推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 15:01
基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程
1 MOSFET 的栅极电荷特性与 开关过程
尽管 MOSFET 在 开关电源 、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用,但是许多电子工程师并没有十分清楚的理解 MOSFET 开关过程,以及 MOSFET 在开关过程中所处的状态。一般来说,电子工程师通常基于栅极电荷理解 MOSFET 的开通的过程,如图 1 所示。此图在 MOSFET 数据表中可以查到。
MOSFET的D和S极加电压为VDD,当驱动开通脉冲加到MOSFET的G和S极时,输入 电容 Ciss充电,G和S极电压Vgs线性上升并到达门槛电压VGS(th),Vgs上升到VGS(th)之前漏极电流Id ≈0A,没有漏极电流流过,Vds的电压保持V
[电源管理]
太阳能逆变器中IGBT和MOSFET技术解析
发展逆变器技术是太阳能应用提出的要求,本文介绍了太阳能逆变器的原理及架构,着重介绍了IGBT和MOSFET技术,实现智能控制是发展太阳能逆变器技术的关键。 一、太阳能对逆变器的要求 通过太阳能光伏技术将太阳辐射转换成电能是现在市面上最有效也是最具发展潜力的可再生能源技术。现在,普通太阳能光伏系统都是由许多紧密相连的太阳能电池板组成。这些电池板先分组串联,再将不同的串联电池组并联起来形成电池阵列。 目前我国光伏发电系统主要是直流系统,即将太阳电池发出的电能给 蓄电池 充电,而蓄电池直接给负载供电,如我国西北地区使用较多的太阳能户用照明系统以及远离电网的微波站供电系统均为直流系统。此类系统结构简单,成本低廉,但由于
[电源管理]
东芝U-MOS X-H功率MOSFET系列又添新产品
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。 U-MOS X-H系列产品示意图 新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。 由于采用了其最新一代的工艺制造技术,与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比,新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器
[半导体设计/制造]
TI推出支持集成型MOSFET的100V同步降压稳压器
德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款支持集成型MOSFET的100V同步降压稳压器,进一步壮大其高电压负载点产品阵营。该 600 mA LM5017 是最新系列降压开关稳压器中的首款产品,可在提高电信、工业、智能电网以及汽车系统高电压可靠性的同时,缩小 PCB 面积,降低系统成本。LM5017 与获奖 WEBENCH® 在线设计工具配合使用时,可简化高电压 DC/DC 转换,加速设计进度。
600 mA LM5017 以及将于今年 4 月份提供的 300 mA LM5018 与 100 mA LM5019 能够以高达 100 V 的输入电压实现直接负载点稳压,无需外部瞬态电压抑制器或钳位便可为高电压应用实现可靠运行。集成
[电源管理]
晶圆代工厂产能不足,致MOSFET供货警报响
台晶圆代工厂产能供应失序情形,近期已逐渐从8寸晶圆向下蔓延到5寸及6寸晶圆,包括LCD驱动IC及电源管理IC纷向下抢夺5寸、6寸晶圆产能动作,让许久未传出缺货的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)亦出现客户一直紧急追单,MOSFET市场明显供不应求现象,对台系相关供应商如富鼎、尼克森及茂达2010年第1季营收表现,将有显著贡献。 台系MOSFET供应商指出,近期合作的5寸、6寸晶圆厂内部产能利用率直线拉升,影响所及,尽管公司紧急向晶圆厂加单,不过,由于加单动作明显落后其它业者,未来3个月可增加晶圆产出可能比2009年第4季多不到哪里去,其它下游客户眼见上游晶圆厂产能在2010年上半恐有不足情况发生,纷不断要求增加
[半导体设计/制造]
Intersil高整合功率转换模块ISL8201M
Intersil推出高整合度功率转换模块ISL8201M。该产品是高效率、低噪声、高整合度的DC/DC电源解决方案,在热增强的QFN封装内整合了PWM控制器、MOSFET驱动器、功率MOSFET、电感器,以及最佳化的补偿电路。
ISL8201M能简化使电源设计过程,只需输入和输出电容器,以及一个电阻器,即可实现一个完整的电源方案。在电信、数据通讯、电子数据处理、无线网络系统、医疗仪器,以及基于负载点应用的分布式总线架构等应用中,ISL8201M小巧的尺寸可大幅节省电路板面积,同时高整合度又降低了采购和仓储成本。另外,板上的输入滤波器支持超低噪声的作业,因而减少EMI。
ISL8201M的QFN封装能够
[电源管理]
Allegro MicroSystems,LLC发布第二代汽车级三相隔离器MOSFET驱动器IC
Allegro MicroSystems, LLC推出全新的N沟道功率MOSFET驱动器产品,可以通过控制相内(in-phase)隔离MOSFET器件来隔离三相负载。Allegro的A6862电机驱动器IC适用于需要满足汽车安全完整性等级(ASIL)要求的汽车系统,这款新器件设计用于电动助力转向 (Electronic Power Steering, EPS) 、电动制动、以及三相继电器驱动器等应用,并且可提供详细的安全认证文件。 在主动安全系统的应用中,电机隔离是一项基本要求。目前,市场上大多数解决方案是通过分立电路或继电器来实现隔离要求。“Allegro A²-SIL™产品”采用业界领先的创新功能设计,能够帮助用户达到尽可能高
[电源管理]
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET
非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用 Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的 中国北京, 2023 年 10 月 17 日 讯 – Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力,很高兴宣布推出CPC3981Z,一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。 耗尽型 MOSFET CPC3981Z 与标准 SOT-223 封装相比,这款新产品的 SOT-223-2L 封装去掉了中间引脚。 这将漏极与栅极之间的引脚间距从 1.386 毫米增加到超过 4
[电源管理]