22nm以后的晶体管技术领域,靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的,为此,人们关注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通道中添加杂质,易于控制特性的不均现象,因而成了22nm以后晶体管技术的有力候选。而且前者还具有能够采用与此前相同的电路布局进行设计的特点。后者虽要求采用新的电路布局及工艺技术,但有望比前者更加容易实现微细化(高集成化)。两种技术以各自特色为宣传重点,开始激烈争夺新一代技术的宝座。在 “2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15~17日,在美国夏威夷州檀香山举行)上,似乎为了显示人们对二者的关注度之高,相关企业及团体就FD- SOI元件发表了9篇论文,就FinFET发表了4篇论文。
采用ArF光刻技术实现基于FinFET的超小SRAM单元
在2009年举行的“2009 IEDM”上,采用FinFET技术实现0.06um2或者0.039um2单元面积的超微细SRAM亮相。但是,这些产品都利用了电子束(EB)直描技术,实用化方面还存在课题。此次,美国IBM、美国GLOBALFOUNDRIES、东芝及NEC电子(现为瑞萨电子)组成的小组发布了以现行ArF光刻技术实现0.063um2超微細SRAM的极具影响力的研究成果(论文序号:2.2)。通过采用Sidewall Image Transfe技术,实现了40nm的Fin间距,解决了基于FinFET的SRAM的另一课题——因使用多个Fin而导致面积增大的问题。同时,还实现了80nm这一全球最小的栅极间距。作为实现超微细SRAM的技术,这一成果给人FinFET更为出色的强烈印象。
在Bulk底板上混载SOI及块状硅元件
要实现最尖端SRAM,易于控制特性不均现象的FD-SOI元件可发挥威力。不过,ESD保护电路及功率MOSFET等需要较大电流的外围电路沿用块状硅元件比较理想。从这一角度来看,二者的混载技术备受期待。在“2009 IEDM”上,多家企业发布了采用SOI底板、混载FD-SOI及块状硅元件的混载技术。
意法半导体(STMicroelectronics)、法国IMEP-LAHC及法国CEA-LETI组成的小组发布了在成本低于SOI底板的块状硅底板上混载FD-SOI与块状硅元件的技术(论文序号:6.2)。这是一项可实现低成本微细SoC的值得关注的技术。此次,FD-SOI元件领域通过在硅底板上使SiGe及Si固相生长,然后除去SiGe层并嵌入氧化膜,实现了局部SOI。在局部SOI上制作的FD-SOI元件的特性偏差在此前发布的产品中为最小水平(Avt=1.2mV um)。实证结果表明,在块状硅底板上制作的ESD保护电路可充分满足实用需求。
关键字:FD-SOI FinFET MOSFET 工艺 光刻
编辑:小甘 引用地址:22nm以后:FD-SOI元件与FinFET接近实用化
推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 23:19
芯源微:国际光刻机联机等技术问题已攻克并通过验证
1月7日,芯源微发布期接受机构调研的活动记录表,芯源微表示,公司前道涂胶显影机与国际光刻机联机的技术问题已经攻克并通过验证,可以与包括ASML、佳能等国际品牌以及国内的上海微电子(SMEE)的光刻机联机应用。 天眼查信息显示,芯源微成立于2002年,是由中科院沈阳自动化研究所创建的国家高新技术企业,专业从事半导体生产设备的研发、生产、销售与服务,致力于为客户提供半导体装备与工艺整体解决方案。 在谈及芯源微前道涂胶显影机Track与国际光刻机联机是否还有技术壁垒时,芯源微称,公司前道涂胶显影机与国际光刻机联机的技术问题已经攻克并通过验证,可以与包括ASML、佳能等国际品牌以及国内的上 海微电子(SMEE)的光刻机联机应用。 芯源微
[手机便携]
取消擦拭工艺改进了LCD显示器质量
与其他新兴的显示器件相比,工艺技术的革新提高了LCD的竞争力 。采用了离子枪技术,取消了传统的擦拭工艺,不但提高了LCD显示器件的分辨率,而且也减少了废品率。此外,这步工艺还可以整合到在洁净室内的生产线中去,可以进一步显著地降低制造成本。 在LCD屏的生产流程中,长期以来一直不得不用法兰绒辊来擦拭衬底。以便使晶体分子能够按一定方向排列。这是一个令人难以吞咽的苦果,也是长期以来许多公司孜孜不倦地在寻求解决的课题。不久前,IBM公司(位于纽约州的Armonk)成功地开发了一种使晶体按一定方向排列,而又不需要接触LCD屏的新工艺。这种新工艺可以取代目前使用的擦拭工艺。 取消擦拭工艺以后,显著地提高了LCD的生产成品率,可以为生产厂节约成
[嵌入式]
