IR 推出可靠的超高速 1200 V IGBT

最新更新时间:2011-09-13来源: EEWORLD关键字:IGBT 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

可显著降低开关及传导损耗,提升整体系统效率

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。

全新超高速 1200V IGBT 系列采用纤薄晶圆场截止沟道技术,可显著降低开关及传导损耗,从而在较高频率下提升功率密度和效率。这些器件不仅为无需短路功能的应用进行了优化,如不间断电源、太阳能逆变器、焊接等应用,而且为电机驱动应用提供10微秒短路功能,与其它IR产品相辅相成。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR全新超高速1200V沟道IGBT系列具备多种性能优势,有助于提升系统的效率;同时通过降低开关的损耗及提高开关频率,减少散热器的尺寸与磁元件的数量,从而降低整体系统的成本。”

新系列包括电流介于 20A 和50A 之间的封装器件,以及高达 150A 电流的裸片产品。其主要优势包括宽方形反向偏压安全操作区(RBSOA)、正VCE(on)温度系数,以及用来降低功率耗散和提升功率密度的低VCE(on)。此外,新器件还可内置/不内置一个超高速软恢复二极管。裸片更配备焊前金属(SFM),以提高热性能、可靠性及效率。

关键字:IGBT 编辑:小新 引用地址:IR 推出可靠的超高速 1200 V IGBT

上一篇:整流管尖峰吸收电路探讨
下一篇:空前最简单节能灯调光线路

推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 15:42

2SD315A在驱动大功率IGBT中的应用
引言 IGBT常用的驱动模块有TLP250,以及EXB841/840系列的驱动模块。但在燃料电池城市客车DC/DC变换器的研制过程中发现,由于车载DC/DC变换器常常工作在大功率或超大功率的状态中,而处在这种状态下的IGBT瞬时驱动电流大,要求可靠性要高,使得传统的驱动电路已经不能满足其使用要求,经过研究分析,选用瑞士CONCEPT公司生产的用于驱动和保护IGBT或功率MOSFET的专用集成驱动模块2SD315A作为大功率IGBT(800A/1200V)的驱动器件,该驱动器集成了智能驱动、自检、状态反馈、DC/DC电源及控制部分与功率部分完全隔离等功能于一体。经过车载90kW DC/DC变换器实际道路工况运行实验表明,效果良
[应用]
IPM在电力机车大功率开关电源中的应用研究
摘要:智能功率模块IPM在电力电子领域的应用越来越广泛。在此详细描述了IPM的结构和外型,着重阐明了IPM中的自我保护机制,以便于蝙程实现。同时,结合在研项目“电力机车模块化分布式大功率开关直流稳压电源”的设计与开发,分析了IPM作为大功率高频逆变器应用时的相关注意事项,给出了具体设计的电路图和选型资料。通过实际现场调试,现场保护灵敏度高,运行稳定可靠。 关键词:IPM;保护机制;IGBT;逆变器 随着电子技术的发展,功率半导体技术已经成为现代电力电子技术的核心。以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为代表的功率器件,在众多工业控制领域得到越来越广泛的应用。IGBT作为一种典型的双极性MOS复合型功率器件,集MOSFET与GTR(大功率
[电源管理]
IPM在电力机车大功率开关电源中的应用研究
IR推出基准工业级30V MOSFET
  全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列获得工业认证的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET,为不间断电源 (UPS) 逆变器、低压电动工具、ORing应用和网络通信及和服务器电源等应用提供非常低的栅极电荷 (Qg) 。   这些坚固耐用的MOSFET采用IR最新一代的沟道技术,并且通过非常低的导通电阻 (RDS(on)) 来减少散热。此外,新器件的超低栅极电荷有助于延长不间断电源逆变器或电动工具的电池寿命。   IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“新器件能够提供最佳性价比。此外,通过提供四个等级的RDS(on) 及将Q
[半导体设计/制造]
<font color='red'>IR</font>推出基准工业级30V MOSFET
基于IGBT的固态脉冲调制器设计与实现
