DDR2仍将存在一段时间,但DDR3注定称王

最新更新时间:2010-03-02来源: 国际电子商情关键字:DDR2  DDR3  内存  DRAM 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
  随着2009年的过去,DDR2作为DRAM市场之王的日子同样也快走到尽头。速度更快且功耗更低的DDR3几年前就已经问世。我们认为,它即将成为世界上最流行的内存技术。
  
  但DDR2还不算过时,而且未来一段时间之内也不会过时,它的价格在过去数月大幅上涨。然而,DDR3将是今年的摇钱大树。主要有两个原因在推动产业向DDR3过渡:英特尔新款处理器和制造工艺的成熟。
  
  新款英特尔处理器促进产业向DDR3过渡的一个事实是,新款英特尔微处理器将需要DDR3内存。尽管英特尔最近推出的芯片许多都能处理DDR2或DDR3,但基于Nehalem的新款CPU有一个集成的内存控制器,可以独自支持DDR3的多个通道。2010年,英特尔的路线图以基于Nehalem 的微处理器为主。
  
  另外,从制造工艺成熟的角度来看,内存技术已经做好更迭准备。其中包括几个方面。首先,制造商不断提高成品率和积累经验,现在可以利用最先进的光刻技术以具有竞争力的成本生产DDR3。此外,产品制造工艺非常成熟,现有多家厂商可以生产DDR3。
  
  OEM厂商一般不愿过渡到一个尚未得到众多制造商支持的技术,当然不希望像DRAM这样的重要产品只有一个供应来源。谢天谢地,现在所有的DRAM开发商都可以提供DDR3。
  
  DDR2不愿退场
  
  但是,DDR2短期内不会退出市场,预计2010年出货量将超过35亿个Gb。不仅DDR2明年一直会大量出货,而且2010 年第三季度比特出货量会与DDR3的2009年第三季度出货量相当。因此,虽然向DDR3 的过渡已经开始,但不会立即完成。
  
  有关这种过渡的一个关键问题是,相对平均销售价格(ASP)会发生什么变化。如果参考过去从SDR向DDR和DDR到DDR2的过渡,可以预见DDR3的平均销售价格将在未来一年接近DDR2。
  
  关于平均销售价格要考虑的另一个因素是成本。在所有条件都相同的情况下,DDR2的每晶圆gigabit多于DDR3,因此生产成本可以低于DDR3。但有时成本似乎与DRAM的平均销售价格没有太大关系,特别是当制造商以低于成本的价格销售时,就像有些厂商在2009 年初的做法那样。
  
  但是,DRAM产业可能正在进入一个有利时期,DRAM制造商也迫切希望改善自己的资产负债表并恢复盈利,如果制造商密切关注产品结构,这两个目标都可以实现。
  
  关于DDR2与DDR3平均销售价格的最后一项考虑是产品的可获得性。大多数DRAM厂商拥有DDR3产品,但一些供应商没有广泛参与DDR3市场。所有的DRAM制造商都获得了DDR2技术,但有些厂商在DDR3技术上面临一些挑战,特别是在先进的光刻技术方面。这可能导致DDR2供应相对丰富,从而降低DDR2的平均售价。
  
  我们认为,这些供需动态预示DDR3价格前景与DDR2相比相对良好。凭借强劲的价格走势和出货量不断增加,2010年DDR3确实有望从DDR2手中夺走王冠。老王已死,新王万岁。
关键字:DDR2  DDR3  内存  DRAM 编辑:小甘 引用地址:DDR2仍将存在一段时间,但DDR3注定称王