SMIC向ASML订购新型EUV光刻机 2019年交货
集微网消息,日本新闻网站Nikkei Asian Review引述消息称,全球最大的芯片机器制造商、荷兰的阿斯麦(AMSL)证实,中国向荷兰订购一台最新型的使用EUV(极紫外线)技术的芯片制造机器光刻机,订货单位是中国厂商SMIC。这台机器价值1.2亿美元,与其去年净利润1.264亿美元大致相当。消息来源称,这一设备预计将于2019年年初交付。 世界上很多著名芯片商如Intel、 Samsung 和TSMC(台积电)等,都已经开始试验使用这种EUV机器生产芯片,估计今年年底可以生产出第一批成品。 此外,关于基于瓦森纳协议(Verdrag van Wassenaar),荷兰不能出售光刻机给中国的传言。ASML表示,出售光刻机给中国,
[手机便携]
PWM DC/DC转换器MOSFET的主要特性和参数
1)静态特性及参数
(1)输出特性:MOSFET的输出特性如图所示,其特点是栅一源电压UGS控制漏极电流ID。
(2)漏极(额定)电流ID:MOSFET的电流容量(幅值)(如DGS=10V)。
(3)漏一源击穿电压BUDS是指该型号MOSFET或该管最大瞬时电压的耐压,当漏一源电压UDS超过BUDS时,漏一源极之间雪崩效应电流激增9瞬间 局部过热损坏。BUDS为正愠度系数,结温每升高10℃,BUDS约增大1%。
(4)开启电压UGS(th),又称为阈值电压,如3.2V、1.5V。栅一源电压超过此值时,漏极电流由小到显着增大;如图1(a)中UGS=3.5V曲线已明显 离开横坐标。
UGS(
[电源管理]
苹果Apple Watch S8芯片配备与S6/S7相同CPU:台积电工艺
根据标识符代码,苹果 Apple Watch Series 8、Apple Watch Ultra 和 Apple Watch SE 2 中的 S8 芯片具有与 S6 和 S7 芯片相同的 CPU。 苹果 S8 SiP 中的 CPU 带有与 Apple Watch Series 6 和 Apple Watch Series 7 中首次亮相的 S6 和 S7 芯片中的 CPU 相同的 T8301 标识符。这解释了为什么苹果近年来只将 S 系列芯片与 S5 芯片或更早版本对比。 这也意味着 Apple Watch Series 6、Apple Watch Series 7、Apple Watch Series 8、Apple W
[手机便携]
台积电计划花费50亿元建研发中心
晶圆代工巨头台积电称其计划花费50亿美元将现有的300mm晶圆厂转成研究和开发中心,据国外媒体报道。
据报告称,随着时间的推移,台积电将其位于台湾新竹的Fab 12工厂转成研发中心。这个中心将探索和发展32nm、22nm和15nm工艺制程技术。
该研发晶圆厂也将“提供额外的制造能力”,但是一旦一个新的制程工艺被开发出来,台积电会将此技术转移到台湾Fab 14,Fab 14也是300mm工厂。
此举被看作是台积电与竞争对手台联电、IBM “晶圆俱乐部”竞争所做的努力。IBM的技术联盟包括两个晶圆代工对手:特许半导体和三星。中芯国际也获得了IBM工艺制程技术的授权。
这也反映出晶圆代工业务不
[焦点新闻]
工业现场总线工艺在炼铁高炉系统中的应用
一、引言
工业现场总线技术是近几年自动化行业最为关注的技术之一,给各行各业的自动化控制技术带来了一次质的飞跃。
现场总线控制系统(Fieldbus Control System,FCS)是由各种现场仪表通过互连与控制室内人机界面所组成的系统;一个全分散、全数字化、全开放和可互操作的生产过程自动控制系统。也正是由于这些特点,以现场总线作为技术支撑的FCS在工业自动化领域有明显的优势,诸如很高的精确性、组志简单、设计安装方便、易于维护和扩展、可以节约软硬件投资等,被称为第五代控制系统,成为当今工业自动化发展的必然趋势。它使过程控制领域的自动化装置由DCS向FCS过渡,DDC(直接数字控制)功能将彻底分散到现场,使先进的现场设备管
[嵌入式]
芯片业向65纳米工艺变迁,SoC取代时钟速率成为主推力量
日前在美国加州举行的SNUG Synopsys用户研讨会上,Synopsys公司总裁兼首席执行官Aart de Geus指出:“促使芯片节点工艺向更高层次发展的动力将不再是芯片性能的提高,而在系统级芯片(SoC)上集成更多的功能才是刺激芯片工艺向65纳米迈进的原因。”
芯片处理速度的加快代表了芯片性能的提升——现在这已经不是首要的问题了,De Geus指出,特别是在多内核器件出现之后。这是与半导体业界以往发展史最为不同的地方——以往的历史是,性能的提升会促使芯片工艺向更小的节点发展,以满足摩尔定律。
De Geus表示,过去几年内,芯片制造商已经得出了结论:靠半导体工艺节点的升级来提高系统的性能在经济上是不可行的。相反
[嵌入式]