富士通台积电将合作延伸至28nm高效能制程

      日本富士通微电子与台积电(TSMC)宣布，双方将以台积电技术平台为基础，针对富士通微电子的28纳米逻辑IC产品进行生产、共同开发并强化28纳米高效能制程。

      之前富士通微电子已经与台积电就40纳米制程进行合作。这项协议代表富士通微电子将延伸已经在台积电生产的40纳米产品，双方将共同发展最佳化的28纳米高效能制程，而首批28纳米工程样品预计于2010年年底出货。

      这项先进技术的合作将整合富士通在高速制程与低耗电设计技术的专长，以及台积电节能的高效能逻辑/系统单芯片制程及“开放创新平台”中的先进技术。

      此次延伸至28纳米制程的合作计划，能在台积电包含高效能与低耗电应用的28纳米技术组合基础上，提供富士通微电子与台积电一个从深具竞争优势、高效能28纳米技术中获益的机会。

      同时，二家公司也正在就先进封装合作的可能性进行讨论，希望能有效结合富士通微电子在高效能、无铅、超高接脚(ultra-high-pin count)封装技术的优势及台积电在芯片封装整合与先进的铜/超低介电系数(Cu/ELK)导线的实力。

      富士通微电子常务执行董事八木春良(Haruyoshi Yagi)表示，我们先前宣布与台积电在40纳米制程技术的合作正快速进展中，目前已有好几个产品进入实体设计阶段。透过与台积电在28纳米高效能制程共同开发与生产上的合作。此举将进一步扩大台积电的营运成长，同时扩展富士通微电子在特殊应用集成电路(ASIC)与特定应用标准产品(ASSP)市场的业务。

      台积电全球业务暨行销副总经理陈俊圣表示：“我们过去在先进技术上开发及量产的傲人纪录，是富士通微电子选择我们成为合作伙伴的原因之一。台积电的技术平台涵盖与芯片设计相关的种种考量，包括设计套件、设计流程、台积电与合作伙伴的硅智财、健全的组件资料、优异的制程技术、后段的封装及测试能力，此次的协议代表台积电的技术平台已获得肯定。”