上一篇:恒忆和Macronix第四季度加热NOR闪存市场
下一篇:飞思卡尔投诉称日本松下等侵犯其芯片专利

推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 23:18

华为P30 Pro谍图:6.4寸2K曲屏,顶配 512 GB内存
华为P30系列发布的日子逐渐临近,关于这款手机的信息也变得多起来。近日,一个关于P30 Pro的360度高清渲染视频流出,据悉,该视频是海外的美工大神Waqar Khan基于Onleaks、Roland Quandt等爆料人的消息,以及真机谍照等绘制出来的。 根据视频截图,我们看到P30 Pro的正面是6.4英寸、2K分辨率的水滴屏,左右双曲面设计,听筒在在顶部,下巴宽度较窄。 而背面,P30 Pro将首次配备四摄,其中竖排为三摄模组,最下面一颗方形镜头采用潜望镜结构可实现超级变焦功能;镜头右侧是双色温闪光灯、激光辅助对焦和一颗单独的据猜测是有ToF功能的迷你摄像头。 但有关 P30 Pro可以实现的变焦倍数仍未
[手机便携]
华为P30 Pro谍图:6.4寸2K曲屏,顶配 512 GB<font color='red'>内存</font>
升级版iPhone 6现货开卖 内存升至32GB售3399元
说是古董级或许有些夸张,但iPhone 6已经是2014的产品了,官网也已经下线。现如今,iPhone 6老树发新芽,悄然有了升级版本,存储空间由16GB增至32GB,已在京东苹果自营店正式开卖,现货3399元。 升级版iPhone 6开卖   iPhone 6开启了苹果备受吐槽白带式天线条设计,但一体式机身的手感相当不错,除了背部没有“s”,外观跟iPhone 6s几乎一模一样,饱满的2.5D屏幕和圆形正面指纹识别也算是手机设计的流行元素。   配置上,iPhone 6采用4.7英寸1334×750屏幕,搭载A8处理器,配备32GB存储空间,前置120万+800万像素镜头,已经可升级iOS 10系统。这样来看,对比iPhon
[手机便携]
IC高管看好模拟芯片 谨慎对待存储
  投资者似乎更愿意把钱押注在快速增长的模拟芯片领域,而对并不景气的计算机存储市场保持谨慎。   便携设备中使用的闪存芯片价格似乎已经稳定,但有评论认为这块市场的复苏时间并不确定。   日本Hoya公司(制造将电子电路复制到半导体的光罩)的行政长官Hiroshi Suzuki在东京首脑会议上称:”我有些担心闪存。我想我们已经看到了DRAM的底线。闪存供应商能力实际上是不如DRAM供应商的。”   分析师预计,主要用于计算机和不断增长地尖端手机的DRAM全球销售额将在2008年下降10%,在2009年增长20%。   DRAM供应商三星电子和Hynix已经看到价格在4月反弹,业界高管从而期望在2008年下半年
[焦点新闻]
爆料称三星Galaxy M51将有6GB与8GB RAM的选项
根据昨日和早前的报道,三星即将向印度市场推出推出一款可与 OnePlus Nord 一较高下的 Galaxy M51 中端新机。据说该机采用了高通骁龙 730 芯片组,6.67 英寸 @ FHD+ 分辨率的 AMOLED 打孔屏,后置 64MP 四摄、电池容量 7000 mAh、并且支持 25W 快充。近日,Pricebaba 又从 Twitter 爆料人 Ishan Agarwal 那获悉,该机将有两档运存(RAM)容量。   早前传闻称三星 Galaxy M51 将提供 8GB RAM + 128GB ROM 的存储组合,但现在 Ishan Agarwal 又爆料称还有一个 6GB RAM 的选项。   拍照方面,
[手机便携]
存储器望出现DRAM、NAND Flash双好行情
DRAM价格趋于稳定,1Gb容量提前在9月初站上1.7美元,台厂面对这样美好的光景,心中还是有些疑虑,担心三星电子(Samsung Electronics)会从中作梗,破坏DRAM价格涨势,然现在苹果(Apple)强劲追加NAND Flash订单,且随著智能型手机价格平民化的趋势,未来内建高容量存储器普及,都让各界相当看好2010年NAND Flash市场前景,三星在喜迎苹果大单之余,也无暇与台系DRAM厂厮杀,暌违多年的DRAM和NAND Flash双好行情可望再现。    2009 年存储器产业触底反弹的步调相当健康,年初由NAND Flash领涨,之后再由DRAM接棒,但NAND Flash价格虽然涨势熄火,但
[手机便携]
C51和MDK的ROM大小及变量绝对地址初始化
#1. C51的ROM大小 Keil编译完之后,显示的Program Size: data=9.0 xdata=8 const=15 code=180,则 The Total ROM(const + code + code-gap + const-gap) is 199BYTE 实际生成的bin文件大小: 在.MAP中的C O D E M E M O R Y 中 code-gap为0,cosnt-gap为4,则const + code + const-gap=15 + 180 + 4 = 199,刚好和实际生成的bin文件大小一致。 #2. C51的ROM大小优化 如果实际编译显示的const + code远小于实际的Bi
[单片机]
C51和MDK的<font color='red'>ROM</font>大小及变量绝对地址初始化
STM32栈和堆使用不同RAM的实现方法
最近在调试将开源数据压缩算法zlib移植到STM32的工程中. 由于zlib要占用大量的动态内存(缺省设置下需要至少280kB左右的内存), STM32内部的48kB 的SRAM远远不够用, 因此必须将动态内存分配使用的内存堆(HEAP)设置在外部的扩展RAM中去. 我在使用的STM32中用了一个别人写的已经烧好的IAP Bootloader, Bootloader中会检查用户程序的向量表首地址(即__initial_sp), 如果发现这个地址的值不在内部ram中, 就认定没有合法的用户程序, 而进入死循环状态拒绝跳转. 另外, 从抗干扰性和稳定性角度出发, 我也的确希望栈放在内部ram中. 这就要求: 将stack分配到内部
[单片机]
STM32栈和堆使用不同<font color='red'>RAM</font>的实现方法
arm:启动代码判断是从nand启动还是从norflash启动,拷贝程序到内存的过程
一、nand启动和nor启动:   CPU从0x00000000位置开始运行程序。   1、nand启动:   如果将S3C2440配置成从NANDFLASH启动(将开发板的启动开关拔到nand端,此时OM0管脚拉低)S3C2440的Nand控制器会自动把Nandflash中的前4K代码数据搬到内部SRAM中(地址为0x40000000),同时还把这块SRAM地址映射到了0x00000000地址。CPU从0x00000000位置开始运行程序。   2、如果将S3C2440配置成从Norflash启动(将开发的启动开关拔到nor端,此时OM0管脚拉高),0x00000000就是norflash实际的起始地址,norf
[单片机]
arm:启动代码判断是从nand启动还是从norflash启动,拷贝程序到<font color='red'>内存</font>的过程
小广播
最新半导体设计/制造文章
换一换 更多 相关热搜器件
更多每日新闻

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 EDA与IP 电子制造 视频教程

词云: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved