有很多开关电源芯片输出电压设定都是用:Vout=(1+R1/R2)Vref这个公式(Vref为参考电压,R1,R2为采样电阻,R2接地)。如图1,设Vfb=Vref,误差放大器输出为Vref,即与三角波的比较器负输入端为Vref,此时控制占空比D,但不能保证此占空比控制开关管输出一定是Vo。比如,在电路中设计输出为Vout=6V,经R1和R2分压得到Vfb=2V,再设定Vref=2V,此时误差比较器输出也为2V,这个2V与三角波比较输出占空比D1,D1控制输出Vout=D1*Vin,假设输入为10V,那么D1大约60%,误差放大器2V控制的占空比D1不一定是60%。
图1
问题来了,这是否意味着要提前测得输出60%时误差放大器的输入V1,然后再根据V1选的Vfb和Vref,再确定电阻网络?经过多次尝试,每次都是加入负载VOut就变化,而且很大,还要注意单独测试,当误差放大器的输入V1增大时,占空比变小,即当Vout增大时,V1增大,占空比减小,导致Vout减小,其实是负反馈捣的鬼。
vout是否与Vref有关,还是和上面公式一样(Vout=(1+R1/R2)Vref)设定好Vref和R1,R2输出就设定了,不需考虑Vref与占空比直接的关系?举个例子来说,假设设定Vref=1V,R1/R2=4时,输出应该为5V,同样设定Vref=2.5V,R1/R2=1,输出也应该为5V,但Vref=1V和Vref=2.5V控制的占空比是不一样的,那怎么能保证输出VOut一样?
实际电路如下(图2),不用的误差放大器将其屏蔽,不需考虑,图中也构成了负反馈。
图3
图3中因13脚接地,因此红色框中部分逻辑不需考虑,因此与图1基本一致,E极输出(以上描述只是为了说明TL494应用电路与图1一样也够成负反馈),现在的问题是,图一中在Vref不同时,经过设计不同的R1和R2是否可以得到相同的Vout,换句话说,设计Vout时Vref可以随便取,只要Vfb=Vref?这样的观点是否正确?又仔细想了想,主要问题不再理论上,其实,输入V1=1V是占空比太小输出达不到6V,也将会导致Vfb减小,V1增加,占空比增大最终稳定在6V,是否意味着放大倍数A设定要特别大,这样VFb不等于Vref时,就差一点也会使V1很大。
经过自己不断疑问、反驳、试验,得到的结论是:
在TL494内部图中,三角波和误差放大器与此图接法相反,接误差放大器时,参考和反馈输入也相反(即误差放大器负输入为参考输入端),用的是E级输出,因此,构成的也是负反馈。这个Vref不是内部那个5V参考,其实是内部5V分压得到的,当Vfb=vref时输出就是Vref设误差放大器A=Z2/Z1,则误差放大器输出V1=(1+A)Vref-AVfb,当Vref=Vfb时输出就是Vref。
上一篇:万能TL431稳压电路 轻松实现温控集成
下一篇:基于STM8S103F3的简易Boost电路设计
推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 22:49
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- 从隔离到三代半:一文看懂纳芯微的栅极驱动IC