变压器温度智能监控仪电路模块设计-电子工程世界

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　　给出一种以ATMET公司的89C51单片机为核心的温度智能监控仪，监控仪具有自动记录断电前的三相温度、相位、历史最高温度等数据及黑匣子功能。89C51单片机是ATMET公司的8位Flash单片机，最大特点就是在片内含有4KB可重复编程的Flash存储器、128×8B内部RAM和2个16位定时器/计数器，在开发过程中易进行程序的修改且与MCS-51兼容。对于LED控制驱动器，选用PS7219，其接口采用同步串行外设接口（SPI），可同时驱动8位数码管（使用其中的5位），因PS7219内部具有15×8RAM功能控制寄存器，可方便寻址，对每位数字可单独控制刷新，显示亮度可数控，每位具有闪烁使能控制及全亮功能测试，这样可简化硬件电路的设计，节省CPU的口线和减少占有CPU的时间。因为工作状态设置、参数设置等按键采用复合式键盘的方式，因而按键较少，键盘设计为独立式按键接口，通过检测输入线的电平可以很容易地判断哪个键被按下。与上位计的通信采用MAX232芯片，此芯片具有双组驱动器/接受器，片内含有1个电容性电压发生器可在单电源供电时提供EIA/TIA-232-E电平，每个接受器将EIA/TIA-232-E电平输入转换为5V TTL/COMS电平，还有仪器需要保存一些特殊的数据，电路设计配制EEPROM和电源监控电路来实现上述功能。输出驱动电路采用ULN2003驱动器，此芯片具有7个达林顿管，其集电极可收集最大电流达500mA，因内部接有续流二极管，可地驱动感性负载的继电器。

　　前置信号处理电路：CD4052是双4选1多路模拟开关，其4组输入分别是3路3相绕组温度信号和环境温度信号（可选用），这些信号的切换由程序通过单片机的口线进行控制。因为所检测的温度信号为一缓慢变化的信号。为了有效提高仪器的抗干扰能力，因此进行RC低通滤波。为了提高输入阻抗和高共模抑制比，前置放大器第1级采用差动接法，R4、R5、R6、R7、R8、R9两对电阻要认真选配，且放大器选用微漂移、低失调、高增益高共模抑制比的斩波式自动调零运放TIL7650。第2级反相放大器的放大倍数，通过RW2多圈电位器调整。

关键字：变压器温度智能监控仪编辑：探路者引用地址：变压器温度智能监控仪电路模块设计

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　RCC 电路根据功率管不同，分为两种，一种是用三极管制作，另一种是用 MOS 管制做，电路稍有不同，但原理差不太多。我们知道，三极管是一个电流控制的电流源，即若其基极电流为 Ib,则其极电极电流即为此 IB 值乘以一个放大倍数。而 MOS 属电压控制型电流源，即允许流过的最大集电极电流是由 GS 极的电压值决定的，相应的，三极管做成的 RCC电路即是通过控制其基极电流来控制最大集电极电流，即原边峰值电流，来调节输出能量大小，即调节输出电压，而 MOS 管是通过调节 GS 极之间的电压，来控制其原边峰值电流。　　　　请看上图，是一个典型的用 MOS 管做的 RCC 电路。下面我根据自己的理解来分析一下此电路的工作过程。

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浅谈LLC变压器设计

　　适用于LLC变压器，其特征在于，包括：第一MOS开关管、第二MOS开关管、第一电容、电感和至少两个变压器；所述变压器的原边串联、副边并联；所述第一MOS开关管与第二MOS开关管串联后其中点依次通过第一电容和电感与变压器原边串联后的一端相连，变压器原边串联后的另一端接地；所述变压器副边并联后接整流滤波电路。　　变压器的饱和问题：　　我的变压器设计的工作磁感应强度Bm并不高，为什么我的LLC变压器磁芯温度很高？　　由于LLC变压器工作在LC谐振状态，LC谐振回路有个特点就是Q值问题，在这里Q值是大于1的，因而就会有实际加在变压器上的电压要比输入电压高的问题，因而在设计变压器的时候就必须考虑到这一点，否则变压器就不是工作在

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变压器空载损耗、负载损耗、阻抗电压的计算

变压器空载损耗、负载损耗、阻抗电压的计算空载损耗：当变压器二次绕组开路，一次绕组施加额定频率正弦波形的额定电压时，所消耗的有功功率称空载损耗。算法如下：　　空载损耗=空载损耗工艺系数×单位损耗×铁心重量　　负载损耗：当变压器二次绕组短路(稳态)，一次绕组流通额定电流时所消耗的有功功率称为负载损耗。算法如下：　　负载损耗=最大的一对绕组的电阻损耗+附加损耗　　附加损耗=绕组涡流损耗+并绕导线的环流损耗+杂散损耗+引线损耗　　阻抗电压：当变压器二次绕组短路(稳态)，一次绕组流通额定电流而施加的电压称阻抗电压Uz。通常Uz以额定电压的百分数表示，即uz=(Uz/U1n)*100% 　

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DS3984/DS3988变压器匝数比的选择

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