日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款表面贴装Power Metal Strip®电阻 --- WSLP0805。该器件是业界首款采用紧凑的0805封装的0.5W检流电阻,具有10mΩ~50mΩ的超低阻值范围,高温性能高达+170℃。
WSLP0805的小尺寸使其能替代更大的检流电阻,节省电路板上的空间,从而为消费者创造出更小、更轻的产品。该电阻适用于计算机的DC-DC电源、笔记本电脑的VRM、锂电池充电管理中的电流检测,以及包括引擎控制、多媒体电子产品、环境控制系统和防抱死制动在内的电子车用系统。
WSLP0805采用专利技术进行生产,从而实现了极高的功率和低阻值,其全焊接的结构带有一个坚固的镍铬或锰铜合金电阻芯。电阻具有0.5nH~5nH的超低感值,对50MHz具有优异的频率响应,热EMF小于3μV/℃。
新电阻现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为四周到六周。
关键字:Vishay 检流电阻
编辑:于丽娜 引用地址:Vishay推出采用紧凑 0805 封装的 0.5W 检流电阻
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Vishay在业内首次实现20nF高电容,可有效节省应用系统的空间
宾夕法尼亚、MALVERN 2016 年 5 月19 日 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,扩展其440L系列交流线路陶瓷盘式电容器的电容范围。Vishay Cera-Mite器件针对Class X1(760VAC)和Class Y1(500VAC) 应用进行设计,具有高可靠性,符合IEC 60384-14第4版的要求,在业内首次实现了20nF的电容。
由于电容量高,440L系列电容器在电源和智能电表、照明镇流器,以及消费产品的天线耦合、线路旁路、跨线和RFI滤波应用中能够节省电路板空间。电容器采用C0G、U2J、P3K、R3L、X7R和Y5U陶
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Vishay新款红外接收器简化数据传输设计
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Vishay的微型塑料外壳助反射式物体检测实现完全的光隔
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出一款用于反射式物体和接近传感器的快速成型设计的微型塑料外壳,扩大其光电子产品组合。该外壳经过特殊设计,可在3mm (T1)红外发射器和Vishay的TSSP型物体或接近传感器之间实现光隔。
对于像自动干手器、自动毛巾机、玩具和自动售货机等反射式传感器应用,发射器和传感器之间的光隔是绝对必要的功能。Vishay Semiconductors TSSP 传感器具有极高的灵敏度,即便只泄漏出非常少量的光,传感器也可能被不小心激活。为避免出现这种情况,设计者的传统做法是花费宝贵的时间,来构造自己的机械外壳和光隔。
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Vishay 的8W新型超高精度高性能Z 箔电阻
日前, Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型超高精度 Z 箔电阻 --- VPR221Z 。此新型器件可提供 ±0.05ppm/°C (当温度介于 0°C 至 + 60°C 之间)及 ±0.2 ppm/°C (当温度范围在 - 55°C 至 + 125°C )(参考温度为 + 25°C )的工业级别绝对 TCR 、在 + 25°C 时最多 8W 的额定功率 ( 符合 MIL-PRF-39009 规范,在自由空气中为 1.5W) 、 ±4ppm/W (典型值)的优越功率系数( “ 自身散热产生的 ∆ R” )及 ±0.01% 的容差。
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威世推出业界首款高压芯片分压器 可用于汽车行业
10月18日,威世集团(Vishay Intertechnology)宣布推出业界首款高压芯片分压器。该分压器采用棱纹模制封装,带有兼容的表面贴装引线。该Vishay Techno CDMM旨在减少组件数量并提高汽车和工业设备中的TC(温度系数)追踪性能和比率稳定性,在4527封装中可实现最大工作电压1500 V。 (图片来源:威世) 最新的芯片分压器由集成在一个模制封装中的两个电阻器组成,可为分压器应用中的多个分立电阻器提供一个单一组件的替代品。该最新产品可节省空间,且符合AEC-Q200标准,并可优化 电动汽车 、重工业设备和公共汽车中的大功率DC/DC转换器和逆变器。 该CDMM的电阻范围500 kΩ到50 M
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Vishay发布具有极高辐射强度的新款红外发射器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布, 推出采用抛物线型透镜实现±3°极窄半强角的新款850nm红外发射器--- VSLY5850,扩充其光电子产品组合。基于独特的表面发射器芯片技术,VSLY5850在100mA驱动电流下可提供高达600mW/sr的辐射强度、55mW的光功率和10ns的开关时间。 VSLY5850所采用的表面发射器技术代表了一种特殊的硅片结构,在这种结构中,半导体内产生的全部光线都会由芯片的顶侧表面向外发射。这种结构大大减少了从器件的5mm T1¾塑料封装的侧面向外发射的光线,为用户提供一个窄角度、定向良好的发射光束,而对侧面的影响微乎其微。
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Vishay超薄IGBT/MOSFET驱动器在小尺寸逆变器中有效节省空间
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的SMD封装的超薄2.5A IGBT和MOSFET驱动器---VOL3120。Vishay Semiconductors 这款器件占位小,高度为2.5mm,最小间隙和外部爬电距离为8mm。除了尺寸小的特点,器件还具有高隔离电压,VIORM和VIOTM分别为1050V和8000V,非常适合在更高工作电压或污染程度更严重条件下运转,例如电机驱动、可替代能源、焊接设备和其他高工作电压的应用。
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Vishay推出采用TurboFET技术MOSFET
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这次Vishay推出的20V器件包括SiS426DN和SiR496DP,其中SiS426DN器件采用尺寸3mm×3mm的PowerPAK 1212-8封装,可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于SiS426DN而言,直流到直流转换器中针对MOSFET的此关键优值(FOM)在4.5V时为76.6mΩ-nC,而在10
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