推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 23:18
即将取代半导体的最新金属-绝缘体电子技术
超高速电子正在迅速填补最高不过数百GHz的半导体和可以达到数百THz的光学频率之间的“THz差距”。大家都知道,频率达到THz时的波长通常以毫米为单位,而承诺填补“THz差距”的新技术,正是Phiar公司发明的新型金属-绝缘体电子技术,其演示频率已达3.8THz。
Phiar声称在业界已经拥有多家合作伙伴,其技术已经克服许多应用中的障碍,包括60GHz天线边缘频率转换、并行闪速固态存储驱动器、单芯片毫米波雷达、用于安全的“X光透视”系统和芯片间RF互连的集成式THz检测器阵列。
“我们的技术将成为自电子管推出以来第一种可行的半导体替代技术。”Phiar公司业务开发总监Adam Rentschler宣称。
近日,P
[焦点新闻]
半导体市场供不应求 锗金属价格7日涨幅6%
近期小金属锗报价持续上涨,近7日涨幅接近6%。据了解,锗多用于光纤和半导体。业内人士表示,随着近期全球半导体市场出现供不应求的局面,势必会加大产能,对锗的需求量也将逐步放大。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 锗是重要的半导体材料,在半导体、航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛而重要的应用。根据2015年美国地质调查局数据显示,全球锗终端用户中纤维光纤占30%、红外光纤占20%、聚合催化剂占20%、电子和太阳能器件占15%。 然而,全球锗的资源比较贫乏,数据显示,全球已探明的锗保有储量仅为8600金属吨。锗资源在全球分布非常集中,主要分布在中国、美国和俄罗
[半导体设计/制造]
安徽立德半导体引线框架和AMOLED高精度金属掩模板项目合作
11 月8 日,安徽立德半导体材料有限公司高精密半导体引线框架及AMOLED高精度金属掩模板项目,在位于合肥新站高新区的合肥综合保税区正式启动。 据安徽网报道,该项目规划总投资15亿元,建设面积32000平方米,生产规模为年产蚀刻型引线框架一亿条、冲压型引线框架三千万条,高精度金属掩模板七百万件,年产值超15亿元。该项目的落地,将有效改善国内紧缺蚀刻引线框架的现状,推进集成电路国产化的进程。 引线框架是半导体封装环节中非常重要的核心材料,中国又是全球最大的引线框架市场,而蚀刻引线框架主要依赖进口。 立德半导体团队将顶尖的掩模板研发工艺技术,应用到集成电路引线框架的研发生产中,采用“图形电镀+高速蚀刻”工艺路线,解决了微观大面积精
[手机便携]
金属-氧化物-半导体场效应管
金属-氧化物-半导体场效应管
结型场效应管的输入电阻虽然可达106~109W,但在要求输入电阻更高的场合,还是不能满足要求。而且,由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻,在高温条件下工作时,PN结反向电流增大,反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同,金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的栅极与半导体之间隔有二氧化硅(SiO2)绝缘介质,使栅极处于绝缘状态(故又称绝缘栅场效应管),因而它的输入电阻可高达1015W。它的另一个优点是制造工艺简单,适于制造大规模及超大规模集成电路。
MOS管 也有N沟道和P沟道之分,而且每一类又分为增强型和耗尽型两种,二者的区别是增强型MOS管在栅-源电压vGS=0时,漏-源极之间没有导
[模拟电子]
结合单层超导体与拓扑绝缘体新混合材料为更稳定量子计算机奠基
研究示意图。图片来源:《自然•材料》 将两种具有特殊电学特性的材料(单层超导体和拓扑绝缘体)结合起来的新方法,为探索拓扑超导这种不寻常形式提供了迄今为止的最佳平台。美国宾夕法尼亚大学研究人员在近日《自然·材料》杂志发表的一篇论文中描述了如何将这两种材料“配对”。这种组合为拓扑量子计算机提供比传统计算机更稳定的基础。 超导体允许电流在没有阻力的情况下通过,而拓扑绝缘体是只有几个原子厚的薄膜,可限制电子向其边缘移动,从而产生独特的特性。 在这项研究中,研究人员使用了分子束外延技术来合成拓扑绝缘体和超导薄膜,并创建了一个二维异质结构,这是探索拓扑超导现象的绝佳平台。在先前结合这两种材料的实验中,一旦拓扑绝缘层在顶部生
[半导体设计/制造]
美科学家试图证明磁性是超导体的关键
美国橡树岭国家实验室(Oak Ridge National Laboratory)的研究人员正试图找出证据,以确定是否无论是哪一种材料,高温超导现象(high-temperature superconductivity)的运作原理都是来自相同的机制;如果以上假设属实就可进一步推断,磁自旋(magnetic spin)激发的电子耦合可能是引起超导现象的关键。 主持该研究的橡树岭实验室科学家Mark Lumsden表示:“磁交互作用提供了让电子结合的附着力,那些成对的电子是引起超导现象之宏观量子态(macroscopic quantum state)的关键成分。”高温超导现象能创造超快速的电子组件,主要是当材料的阻抗被降低
[半导体设计/制造]