意法半导体推出MOSFET能效的双极功率晶体管-电子工程世界

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意法半导体(ST)最新的双极功率晶体管媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装，节省电路板空间

中国，2013年10月15日 ——意法半导体的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率，同时兼具同级MOSFET的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本的电源管理和DC-DC电源转换器（DC-DC converters）转换解决方案。

3STL2540是一个-40V/-5A PNP结晶体管，在完全饱和状态时，最大压降是200mV，基极电流仅为10mA。等效导通电阻仅为90mΩ，接近同等级超级逻辑电平MOSFET的性能。

3STL2540的核心技术是意法半导体的先进的双金属层平面基岛工艺，在0.2到10V的宽输出电压下，温度在-30°C到150°C范围内，连续高电流增益 (consistently high current gain，hFE)至少保持在100，创下业内这类器件最低的导通损耗记录。高热效率封装PowerFLAT™仅0.6mm高，封装面积为2mm x 2mm，在最小的印刷电路板内实现高性能功率电路。

3STL2540现已量产。

关键字：MOSFET 编辑：冀凯引用地址：意法半导体推出MOSFET能效的双极功率晶体管

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