在雷达发射机脉冲调制器中,广泛采用的是电真空管作为开关管。这种结构的脉冲 调制器 具有配套技术复杂、造价高、使用寿命短等缺点,尤其是其不适用于大功率、高重复频率等工作场合的缺陷,使其已经远远不能满足现代雷达的复杂信号处理的需求。 随着电力电子技术的快速发展,新型功率开关器件IGBT(绝缘栅双极晶体管)迅速占领了市场,满足了人们把大功率、超高频率开关元件实现固态化的期望,有着完全取代电真空管的趋势。这也为在雷达发射机脉冲 调制器 中采用IGBT作为开关管以替代电真空管奠定了理论和实践基础。 1 脉冲调制器的结构 根据脉冲调制器的任务,它基本由下列3部分组成:电源部分、能量储存部分、脉冲形成部分。其结构如图1所示。 电源部分
[电源管理]
基于<font color='red'>IGBT</font>的固态脉冲调制器设计与实现
适用于风力发电机的可靠电力电子器件
   1 引言   在兆瓦级,大功率电力电子应用中需要大容量的半导体器件。然而,对于某些应用来说,即使是目前可以得到的最大半导体器件容量也不够大。因此需要将它们并联。在传统的电力电子电路中将半导体器件并联是非常普遍的。   现在讨论一种可能的方案:电力电子装配把包含IGBT和二极管的IGBT基本单元、散热器、直流环节电容、驱动器和保护电路、辅助电源和PWM控制器(一个独立单元)组装在一个三相逆变器中。这些单元可以并联,例如用于一台带永磁发电机的4象限驱动风力发电机和所展示的全功率4兆瓦变换器。   本文介绍一种在中压范围内得到更大风力发电功率的方法。该方法使用变速中压永磁发电机的线路接口连接,没有任何电压和功率限制,并
[电源管理]
通用型IGBT变频电源的研制过程
1  引 言 目前,一些设备仍沿用传统的400Hz 变频机组供电,具有笨重、效率低、噪声大,动态品质差、输出波形差等缺点。用静止变频电源取代它是发展的必然趋势。早期的晶闸管静止变频电源虽然克服了变频机组的许多缺点,但晶闸管的关断依赖负载或附加的关断电路,控制复杂,动态性能不理想,在技术性能上很难有新的突破。本文提出的变频电源,从根本上克服了上述弊端,是一种性能优良的静止变频电源。 2  主电路和系统控制结构 2. 1  变频电源的主电路结构 主电路结构如图1 所示。J S 为软启动控制,避免上电时浪涌电流对整流模块的冲击。 采用工业上比较流行的SPWM 控制策略。由于载波频率的高频化,SPWM 脉冲波的第一
[电源管理]
通用型<font color='red'>IGBT</font>变频电源的研制过程
IGBT应用设计全面剖析
如何做好IGBT的保护   众所周知,IGBT是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件,具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点,被广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差,一旦出现意外就会使它损坏。为此,必须对IGBT进行相关保护。一般我们从过流、过压、过热三方面进行IGBT保护电路设计。   IGBT承受过电流的时间仅为几微秒,耐过流量小,因此使用IGBT首要注意的是过流保护。那么该如何根据IGBT的驱动要求设计过流保护呢?   IGBT的过流保护可分为两种情况:(1) 驱动电路中无保护功能;(2) 驱动电路中设有保护功能。对于第一种情况,我们可以在主电路中要设置过流检测器件
[电源管理]
<font color='red'>IGBT</font>应用设计全面剖析
英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品
【2023年10月10日,德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司推出分立式650V IGBT7 H7新品,进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容 。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管,先进的发射器控制设计结合高速技术,以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术,具有出色的控制和性能,能够大幅降低损耗,提高效率和功率密度。因此,该半导体器件适合用于各种应用,如组串式逆变器、储能系统(ESS)、电动汽车充电应用以及如工业UPS和焊接等传统应用。 在分立式封装中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可输出高达150A的电流。 该产品
[电源管理]
英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品
小广播
最新电源管理文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved