Vishay发布新的150V N沟道MOSFET-电子工程世界

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器件的RDS(ON)比前一代器件低53%，TSOP-6封装的占位面积小55%。

宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 5 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70® 封装的150V N沟道MOSFET---SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面积为2mm x 2mm，在10V下具有业内最低的导通电阻，可通过减少传导和开关损耗，在各种空间受限的应用中提高效率。

SiA446DJ适用于隔离式DC/DC转换器里的初级侧开关、LED背光里的升压转换器，以及以太网供电 (PoE) 的供电设备开关、电信DC/DC砖式电源和便携式电子设备里电源管理应用的同步整流和负载切换。对于这些应用，PowerPAK SC-70的占位比3mm x 2.8mm TSOP-6封装小55%，同时热阻低40%。

SiA446DJ采用ThunderFET® 技术制造，在10V、7.5V和6V下的最大导通电阻低至177mΩ、185mΩ和250mΩ。在10V下，器件的导通电阻比采用TSOP-6封装的前一代器件低53%，其典型导通电阻与栅极电荷的乘积即优值系数低54%，可提高效率。而且，SiA446DJ的导通电阻比最新的采用3mm x 2.7mm SOT-23封装的器件低26%。

SiA446DJ加上此前发布的PowerPAK SC-70封装的100V SiA416DJ和PowerPAK SC-75封装的100V SiB456DK，拓展了采用小尺寸、热增强封装的Vishay中压MOSFET的产品组合。器件进行了100%的RG和UIS测试，符合RoHS，无卤素。

关键字：Vishay MOSFET SiA446DJ 编辑：刘东丽引用地址：Vishay发布新的150V N沟道MOSFET

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