Vishay推出高效集成DrMOS解决方案-电子工程世界

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采用低外形PowerPAK® MLP 6x6封装的集成解决方案包含了高边和低边功率MOSFET、驱动IC和自举二极管

宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 5 月 10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC、自举二极管的集成DrMOS解决方案---SiC779CD。

器件的工作频率超过1MHz，效率大于93%。所有这些都集成在低外形、热增强型PowerPAK® MLP 6x6的40脚封装里。新的SiC779CD完全符合针对服务器和桌面电脑、图形卡、工作站、游戏机和其他采用CPU的高功率系统中电压调节器的DrMOS 4.0标准。

SiC779CD的先进栅极驱动IC可接收来自VR控制器的一个PWM输入，并把输入转换成高边和低边MOSFET的栅极驱动信号。器件的5V PWM输入兼容所有控制器，经过特殊设计，可支持具有三态PWM输出函数的控制器。

调节器可使用3V～16V的输入电压进行工作，最高可输出40A的连续电流。集成的功率MOSFET为0.8V～2.0V的输出电压进行了优化，标称输入电压为12V。SiC779CD在5V输出下可为ASIC应用提供非常高的功率。

器件的驱动IC具有能自动侦测轻负载情况的电路，能自动开启系统中为在轻负载条件下实现高效率而设计的跳频模式工作(SMOD)。主动式失效时间控制有助于进一步提高在所有负载点上的效率。保护功能包括UVLO、击穿保护，在结温过高时，热告警功能可对系统发出报警信号。

在SiC779CD里集成的驱动IC和功率MOSFET能够减少功率损耗，减小与高频分立功率级相关的寄生阻抗。设计者可以为高频开关进行优化，改善瞬态响应，节约输出滤波器元件的成本，在多相Vcore应用中实现尽可能高的功率密度。

器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC。

SiC779CD现可提供样品，将在2011年6月实现量产，大宗订货的供货周期为十周。

关键字：MOSFET DrMOS 编辑：冀凯引用地址：Vishay推出高效集成DrMOS解决方案

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