，承受回流焊接过程中的260 °C高温，并且采用无铅电镀，以符合RoHS标准。IPB180N03S4L-H0功率MOSFET完全符合汽车电子委员会（AEC-Q101）的规范要求。英飞凌先进的沟槽技术具备低栅电荷、低电容、低开关损耗和出色的优值系数，可使电机效率达到新高，同时最大限度降低EMC辐射。此外，优化的栅电荷可确保更小的驱动输出级。

      IPB180N03S4L-H0可满足需要许多并联MOSFET的大电流应用（超过500A）的要求。由于IPB180N03S4L-H0具备180A额定电流，因此，可使大电流系统所需的并联MOSFET减少一半，从而优化电流共享、热性能和成本。由于汽车电机逐步转向脉宽调制（PWM）控制以提高效率，因此，OptiMOS-T2 30V器件还可提供电池反向连接保护功能。

      英飞凌公司标准汽车功率产品营销总监Torsten Blanke博士指出：“英飞凌具备基于OptiMOS-T2沟槽技术的广泛汽车MOSFET产品组合。这些器件都采用结实耐用的封装，具备出类拔萃的性能和品质。通过推出具备180 A 额定电流的全新30V OptiMOS-T2器件，英飞凌再次在最大电流（采用标准封装）和最低通态电阻（采用沟槽技术）方面树立了行业标杆。”

供货情况

      具备180A漏极电流和仅0.9mΩ通态电阻的30V IPB180N03S4L-H0器件如今已实现批量生产。此外，英飞凌还提供另一种型号的器件——30V/180A （IPB180N03S4L-01）。该器件在10V栅源电压条件下，具备1.05毫欧的通态电阻，适用于十分注重成本的应用。这两款高功率MOSFET均采用标准的D2PAK-7封装。