随着宁德时代、比亚迪等巨头的迅速崛起,几乎所有国人都觉得中国锂离子电池产业即将称霸全球,再也不需要看美国人的脸色。但是人们似乎都忽略了一个重要的问题——核心专利缺失。前不久发生的中兴事件让国人们深刻地认识到了在繁荣的经济背后,核心技术的缺失是如何的让人痛心疾首!下面就随电源管理小编一起来了解一下相关内容吧。
当美国人挥动贸易制裁的大棒时,我们能够针锋相对的给出了反制措施,赢得了国人的一片叫好,但是美国人随即祭出了中兴事件,顿时打的我们措手不及,为了挽救中兴,我们不得不向美国作出了巨大的妥协。中兴事件的教训是深刻的,让国人意识到了核心技术的重要性,无论付出多少代价都必须将核心技术掌握在自己手中,否则将永远受制于人。
下面我们首先来看一下磷酸铁锂专利问题,2003年加拿大魁北克水电公司等专利权利人以申请号为PCT/CA2001/001349的磷酸铁锂国际专利为基础进入中国,并向中国国家知识产权局提出发明专利申请,并于2008年9月获得授权(ZL01816319.X)。
此后LiFePO4材料凭借着其低成本和高安全性的优势迅速占领了动力电池市场,市场需求量逐年递增,将待宰的羔羊养肥之后,加拿大魁北克水电公司、巴黎CNRS公司、蒙特利尔联合公司三家权利公司要求所有在中国生产磷酸铁锂材料的厂家向其支付1000万美元的专利入门费或者支付2500美元/吨的专利费,这已经超过材料厂家每吨磷酸铁锂所能获得的利润,对于国内磷酸铁锂产业来说无疑是灭顶之灾。
迫于无奈中国电池工业协会向中国专利复审委员会提出了加拿大魁北克水电公司等权利人所持有的磷酸铁锂专利无效的申请,2011年5月28日专利复审委员会作出最终裁决——加拿大魁北克水电公司所持有的磷酸铁锂专利无效!仍然不甘心的加拿大魁北克水电公司等权利人又上诉到了北京高院,2014年北京高院最终给出了维持原判的裁决,让中国的磷酸铁锂材料生产商躲过了一劫。
在我们以为磷酸铁锂事件就这样过去了之后,国内动力电池市场风向突变,在国家补贴政策的引导下,乘用车动力电池迅速转向了能量密度更高的三元材料。而在三元材料上我们依然面临着核心专利缺失的问题,目前三元材料的核心专利掌握在美国的3M和美国阿贡国家实验室的手中,一般认为3M公司所持有的专利为常规的化学计量比的NMC材料,而阿贡国家实验室的专利则为层状富锂材料,目前在动力电池上应用的基本都是常规化学计量比的NMC材料,包括三星、LG、松下和日立等主流电芯厂家,比利时优美科、韩国L&F、SK和湖南瑞翔等主流材料厂家都向3M公司购买相关专利授权。
核心技术已经成为锂离子电池产业的核心竞争力,缺少核心技术和专利在国内或许还能躲在保护伞之下潇洒快活,但是当一家企业真正的想走出国门,进入国际市场时,核心技术专利的缺失将让其变得寸步难行。中国锂离子电池产业发展到今天仍然缺少核心专利,在面对国际巨头的竞争时这将成为巨大的短板。希望国内广大的锂离子电池材料厂家和电池厂家能够从中兴事件中吸取教训,在核心技术的研发上投入更多的时间和资金,尽快的进行核心专利的布局,避免重蹈覆辙。
以上是关于电源管理中-锂离子电池材料核心专利缺失之殇 谁会是下一个中兴?的相关介绍,如果想要了解更多相关信息,请多多关注eeworld,eeworld电子工程将给大家提供更全、更详细、更新的资讯信息。
上一篇:三星寻求S8电池供应商 日本村田可能性最大
下一篇:赛微蒋燕波:设计符合市场需求的芯片必须从贴近客户开始
推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 23:02
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- 从隔离到三代半:一文看懂纳芯微的栅极驱动IC